27. Фотопроводимость полупроводника.

Фотопроводимость – это увеличение электрической проводимости вещества под действием электромагнитного излучения, в том числе света.

При поглощении света собственным полупроводником энергия фотона захватывается электроном валентной зоны и переходит из валентной зоны в свободную. Образовавшиеся электронно-дырочные пары свободных носителей заряда называют фотоносителями, которые при приложении внешнего поля обеспечивают появление фототока. Образование фотоносителей и появление фотопроводимости называют внутренним фотоэффектом.

Фотопроводимость зависит от:

1. Длины волны падающего света;

2. Интенсивности освещения;

3. Приложенного напряжения.

Зависимость фототока от длины волны падающего света называется спектральной характеристикой фотопроводимости.

28. Фотодиоды. Схема включения, применение.

29. ТВЕРДЫЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ. Органические: полимерные, клей компаунд, волокнистые, слоеные пластики. Неорганические: слюда, стекло, керамика.

30. Собственные, акцепторные и донорные п/п.

СОБСТВЕННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ.

Если ширина Е_з невелика, то при нормальной температуре часть электронов за счёт теплового возбуждения переходит в зону проводимости, оставляя в валентной зоне вакантные места – дырки. Т. о., и электроны свободной зоны, и дырки являются свободными носителями заряда. Их называют собственными носителями, а вещество – собственным полупроводником. При этом концентрации электронов и дырок в таком полупроводнике равны.

ДОНОРНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ.

В полупроводнике с достаточно широкой запрещённой зоной Е_з при нормальной температуре отсутствуют собственные носители заряда. В рабочем интервале температур проводимость обеспечивается за счёт электронов примесных атомов. Примеси вводят в вещество, чтобы обеспечить нужный тип и величину проводимости. Введение примесей в вещество называется легированием. Атомы примеси отдают электроны в свободную зону, обеспечивая электропроводность. Их называют электронными или n-типа.

АКЦЕПТОРНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ.

В акцепторных полупроводниках атомы примеси захватывают электроны из валентной зоны, достраивая свою наружную оболочку до устойчивого состояния. Носителями зарядов является дырки, но полупроводник p-типа дырочный.

Т. о., в донорных полупроводниках электроны – основные носители, а дырки – неосновные (полупроводник n-типа проводимость электронная). А в акцепторных полупроводниках наоборот.

31. Потери в диэлектрике. Причины потерь.

Потерями в диэлектрике называется мощность, рассеиваемая в диэлектрике, помещённом в электрическом поле.

Существует 2 причины потери энергии в диэлектрике:

1. Нагрев за счёт протекания тока сквозной проводимости;

2. Потери энергии за счёт замедленных видов поляризации.

Параметры диэлектриков: - электрическая прочность - тангенс угла диэлектрических потерь - чем он выше, тем диэлектрик хуже - диэлектрическая проницаемость - характеризует степень поляризации - удельное сопротивление - поверхностное сопротивление

32. ДИАМАГНЕТИКИ, ПАРАМАГНЕТИКИ И ФЕРРОМАГНЕТИКИ. Диамагнетики (золото, серебро, газы (кроме О2) Слабо намагничиваются. Магнитная проницаемость вещества чуть меньше 1. Ослабляют магнитное поле. Парамагнетики (алюминий, вольфрам, щелочные металлы, платина) Слабо намагничиваются. Магнитная проницаемость вещества чуть больше 1. Ферромагнетики (железо, никель, техническая сталь).

Магнитная проницаемость в разы больше 1. Усиливают магнитное поле.

33. КОЛИЧЕСТВЕННЫЕ ПАРАМЕТРЫ МАГНЕТИКОВ.