- •1.1. Локализация диапазона ик- спектроскопии в общей шкале электромагнитного излучения. Уравнение Планка. Понятие о волновом числе. Соотношение частоты, длины волны и волнового числа.
- •1.2. Роль селективного поглощения излучения в специфическом характере ик- спектра. Закон Ламберта-Бера. Понятие о коэффициенте поглощения.
- •1.3. Многоатомные молекулы. Число степеней свободы, связанных с колебательными движениями. Колебательные спектры трехатомных молекул. Деформационные колебания.
- •1.4. Факторы, препятствующие интерпретации спектров.
- •1.5. Схема ик-спектрофотометра и принципы работы прибора. Эффективные характеристики прибора, калибровка.
- •1.6. Требования к образцу и его подготовка к анализу. Ограничения.
- •1.7. Деление ик-спектра на отдельные области. Условность деления. Значение для интерпретации. Факторы, усложняющие вид полос поглощения.
- •1.8. Оценка интенсивности полос поглощения в ик-спектроскопии и ее роль при интерпретации спектров. Факторы влияния на интенсивность.
- •1.9. Понятие о характеристических частотах групп и факторах, влияющих на них.
- •1.10. Межмолекулярные эффекты и характеристические частоты групп.
- •1.11. Внутримолекулярные факторы и характеристические частоты.
- •1.12. Характеристическое поглощение связей с-н. Виды колебаний в сн3—, сн2— и сн— группах.
- •Спектроскопия ямр
- •2.1. История открытия ямр. Уникальность метода ямр. Теоретические основы состава и движения ядер атомов. Характеристические параметры ядра.
- •2.2. Классический подход к объяснению возникновения ямр.
- •2.3. Квантово-механический подход к ямр. Квантование момента количества движения магнитных ядер. Уровни энергии.
- •2.4. Условия обнаружения сигнала ямр. Статистика и магнетизм ядра. Роль четности и нечетности в соотношении нуклонов ядра. Виды спектроскопии ямр.
- •2.5. Эффекты окружения в протонном резонансе. Представление об электронном экранировании и химическом сдвиге. Две шкалы оценки химического сдвига.
- •2.6. Ввзаимосвязь величин частоты и напряженности магнитного поля. Обеспечение постоянства Δν/ν. Зависимость вида спектра от частоты и напряженности поля.
- •2.7. Аномалия в химических сдвигах некоторых молекул. Эффект дальнего экранирования и его природа.
- •2.9. Спектры 0 и I-го порядка. Спин-спиновое взаимодействие, константа непрямого спин-спинового взаимодействия.
- •2.10. Механизм спин-спинового взаимодействия. Мультиплетность. Условия отнесения спектров ямр к спектрам I-го порядка. Формула мультиплетности для спектров I-го порядка.
- •2.12. Калибровка спектров ямр. Интегрирование сигналов. Назначение дополнительного оборудования.
- •2.13. Требования к образцу. Выбор растворителя. Реагенты специального назначения.
- •2.14. Введение в анализ спектров ямр высокого разрешения. Формулировка задачи.
- •2.17. Спектроскопия ямр других ядер помимо спектроскопии пмр. Преимущества и недостатки при сравнении результатов спектроскопии разных ядер. Области применения.
- •2.18. Динамические эффекты в ямр спектрах.
- •Масс-спектрометрия
- •3.2. Цели и задачи мс. Три основных типа информации, получаемые методом мс.
- •3.3. Характер дополнительной информации, получаемый методом мс. Определения массы молекулярного иона и его роль в мс анализе.
- •3.8. Общие схемы процессов, происходящих при ионизации нейтральных молекул в камере масс-спектрометра.
- •3.9. Понятие о масс-спектре. Обработка спектра для качественных и количественных исследований.
- •3.10. Условия появления молекулярного иона в спектре и его роль в идентификации веществ.
- •3.11. Особенности масс-спектрального анализа органических соединений.
- •3.12. Существующие ограничения при анализе органических соединений методом мс.
- •3.13. Схема основных узлов масс-спектрометра и принципы его работы. Особенности ввода пробы анализируемых веществ в прибор мс. Способы ввода образцов.
- •3.14. Основные характеристики прибора.
- •3.15. Процессы диссоциативной и ассоциативной ионизации органических соединений.
- •3.16. Методы диссоциативной ионизации.
- •3.17. Общие закономерности фрагментации.
- •3.18. Простой разрыв связей, правила фрагментации.
- •3.19. Масс-спектры отдельных классов органических соединений.
- •4.1. Электронные энергетические уровни и переходы – область исследования методом уф-спектроскопии.
- •4.2. Хромофоры. Ауксохромы. Батохромный и гипсохромный сдвиг максимума поглощения в уф-спектроскопии.
2.4. Условия обнаружения сигнала ямр. Статистика и магнетизм ядра. Роль четности и нечетности в соотношении нуклонов ядра. Виды спектроскопии ямр.
В сущности, эксперимент ЯМР состоит в том, чтобы сообщить энергию ядру и перевести его с одного энергетического уровня на 6 другой, более высокий уровень. Поскольку точное значение ΔЕ зависит
от молекулярного окружения возбуждаемого ядра, имеется возможность связать величину ΔЕ со строением молекулы и в конечном итоге определить структуру всей молекулы.
