Результаты практического применения

Изображение картины ДМЭ образца при энергии электронов 87эВ:

Изображение совпадет с теоретическими данными и результатами предыдущих исследований поверхности германия.

Далее образец был исследован с помощью СТМ при напряжении -0,4В и силе тока 0,2 нА. Разрешения полученного изображения 282x205 Å.

На наблюдаемой картине можно заметить отсутствие посторонних атомов на поверхности образца. Значит, очистка прошла успешно.

Изображение поверхности разрешением 1000x1000 Å полученное при напряжении +1,5 В и силе тока 0,3 нА.

На данном изображении наблюдаются широкие террасы необходимые для последующих экспериментов. Следовательно, необходимого результата по очистке поверхности германия мы достигли.

Заключение

На данный момент не существует универсальной процедуры очистки поверхности до атомарно-чистого состояния. Для каждого материала требуется индивидуальная методика с определенными параметрами. Конкретно для германия необходима система процедур для создания поверхности образца с необходимыми условиями.

Из всех методов получения чистой поверхности был выбран именно ионное распыление по причине получения результатов близких к идеальным.

Ионное распыление – очень эффективный метод очистки. Однако он имеет побочный эффект: ионная бомбардировка разрушает структуру поверхности. Поэтому после такой процедуры необходим отжиг подложки. Таким образом мы восстановим кристаллическую структуру поверхности и удалим атомы аргона, внедренные в объем и адсорбированные на поверхности.

И в результате мы получим качественную поверхность необходимую для проведения экспериментов в будущем.

Список литературы

1. Hafiz M. Sohail, R.I.G. Uhrberg. Electronic and atomic structures of a Sn induced 3√3 x3√3 superstructure on the Ag/Ge(111)√3x√3 surface// Surface Science 644 (2016) 29–33

2. http://studopedia.info/8-55756.html

3. Noboru Takeuchi, A. Selloni, and E. Tosatti. Do We Know the True Structure of Ge(lll)c(2 x 8) ?// PHYSICAL REVIEW LETTERS – 27.07.1992 – Vol. 69, № 4

4. Noboru Takeuchi, A. Selloni, and E. Tosatti. Atomic dynamics and structure of the Ge(111)c(2 X 8) surface// PHYSICAL REVIEW B – 15.04. 1995-II –Vol. 51, no.16

5. http://www.mitsubishicorp.com/

6. Введение в физику поверхности /К. Оура, В.Г. Лифшиц, А.А. Саранин, А.В. Зотов, М. Катаяма. – М.: Издательство ‹‹Наука››, 2005. – п.2.4.4. с.55

7. Heiney P.A., J Phys. Chem. Solids, 53, 1333 (1992)

8. Введение в физику поверхности /К. Оура, В.Г. Лифшиц, А.А. Саранин, А.В. Зотов, М. Катаяма. – М.: Издательство ‹‹Наука››, 2005. – п.7.5.3. с.223

9. http://dssp.petrsu.ru/~IVK/julja/razdel3/tema2/3.htm

10. E. S. Hirschorn, D. S. Lin, F. M. Leibsle, A. Samsavar, T.-C. Chiang. Charge transfer and asymmetry on Ge(111)-c(2x8) studied by scanning tunneling microscopy// PHYSICAL REVIEW B - 15.07. 1991-I –Vol. 44, no. 3