Прилади і матеріали
В роботі використані такі прилади:
лабораторний макет
вольтметри постійної напруги 2 шт.;
джерело живлення ТЕС - 13 2 шт.;
Примітка: в ході роботи можливі зміни типів приладів. Схема принципова електрична для проведення досліджень зображена на рис. 11.
Рисунок 11
Порядок виконання роботи
1. Дослідити статичні характеристики транзистора КТ315.
1.1 Зняти сімейство вхідних характеристик
Іб, мкА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Uбе, В |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Заповнивши таблицю — привести графік залежності Іб = f(Uбе)
1.2 Зняти сімейство вихідних характеристик при Іб1 = 0 мкА; Іб2 = 100 мкА;
Іб3 = 200 мкА; Іб4 = 300 мкА; Іб5 = 500 мкА.
Uке, В |
0 |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
ІК1, мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ІК2, мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ІК3, мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ІК4, мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ІК5, мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Заповнивши таблицю — нарисувати сімейство вихідних характеристик ІК = f(Uке)
2. Дослідити статичні характеристики транзистора КТ815.
2.1 Зняти сімейство вхідних характеристик
Іб, мкА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Uбе, В |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Заповнивши таблицю — привести графік залежності Іб = f(Uбе)
2.2 Зняти сімейство вихідних характеристик при Іб1 = 0 мкА; Іб2 = 100 мкА;
Іб3 = 200 мкА; Іб4 = 300 мкА; Іб5 = 500 мкА.
Uке, В |
0 |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
ІК1, мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ІК2, мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ІК3, мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ІК4, мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ІК5, мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Заповнивши таблицю — нарисувати сімейство вихідних характеристик ІК = f(Uке)
3. Визначити Bmax для кожного транзистора по формулі:
4. Визначити коефіцієнт підсилення по напрузі:
