МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение

высшего профессионального образования

«Дальневосточный федеральный университет»

ШКОЛА ЕСТЕСТВЕННЫХ НАУК

Кафедра физики низкоразмерных структур

Кропачев Олег Владиславович

Получение атомарно-чистой поверхности германия методом ионного травления

Курсовая работа

По основной образовательной программе подготовки бакалавров

по направлению. 11.03.04 – Электроника и наноэлектроника

	Студент гр. Б8315 __________________ (подпись)
	Руководитель доктор ф.-м. н. _____________ Д. В. Грузнев
Регистрационный № ________ ___________ ___________________ подпись И.О.Фамилия « _____» ___________________ 2016г.	Оценка _________________________ ____________ ___________________ подпись И.О.Фамилия «_____» ________________ 2016г.

г. Владивосток

2016

Содержание

• Введение

• Скол

• Прогрев

• Химическая обработка

• Ионное распыление

• Результаты практического применения

• Заключение

• Список литературы

Введение

Для того чтобы контролируемо создавать уникальные наноструктуры нам необходимо соблюдение определённых условий. Одно из важнейших таких условий является отсутствие посторонних элементов в камере. И если вещества, содержащиеся в воздухе, мы убираем с помощью вакуума, то те, что находятся на поверхности подложки, с которой мы собираемся работать не так просто.

Есть множество методов очистки подложки. Наиболее часто используемые из них:

• Скол

• Прогрев

• Химическая обработка

• Ионное распыление

К сожалению, не существует универсальной процедуры очистки. Для каждого материала требуется индивидуальная методика с определёнными параметрами или даже комбинация нескольких методик.

Для эксперимента нам необходимо получить атомарно-чистую поверхность германия с широкими террасами. В данной работе будут рассмотрены выше перечисленные способы её получения выбран самый оптимальный, позволяющий получить результат близкий к идеальному.

Скол

Скол (рис.1) - это, пожалуй, самый прямой и самый очевидный способ получения свежей чистой поверхности. Он применим к таким хрупким материалам, кК оксиды, галоиды щелочных металлов, элементарные полупроводники и сложные полупроводники. Типичное приспособление для скола включает в себя брусочек материала образца с пропиленными зарубками и клин, управляемый извне камеры механически, электрически или с помощь магнита.

Поверхности, получаемые сколом, естественно, чистые, а в случае сложных полупроводников чаще всего и стехиометрические. Следует однако и некоторые недостатки метода. Во-первых, скол годится для хрупких материалов. Во-вторых, сколотая поверхность в общем случае может и не обладать равновесной структурой. В-третьих, сколотая поверхность неплоская и характеризуется высокой плотностью ступеней. Более того, плотность ступеней может сильно меняться для разных сколов, что отражается в случайном разбросе свойств получаемых сколом поверхностей. Что автоматически становится для нас не приемлемым.

Рис.1