- •17. Семейство ес эвм. Основные характеристики и параметры эвм серии «Ряд-2».
- •1. Первые эвм. Основные характеристики и парметры эвм бэсм-1.
- •2. Первые эвм. Основные характеристики и парметры эвм м-1.
- •3. Первые эвм. Основы первых эвм, основные характеристики и парметры эвм м-2.
- •4. Первые эвм. Основные характеристики и парметры эвм м-3 и эвм «Стрела».
- •5. История развития аналоговых вычислительных машин в России.
- •6. Первые авм на Пензенском заводе сам и нииСчетмаше.
- •9. Системы малых эвм (см эвм).
- •10. Универсальные эвм. Характеристики семества эвм м-20.
- •7. Обзор характеристик управляющих эвм.
- •8. Управляющая эвм Днепр
- •11. Универсальные эвм. Характеристики серии эвм бэсм.
- •12. Универсальные эвм. Особенности эвм «Весна» и «Снег».
- •13. Универсальные эвм. Особенности эвм «Сетунь».
- •14. Универсальные эвм. Характеристики семейства эвм «Урал».
- •15. Универсальные эвм. Характеристики семейства эвм «Минск».
- •16. Семейство ес эвм. Основные характеристики и параметры эвм серии «Ряд-1».
- •17. Семейство ес эвм. Основные характеристики и параметры эвм серии «Ряд-2».
- •18. Семейство ес эвм. Основные характеристики и параметры эвм серии «Ряд-3» и «Ряд-4».
- •19. Персональные эвм серии ес
- •20. Характеристики супер-компьютеров. Особенности эвм «Cray-1».
- •21. История развития отечественных суперЭвм.
- •22. Основные выводы истории развития вт в России.
- •23. История создания транзистора Дж. Бардин, у. Браттейн и у. Шокли.
- •24. История создания транзистора в Советском Союзе.
- •25. Достижения советских ученых в исследованиях и создании транзистора.
- •26. Зеленоградский Центр микроэлектроники: предпосылки создания и создание.
- •27. Зеленоградский Центр микроэлектроники: расцвет и закат.
- •28. История создания первой микросхемы.
- •29. Первые гибридные ис.
- •30. Первые полупроводниковые ис в сша.
- •31. Первые полупроводниковые ис в ссср.
28. История создания первой микросхемы.
12 сентября 1958 года сотрудник фирмы Texas Instruments (TI) Джек Килби продемонстрировал руководству странный прибор - склеенный пчелиным воском на стеклянной подложке устройство из двух кусочков кремния размером 11,1х1,6 мм. Это был объёмный макет – прототип интегральной схемы (ИС) генератора, доказывающий возможность изготовления всех элементов схемы на основе одного полупроводникового материала. Эта дата отмечается в истории электроники как день рождения интегральных схем.
К интегральным схемам (микросхемам, ИС) относятся электронные устройства различной сложности, в которых все однотипные элементы изготавливаются одновременно в едином технологическом цикле, т.е. по интегральной технологии. В отличие от печатных плат (в которых в едином цикле по интегральной технологии одновременно изготавливаются все соединительные проводники) в ИС аналогично формируются и резисторы, и конденсаторы, и диоды и транзисторы. Кроме того, одновременно изготавливается много ИС, от десятков, до тысяч
Раньше различали две группы ИС: гибридные и полупроводниковые
В гибридных ИС (ГИС) на поверхности подложки микросхемы (как правило, из керамики) по интегральной технологии формируются все проводники и пассивные элементы. Активные элементы в виде бескорпусных диодов, транзисторов и кристаллов полупроводниковых ИС, устанавливаются на подложку индивидуально, вручную или автоматами
В полупроводниковых ИС соединительные, пассивные и активные элементы формируются в едином технологическом цикле на поверхности полупроводникового материала с частичным вторжением в его объём методами диффузии. Одновременно на одной пластине полупроводника изготавливается от нескольких десятков до нескольких тысяч ИС
29. Первые гибридные ис.
