ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНОГО ТРАНСПОРТА
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ
ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ
ПЕТЕРБУРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ПУТЕЙ СООБЩЕНИЯ
ИМПЕРАТОРА АЛЕКСАНДРА I
Кафедра «Электрическая тяга»
Контрольная работа Расчёт характеристик и параметров полупроводниковых устройств
Выполнил: студент группы ЭТ-306-В Кузьмин Д.В.
Проверил: Вернигора В.В.
2017 Содержание
Введение |
3 |
1. ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ |
4 |
2. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД |
4 |
3. СТАБИЛИТРОН |
9 |
4. ТУННЕЛЬНЫЙ ДИОД |
12 |
5. ВАРИКАП |
15 |
6. МАГНИТОДИОД |
17 |
7. ФОТОДИОД |
18 |
8. ТРАНЗИСТОР |
24 |
9. ПОЛЕВЫЙ ТРАНЗИСТОР |
33 |
10. ТИРИСТОР |
36 |
11. ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ |
42 |
12. ЦИФРОВЫЕ УСТРОЙСТВА |
51 |
13. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ РЕЗИСТОРЫ |
54 |
14. СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ |
60 |
Введение
В настоящее время полупроводниковые приборы и преобразователи на их основе находят широкое применение в системах управления электрическим подвижным составом. Развитие новых принципов развития промышленного изготовления электронных приборов и элементной базы позволяют значительно повысить надежность и улучшить массогабаритные показатели оборудования. На электрическом подвижном составе используются преобразователи различного вида и назначения: выпрямители, инверторы, преобразователи напряжения, частоты, числа фаз. Знание физической сущности процессов, характеристик и параметров электронных приборов позволяет детальнее разобраться в принципах действия различных электронных схем и оценить возможности их практического применения.
В данной работе изложена методика расчета характеристик некоторых полупроводниковых приборов и простейших схем на их основе.
Цель курсовой работы по дисциплине ”Электронная техника и преобразователи” – привить навыки расчета характеристик приборов и выбора параметров основных компонентов электронных схем.
Цель работы- привить навыки расчёта характеристик приборов и выбора параметров основных компонентов электронных схем.
1. Основное исходные данные.
Исходные данные, необходимые для расчета, приведены в табл. 1.
Таблица 1 – Исходные данные
обратный ток насыщения р-n перехода |
I0(T0), мкА |
1 |
максимальное обратное напряжение прибора |
Uобр max, В |
400 |
напряжение питания |
Е, В |
5 |
сопротивление нагрузки |
Rн, Ом |
800 |
величины токов и напряжений туннельного диода: |
|
|
пика |
Uп, мВ |
50 |
Iп, мА |
100 |
|
впадины |
Uв, мВ |
250 |
Iв, мА |
7 |
|
раствора |
Uр, мВ |
350 |
схемы включения транзистора: |
|
|
с общей базой |
ОЭ |
|
рабочая частота и длительность выходного импульса мультивибратора |
f, кГц |
1 |
tu, мкс |
160 |
|
максимально допустимая мощность рассеивания транзистора |
Рк max, мВт |
140 |
коэффициент перекрытия по емкости |
кс |
22 |
