- •1.Классификация состояний технических объектов
- •2.Системы технического зрения. (Схема и способы сегментации) стз
- •3 Системы технического зрения. (Сравнение изображения с эталоном и топографи-
- •4. Техническия диагностика (тд) на различных стадиях жизненногоцикла смэ.
- •5 Общая классификация методов нк(неразрушающего контроля)
- •6.Приборы нк. Приборы визуализации изображений в нк
- •8.Радиоактивные и радиационные методы. (Электронная дефектоскопия – радио-
- •9.Ренгеновская микроскопия.
- •10. Электронная микроскопия (Осовные характеристики и принцип действия).
- •11. Электронная микроскопия. (Просвечивающий микроскоп).
- •Электронная микроскопия. (Растровая микроскопия).
- •Принцип действия ионного микроскопа.
- •Принцип действия туннельного микроскопа.
- •Принцип действия силового микроскопа.
- •Теоретические основы оптических методов нк
- •Классификация оптических методов нк
- •Оптическая (световая) микроскопия.
- •19.Измерительный контроль в оптической (световой) микроскопии (Лазерный сканирующий микроскопы).
- •20 Измерительный контроль в оптической (световой) микроскопии (Телевизионные микроскоп.).
- •21, Прямой контроль в оптической (световой) микроскопии
- •22. Микроинтерферометрия
- •23.Контроль толщины диэлек плёнок интерференц методами
- •24.Голографическая интерферометрия.
- •25. Разновидности спектральных методов нк:
- •26. Спектральные приборы
- •27. Фурье спектрометры
- •28.Эллипсометрия. (Поляризация света)
- •29. Эллипсометрия. (Контроль тонкоплёночных структур)
- •30. Эллипсометрия (Элипсометр)
- •31. Эллипсометрия. (Микроскоп)
- •32. Классификация методов тепловой дефектоскопии
- •33. Модель активного теплового контроля.
- •34. Модель пассивного теплового контроля
- •35. Оптическая пирометрия.
- •36. Приборы теплового контроля.
- •37. Системы прямой визуализации тепловых полей.
- •38. Системы промышленного тепловидения.
- •39. Радиоволновые методы нк.
- •40. Нк с использованием вихревых токов.
- •41. Акустические методы и средства нк. (Акустическая дефектоскопия.)
- •42. Акустические методы и средства нк. (Акустическая эмиссия)
- •43. Акустические методы и средства нк .(Методы акустографии.)
- •44. Акустические методы и средства нк .(Методы акустодефектоскопии.)
- •45. Акустическая микроскопия.
- •Акустоголографическая и лазерная система диагностирования.
- •Магнитные методы нк и дефектоскопии.(Принципы магнитной дефектоскопии.)
- •Магнитные методы нк и дефектоскопии.(Этапы методов магнитной дефектоскопии.)
- •1.Циркулярное намагничивание
- •2.Продольное намагничивание
- •3.Комбинированное намагничивание герца до 50...100 Гц
- •Магнитные методы нк и дефектоскопии.(Дефектоскопы.)
- •Магнитные толщиномеры.
- •Приборы для исследования и контроля структуры и характеристик ферромагнитных материалов
- •Электрические методы нк и дефектоскопии.(Электроразрядный метод дефектоскопии.)
- •Электропараметрические методы нк и диагностики радиоэлементов.(Оценка по уровню третьей гармоники.)
- •Электропараметрические методы нк и диагностики радиоэлементов.(Оценка по уровню собственных шумов.)
- •56. Автоматизированные компьютер системы для нк. (рентгеновск томограф)
- •58, Осн принцип поиска неисправностей в рэс с приведенной последовательной структурой.
- •59 Оптимизация комбинир поиска неисправн по относит вероятностям сост
- •62. Поиск неисправностей в сложных аналоговых структурах с использованием их структурных моделей.
- •Р ис. 13.13. Функциональная модель рэс с разветвлённой структурой
- •64. Разновидность цифровых устройств и их неисправностей.
- •65. Функциональный и тестовый контроль цифровых устройств.
- •66. Поиск неисправностей в комбинационных схемах методом активизации одномерного пути
- •67. Диагностика цифровых устройств методом логического анализа
- •68. Диагностика цифровых устройств методом сигнатурного анализа.
- •69.Особенности внутрисхемного (поэлементного) контроля цифровых устройств. Диагностика и отладка цифровых устройств методом внутрисхемной эмуляции.
- •70.Встроенный контроль и диагностика цифровых устройств. (Схемы контроля с избыточным дублированием аппаратной части иизбыточным кодированием операций.)