ГИС является продуктом эволюционного развития микромодулей и технологии монтажа на керамических платах. Поэтому появились они незаметно, общепринятой даты рождения ГИС и общепризнанного автора не существует
Полупроводниковые ИС были естественным и неизбежным результатом развития полупроводниковой техники, но потребовавшим генерации новых идей и создания новой технологии, у которых есть и свои даты рождения, и свои авторы
Первые гибридные и полупроводниковые ИС появились в СССР и США почти одновременно и независимо друг от друга
Еще в конце 1940-х годов в фирме Centralab в США были разработаны основные принципы изготовления толстоплёночных печатных плат на керамической основе
А в начале 1950-х годов в фирме RCA изобрели тонкоплёночную технологию: распыляя в вакууме различные материалы и осаждая их через маску на специальные подложки, научились на единой керамической подложке одновременно изготавливать множество миниатюрных плёночных соединительных проводников, резисторов и конденсаторов
По сравнению с толстоплёночной, тонкоплёночная технология обеспечивала возможность более точного изготовления элементов топологии меньших размеров, но требовала более сложного и дорогостоящего оборудования. Устройства, изготавливаемые на керамических платах по толстоплёночной или тонкоплёночной технологии, получили название “гибридные схемы”
Но гибридной интегральной схемой микромодуль стал в тот момент, когда в нём применили бескорпусные транзисторы и диоды и герметизировали конструкцию в общем корпусе
В СССР
Первые ГИС (модули типа “Квант” позже получившие обозначение ИС серии 116) в СССР были разработаны в 1963 г. в НИИРЭ (позже НПО “Ленинец”, Ленинград) и в том же году его опытный завод начал их серийное производство. В этих ГИС в качестве активных элементов использовались полупроводниковые ИС “Р12-2” , разработанные в 1962 г. Рижским заводом полупроводниковых приборов
Бесспорно, модули “Квант” были первыми в мире ГИС с двухуровневой интеграцией – в качестве активных элементов в них использовались не дискретные бескорпусные транзисторы, а полупроводниковые ИС
В США
Появление толстоплёночных ГИС, как основной элементной базы новой ЭВМ IBM System /360, впервые было анонсировано корпорации IBM в 1964 г
Полупроводниковые ИС серий “Micrologic” фирмы Fairchild и «SN-51" фирмы TI были ещё недоступно редки и непозволительно дороги для коммерческого применения, построение большой ЭВМ. Поэтому корпорация IBM, взяв за основу конструкцию плоского микромодуля, разработала свою серию толстоплёночных ГИС, анонсированную под общим названием (в отличие от “микромодулей”) – “SLT-модули” ( Solid Logic Technology – технология цельной логики. Обычно слово “solid ” переводят на русский язык как “твёрдый”, что абсолютно нелогично. Действительно, термин “SLT-модули” был введен IBM как противопоставление термину “микромодуль” и должен отражать их отличие. У слова “solid” есть и другие значения – “сплошной”, “целый”, которые удачно подчеркивают различие “SLT-модулей” и “микромодулей”
SLT-модуль представлял собой квадратную керамическую толстоплёночную микроплатку с впрессованными вертикальными штыревыми выводами. На её поверхность методом шелкографии наносились соединительные проводники и резисторы, и устанавливались бескорпусные транзисторы. Конденсаторы, при необходимости, устанавливались рядом с SLT-модулем
При внешней почти идентичности (микромодули несколько повыше) SLT-модули от плоских микромодулей отличались более высокой плотностью компоновки элементов, низким энергопотреблением, высоким быстродействием и высокой надёжностью
Кроме того, SLT-технология достаточно легко автоматизировалась, следовательно их можно было выпускать достаточно низкой для применения в коммерческой аппаратуре стоимости. Именно это IBM и было нужно. Вслед за IBM ГИС начали выпускать и другие фирмы, для которых ГИС стала товарной продукцией.
