- •Федеральное агентство по образованию
- •Белгородский государственный технологический университет им. В. Г. Шухова
- •Д. В. Величко, в. Г. Рубанов
- •Полупроводниковые приборы и устройства
- •Д. В. Величко, в. Г. Рубанов Полупроводниковые приборы и устройства
- •Величко, д. В.
- •Тиристоры
- •Диодный тиристор (динистор)
- •Двухтразисторная модель тиристора
- •Триодный тиристор (тринистор)
- •Симметричный тиристор (симистор)
- •Динамика работы тиристора
- •Эффект dU/dt
- •Релаксационный генератор пилообразных колебаний
- •Глава 10. Лабораторная работа №6 Диодные и триодные тиристоры
- •Iвкл, Uвкл; Iа раб, uост; Iвыкл, uост;
Динамика работы тиристора
Из рис.5.55 видно, что в точке А создаются необходимые условия для отпирания тиристора и он переходит из закрытого состояния в открытое (А-В). Напряжение на нем резко падает, а ток начинает протекать.
Если ток протекающий через тиристор станет меньше тока удержания
Iуд то тиристор закрывается (C-D).
Рис.5.55. Динамика работы тиристора
Эффект dU/dt
135 136
Рассмотрим влияние барьерной емкости перехода П2. Емкостной ток
При быстром нарастании основного напряжения на тиристоре Uак через него будет проходить емкостной ток, обусловленный наличием барьерных емкостей p-n-переходов (рис.5.56).
через переход П2 определяется следующим образом
dU
ICбар
Сбар
ак
dt
(5.5)
а)
б)
Рис.5.56. Влияние барьерной емкости перехода на работу тиристора
Чем больше скорость изменения основного напряжения на тиристоре, тем больше значение емкостного тока через переход. Этот ток, проходя через переходы П1 и П3, вызывает увеличение коэффициентов передачи тока, что приводит к включению тиристора при основном напряжении, меньшем напряжения включения.
Барьерные емкости переходов П1 и П3 являются причиной появления емкостных токов через эти переходы при быстром изменении напряжения на тиристоре. Емкостные токи не связаны с инжекцией носителей заряда, поэтому с увеличением скорости изменения напряжения включение тиристора должно происходить при напряжениях, больших напряжения включения, если учитывать только барьерные емкости этих переходов.
Практически барьерная емкость перехода П2 сказывается сильнее, так как она шунтирует большое активное сопротивление этого перехода, смещенного в обратном направлении при закрытом состоянии тиристора. Барьерные емкости переходов П1, П3 сами оказываются зашунтированными сопротивлениями этих переходов, смещенных при закрытом состоянии тиристора в прямом направлении. Поэтому напряжение включения тиристора с увеличением скорости нарастания основного напряжения уменьшается.
Однако, эффект dU/dt часто оказывается не положительным, а отрицательным свойством, так как может приводить к самопроизвольному включению тиристора, например при подключении источника питания (рис.5.57).
137 138
Принцип
действия
При
подаче
анодного
напряжения
Еа
емкость
С
начинает
заряжаться
через
резистор
Rа.
Когда
напряжение
на
емкости
достигнет
величины
Uвкл
-
произойдет
включение
тиристора,
его
сопротивление
резко
упадет
и
конденсатор
быстро
разрядится
через
малое
сопротивление
ограничительного
резистора
Rогр.
После
этого
цикл
повторяется
(рис.5.59).
Рис.5.57. Временные диаграммы, иллюстрирующие эффект dU/dt