- •71.Встроенный контроль и диагностика цифровых устройств. (Метод псевдодублирования)
- •73. Методы поиска неисправностей (Метод внешних проявлений)
- •74. Методы поиска неисправностей (Метод анализа монтажа)
- •75. Методы поиска неисправностей (Методы измерений и чёрного ящика)
- •76. Методы поиска неисправностей (Метод замены)
- •77. Методы поиска неисправностей (Метод воздействия)
- •78. Методы поиска неисправностей (Методы электропрогона и простукивания)
- •79. Методики регулировки смэ.
- •80. Виды ремонта.
- •81. Системы автоматизации диагностирования.
Электрические методы нк и дефектоскопии.(Электроразрядный метод дефектоскопии.)
Электроразрядный метод контроля микронеровностей поверхности электропроводящего изделия основан на явлении возникновения тлеющего разряда, сопровождаемого свечением на островыступающих участках поверхности изделия, находящегося под высоким потенциалом (рис. 11.1). Исследуемый объект 1 помещается на электропроводящий столик 2, к которому подведён высокий потенциал. Над объектом помещается кювета 3 из прозрачного пластика с электропроводящей прозрачной жидкостью (водный раствор поваренной соли). К кювете подводится электрический потенциал, противоположный по знаку с помощью винтов 4, над поверхностью объекта в определённых его точках, наиболее близко расположенных к кювете, возникает свечение, связанное с ионизацией электростатического промежутка между объектом и кюветой вследствие тлеющего разряда. Распределение яркости свечения соответствует рельефу поверхности контролируемого объекта, что позволяет оценить качество её обработки и обнаружить дефекты типа трещин и раковин. Это «электрическое» изображение фиксируют с помощью фотоаппарата 7 непосредственно через прозрачную кювету 3.
Достоинства метода - оперативность контроля, бесконтактность.
Недостатки - высокое напряжение (15...20кВ), требующее специальных электробезопасных методов работы.
Рис. 11.1. Схема электроразрядного метода НК:
1 - объект контроля; 2 - устройство подвода потенциала к объекту; 3 - прозрачная кювета с электропроводящей жидкостью; 4 - регулировочные винты; 5 - основание; 6 - высоковольтный источник питания; 7 - фотоаппарат
Электропараметрические методы нк и диагностики радиоэлементов.(Оценка по уровню третьей гармоники.)
З
начительная
часть дефектов в аппаратуре обусловлена
плохими, ненадёжными электрическими
контактами (холодные пайки, дефекты
контактов реле, дефекты термокомпрессионных
соединений в полупроводниковых приборах
и ИМС). Контакты, осуществляемые через
окисную плёнку или плёнку интерметаллических
соединений и контакты с малым контактным
давлением, эффекивная площадь которых
непостоянна, как правило имеют существенно
нелинейную вольт-амперную характеристику,
т.к. величина их проводимости зависит
от тока, протекающего через контакт
(рис. 11.3). На этом базируется методика
оценки работоспособности некоторых
радиоэлементов по уровню третьей
гармоники тока. Здесь идёт речь не о
флуктуациях проводимости зоны контакта,
а о функциональной зависимости среднего
значения этой проводимости от тока.
Рис. 11.3. Контроль нелинейности электрической цепи (пассивных
радиоэлементов, контактных соединений) по уровню третьей гармоники
Р
ис.
11.4. Идеальная ВАХ диода
При подаче синусоидального напряжения на участок цепи, имеющей строго постоянное сопротивление, ток, протекающий через элемент, тоже будет строго синусоидальным (рис. 11.3). Несинусоидальность тока при подаче на участок цепистрого синусоидального напряжения свидетельствует о том, что в цепи имеется переменное, зависящее от тока, сопротивление. Это в свою очередь говорит о том, что в цепи имеется ненадёжный контакт, представляющий собой источник нелинейности. Степень искажения синусоиды можно оценить по доле гармоник в спектре кривой тока (рис. 11.5). Обычно для этого используется третья гармоника. Недостаток метода заключается в том, что по регистрируемой нелинейности трудно отличить нелинейность, вызванную плохим контактом, от нелинейности, вызванной естественной нелинейностью активных элементов ИС (диодов и транзисторов). Поэтому этот метод получил наибольшее применение для оценки качества резисторов. В проволочных резисторах дефекты чаще всего возникают в месте контакта резистивной проволоки с выводом, а в металлодиэлектрических -в месте контакта резистивной плёнки с выводным колпачком либо в местах локальных неоднородностей плёнки. Эти места перегружаются из-за локальных уменьшений проводящего сечения при работе резистора, что и является причиной нелинейности вольт-амперной характеристики.