К сказанному следует добавить следующее: сигналы в спектрах ЯМР могут давать только ядра атомов,
обладающих нечетным спиновым числом. Таким образом, наиболее распространенные изотопы углерода
12С, кислорода 16О и многие другие, например, дейтерий, являясь немагнитными, не регистрируются в ЯМР-спектрах. Из ядер атомов, наиболее часто встречающихся в органических соединениях, магнитным моментом обладают изотопы 1Н, 13С, 19F, 31P, 15N, 17O.
Спектроскопия ЯМР используется для регистрации сигналов данных ядер. Наибольшее распространение в исследовании органических веществ имеет спектроскопия протонного магнитного
резонанса (ПМР, ЯМР 1Н) и ЯМР на ядрах изотопа 13С (ЯМР 13С).
2.5. Эффекты окружения в протонном резонансе. Представление об электронном экранировании и химическом сдвиге. Две шкалы оценки химического сдвига.
Ядра водорода, а также другие магнитные ядра в органических молекулах окружены электронами, вращение которых вокруг ядра создает свое поле. Оно препятствует взаимодействию внешнего магнитного поля с ядром. Иными словами, электроны заслоняют (экранируют) ядро, поэтому напряженность поля вблизи ядра отличается от напряженности внешнего поля (Н0). В результате экранирования изменяется частота, при которой наблюдается явление резонанса. Это изменение называется химическим сдвигом. Магнитное экранирование и, следовательно, химический сдвиг определяются положением данного протона в молекуле. Для эквивалентных протонов значения химических сдвигов одинаковы и они дают один резонансный сигнал, а различающиеся окружением в молекуле протоны обладают различным экранированием, имеют различные химические сдвиги и дают раздельные сигналы, что позволяет определять положения протонов в молекуле.
Положение резонансного сигнала зависит от напряженности поля так как она определяет силу, ориентирующую ось вращения протона, т.е. угол прецессии ω. Следовательно, для выражения химического сдвига необходима величина, не зависящая от H0. В качестве та которой принято положение сигнала протонов в тетраметилсилане (ТМС Me4Si). Выбор его в качестве эталона обусловлен тем, что он содержит двенадцать структурно эквивалентных сильно экранированных протонов, дающих вследствие этого легко опознаваемый узкий сигнал в самом сильном поле. Преимуществом ТМС является его хорошая растворимость в обычных органических растворителях и химическая инертность (недостатки: низкая температура кипения и нерастворимость в воде)
Вследствие инертности и растворимости ТМС его можно добавлять практически к любому веществу в любом органическом растворителе, но низкая температура кипения (27°С) ограничивает его применение, поэтому более употребительным эталоном является гексаметилдисилоксан (ГМДС, Me3Si-O-SiMe3; т.кип. 101°С). Он, как и ТМС, химически инертен и хорошо растворим в основных органических растворителях. С учетом распределения электронной плотности в ТМС и ГМДС к последнем протоны менее экранированы (более деэкранированы). Т.е. на них легче воздействовать радиочастотным излучением) и их сигнал находится в более слабых полях (на 0,055 м.д.) относительно ТМС.
ТМС, ГМДС или другое вещество может использоваться как внутренний, так и внешний эталон. В первом случае он в очень небольших количествах добавляется в ампулу с образцом, а во втором помещается в капилляр, находящийся в ампуле. В этом случае в величину химического сдвига вводится поправка на магнитную восприимчивость материала, из которого изготовлен капилляр.
Если Н0 - напряженность магнитного поля, при которой наблюдается резонанс протонов эталона (в частности, ТМС), Нобр - напряженность поля, при которой наблюдается резонанс протонов образца, то (Нобр-Нэт)/Н0 и есть величина, не зависящая от H0. Она является безразмерной и характеризует экранирование данного протона, т.е. его химический сдвиг.
Поскольку измерение напряженности магнитного поля значительно более сложное и менее точное; и поскольку она пропорциональна резонансной частоте, химический сдвиг также равен отношению δ = (νв-во– νэталон)/νприбора
Вводится единая относительная шкала (δ-шкала), выражаемая в миллионных долях - м.д., ppm (за 0 принимают сигнал протонов Si(CH3)4 (ТМС), шкала растет в направлении ослабления поля, или увеличения частоты), и величина относительного химического сдвига δ определяется следующим выражением:
δ = (νв-во– νэталон)/νприбора
В некоторых случаях кроме δ-шкалы еще используется и τ-шкала. Она отличается от δ-шкалы только тем, что в б-шкале сигнал TMC принят за нуль отсчета, а в τ-шкале ему приписано значение 10 м. д. Таким образом, обе шкалы связаны соотношением
τ =10,0 — δ
Значения химических сдвигов, отсчитанные в τ-шкале, возраcтают по спектру слева направо. Это удобно, поскольку мы пишем тоже слева направо. Но спектроскопически правильной является только δ-шкала, и по международному соглашению рекомендуется приписывать сигналам поглощения при более высоких частотах, т. е. переходам более высокой энергии, большие значения сдвигов в миллионных долях.
