- •А.Н. Игнатов
- •Полевые транзисторы
- •И их применение
- •В технике связи
- •Монография
- •Предисловие
- •1. Общие сведения о полевых транзисторах
- •1.1. Классификация пт
- •1.2. Терминология и обозначения в системе параметров пт
- •1.3. Типы, характеристики и свойства пт
- •1.3.1. Общие сведения
- •1.3.2. Типы полевых транзисторов
- •1.3.3. Статические характеристики
- •1.3.4. Механизмы пробоя пт
- •1.3.5. Радиационная стойкость пт
- •1.3.6. Светочувствительность пт
- •1.3.7. Влияние температуры на характеристики пт
- •1.4. Модели пт и анализ эквивалентных схем пт
- •1.4.1. Общие сведения
- •1.4.2. Параметры пт на низких частотах
- •1.4.3. Параметры пт на высоких частотах
- •1.5. Основные режимы работы пт
- •1.6. Способы аппроксимации характеристик передачи пт
- •1.7. Особенности технологии и технико-экономические показатели производства пт
- •1.8. Перспективные области использования пт в технике связи
- •1.8.1. Общие сведения
- •1.8.2. Использование пт в качестве управляемых сопротивлений
- •1.8.3. Использование пт в ключевом режиме
- •1.8.4. Использование пт в режиме усиления
- •1.8.5. Использование пт в режиме с прямыми токами затвора
- •1.8.6. Использование пт в режиме пробоя
- •1.8.7. Использование пт в оптоэлектронных приборах
- •1.8.8. Использование пт в интегральных схемах
- •2.2. Регулировка коэффициента передачи изменением крутизны полевого транзистора в пологой области
- •2.3. Регулировка коэффициента передачи изменением проводимости канала в крутой области
- •2.4. Взаимосвязь параметров полевых транзисторов
- •2.5. Диапазон регулирования крутизны проводимости пт
- •2.6. Синтез регулировочных характеристик пт работающих в пологой области характеристик
- •2.7. Синтез регулировочных характеристик пт работающих в крутой области характеристик
- •2.8. Способы улучшения качественных показателей регуляторов усиления на пт
- •2.9. Методика расчета и исследование регуляторов усиления на пт
- •2.10. Динамические характеристики регуляторов на пт
- •2.11.2 .Применение пт в регуляторах тембра
- •2.11.3. Портативный приемник с высокоэффективной ару на пт
- •2.11.4. Экспандер на полевом транзисторе
- •2.11.5. Расчет авторегулятора уровня на пт
- •2.11.6. Усилитель с электронной регулировкой коэффициента передачи с помощью пт
- •2.11.7. Автогенератор с чм на пт
- •2.11.8. Диапазонный генератор с ам, широкополосный чм и электронной перестройкой частоты
- •3. Свойства и применение пт в ключевом режиме
- •3.1. Особенности работы пт в ключевых схемах аналоговых сигналов
- •3.2. Особенности работы пт в ключевых схемах дискретных сигналов
- •3.3. Параметры в ключевом режиме
- •3.4. Принципы построения ключевых схем на пт и особенности их расчета
- •3.5. Схемы управления ключами на пт
- •З.6. Показатели качества ключей на пт
- •3.7. Сравнение ключевых свойств полупроводниковых элементов
- •3.8.2. Применение пт в коммутаторе для центральной
- •3.8.3. Коммутатор на пт для системы передачи телеметрической информации
- •3.8.4. Некоторые применения ключевого режима работы пт в устройствах связи
- •3.8.5. Применение пт в устройстве автоматического контроля параметров радиовещательного тракта и автоматического перехода на резерв
- •4. Анализ свойств и возможностей применения пт в режиме усиления
- •4.1. Анализ нелинейных свойств пт
- •4.2. Оценка нелинейности характеристик передачи отечественных пт
- •4.3. Источники шумов пт
- •4.4. Определение шумовых параметров пт
- •4.5. Сравнение активных компонентов по уровню собственных шумов
- •4.6. Оптимизация параметров усилительных каскадов на пт
- •4.7.2. Применение пт в малошумящих усилителях
- •4.7.3. Применение пт в активных фильтрах
- •4.7.4. Каскады радиоприемников на пт в режиме усиления
- •5.2. Теория затворного детектора
- •5.3. Методика расчета затворного детектора
- •Исходные данные для расчета детектора
- •Порядок расчета
- •5.4. Анализ свойств пт в комбинированном режиме
- •5.5. Методика расчета каскада с пт в комбинированном режиме
- •5.6. Способы использования пт в комбинированном режиме
- •5.7. Практические схемы устройств техники связи с пт в режиме с прямыми токами затвора
- •5.7.1. Преобразователи длительности импульсов на пт
- •5.7.2. Электронное реле времени пригодное для интегрального исполнения
- •5.7.3. Устройство селективного вызова
- •5.7.4. Приемник многочастотного селективного вызова
- •5.7.5. Устройство контроля нескольких параметров по двум проводам
- •5.7.6. Вольтметры с пт в режиме с прямыми токами затвора
- •6. Полевые транзисторы для силовой электроники
- •6.1. Мощные полевые транзисторы
- •6.2 Транзисторы со статической индукцией
- •6.3. Мощные мдп-транзисторы с вертикальными каналами
- •6.4. Гибридные силовые транзисторы
- •6.5. Применение силовых полевых транзисторов
- •6.6.1. Применение мощных мдп-транзисторов в импульсных источниках питания
- •6.6.2. Усилители мощности на силовых транзисторах
- •7. Наноэлектронные транзисторы
- •7.1. Введение
- •7.2. Нанотранзисторы на основе структур хранения на сапфире
- •7.3. Нанотранзисторы с гетеропереходами
- •7.4. Нанотранзисторы с резонансным туннелированием
- •7.5. Нанотранзисторы на основе нанотрубок
- •Список литературы
1.3.7. Влияние температуры на характеристики пт
Параметры и характеристики ПТ как и любого другого полупроводникового прибора зависят от температуры. Однако влияние температуры проявляется по разному у ПТ с p-n переходом и МДП ПТ.
У ПТ с p-n-переходом с ростом температуры уменьшается контактная разность потенциалов, что способствует увеличению тока стока. Одновременно с повышением температуры уменьшается подвижность носителей в канале, что способствует уменьшению тока стока. При определенном напряжении затвор-исток влияние изменения контактной разности потенциалов и изменения подвижности носителей в канале на ток стока оказывается одинаковым. В этом случае у ПТ с p-n-переходом наблюдается точка температурной стабильности тока стока. Сказанное поясняется с помощью кривых, приведенных на рисунке 1.7. Ориентировочно положение точки температурной стабильности тока стока по характеристике передачи ПТ в пологой области, можно найти, используя соотношение:
UЗТ = [U0-(0,5 ÷ 0,8)] В,
где UЗТ – напряжение затвор-исток в точке температурной стабильности тока стока.
Рис. 1.7. Передаточные характеристики полевого транзистора с p-n переходом при разных температурах.
Из приведенного выражения следует, что у ПТ с p-n переходом, имеющих напряжение отсечки 0,5 ÷ 0,8 В, от температуры не будет зависеть максимальный ток стока. Эту особенность целесообразно использовать при разработках малосигнальных усилителей на ПТ. Однако при этом необходимо помнить, что в точке температурной стабильности тока стока не гарантируется температурная стабильность крутизны.
У транзисторов со структурой МДП p-n-переход подложка-канал оказывает меньшее управляющее действие на ток стока. Под действием температуры изменяется напряжение затвор-исток, изменяется подвижность носителей в канале и концентрация носителей за счет ионизации поверхностных уровней. Эти явления так же, как и у ПТ с p-n-переходом, обуславливают при определенном режиме работы появление точки температурной стабильности тока стока у МДП ПТ.
Типовые зависимости тока стока и крутизны от температуры МДП ПТ типа КП305 приведены на рисунке 1.8.
Рис. 1.8. Типовые зависимости тока стока и крутизны от температуры
МДП ПТ типа КП305
С ростом температуры у ПТ с p-n-переходом возрастает обратный входной ток. У кремниевых ПТ с p-n-переходом ток увеличивается примерно в два раза при нагревании на 10°C. Это приводит к существенному уменьшению входного сопротивления ПТ с p-n-переходом при повышении температуры. При отрицательных температурах токи затвора малы и практически не меняются. Это объясняется наличием линейного сопротивления утечки между затвором и корпусом прибора. МДП ПТ имеют, обычно, существенно меньшие токи утечки, что обусловлено наличием между затвором и каналом слоя диэлектрика.
Типовые зависимости токов затвора от температуры окружающей среды для ПТ с p-n-переходом типа КП103 и МДП ПТ типа КП305 приведены на рисунке 1.9.
Рис. 1.9. Типовые зависимости токов затвора от температуры окружающей среды для ПТ с p-n-переходом типа КП103 и МДП ПТ типа КП305
