- •Схемотехника 1
- •1 Электронды аспаптар жайлы жалпы түсінік
- •1.1 Шалаөткізгішті аспаптар
- •1.2 Металл-шалаөткізгіш байланыстар
- •1.3 Шалаөткізгішті диодтар
- •1.4 Биполяр транзисторлар
- •1.5 Транзистор көмегімен күшейту
- •1.6 Өрістік транзисторлар (өт)
- •2.1.1 Дифференциалдық күшейткіштің жұмыс істеу режимдері.
- •2 .1.2 Тұрақты ток генераторлы диффузиялық күшейткіш.
- •2.1.3 Дифференциалдық күшейткіштер сұлбаларының әртүрлігі.
- •2.1.4 Динамикалық жүктемелі дифференциалдық күшейткіш.
- •2.2 Күшейткіштердің шығыс каскадтары
- •2 .2.1 Қарапайым екітактілі сұлба.
- •2.2.2 Жеке бастапқы ығысулы қуат күшейткіш.
- •2.3.1 Операциялық күшейткіштердің қажеттілігі және негізгі параметрлері.
- •2.3.2 Екікаскадты операциялық күшейткіш.
- •2.3.3 Сыртқы тізбектер.
- •2.3.4 Терістейтін операциялық күшейткіш.
- •2 .3.6.3 Инвертирлеуші дифференциатор (2.19 суретті қара). Rос арқылы жүретін ток , с сыйымдылық жүрген ток . Кіріс тогы нөлге тең болғандықтан,
- •3.2.1 Қисындық интегралдық микросұлбалардың тиекті параметрлері.
- •3.2.2 Диодты-транзисторлық логика – дтл сұлбасы.
- •3.2.3 Транзисторлы-транзисторлық логикалы-ттл сұлбасы.
- •3.2.3.1 Қарапайым инверторлы транзисторлы-транзисторлық логикалы ттл сұлбасы.
- •3 .2.3.2 Күрделі инверторлы ттл сұлбасы тл сұлбасы (3.11 суретті қара) екі бөліктен тұрады:
- •3.2.4 Эмиттерлі байланысқан логика эбл – сұлбалары.
- •3.2.4.1 Эбл сұлбаларының ерекшеліктері .
- •3.2.4.2 Ток ауыстырып қосқыш.
- •3.2.4.3 Эбл базалық сұлбасының жұмыс істеу қағидасы.
- •3.2.5 Өрістік транзисторлардағы қисындық элементтер.
- •3 .2.5.1 Мдш –тің қисындық элементтері.
- •3.3.2 Дешифратор.
- •3.3.2.2 Матрицалық дешифраторды синтездеу.
- •3.3.3 Шифратор.
- •3.3.4 Мультиплексор
- •3.5 Демультиплексор
- •3.4.2.3 Қозғалу регистрлері.
- •4 Аналогды - сандық және сандық-аналогты түзеткіш
- •4.1 Параллель аст
- •4.2 Тізбектелген аст
- •4.3 Тізбекті пареллель аст
- •4.4 Санды -аналогтық түрлендіргіштер
2 .2.1 Қарапайым екітактілі сұлба.
В класындағы компленетарлық транзисторлардағы қарапайым екітактілі күшейткіштің тірек сызбасын қарастырайық (2.5 суретті қара).VT1 – n-p-n,VT2 – p-n-p–типті транзисторлар.
жүктеме эмиттерлік тізбекке қосылған,
2.5 сурет яғни транзистор ортақ коллекторлы сұлба бойын-
ша қосылған, осыдан осы эмиттерлік қайталағыш токтың жоғары күшейту коэффициентімен қамтамасыз етілген қуат бойынша үлкен күшейту береді. Тыныштық режимінде екі транзистор да жабық, өйткені Uэб = 0 ( В-класы).
Кіріске айнымалы кернеудің оңжартытолқынын берген кезде VT1 – ашылады, VT2 – жабылады. Ток +Е1 ‑ КЭ1 ‑ Rж ‑ – Е1 ағады.
А
йнымалы
кернеудің теріс жартытолқынын берген
кезде VT1 –
жабылады. VT2 –
ашылады. Ток +Е2 ‑ Rж ‑ЭК2 ‑
– Е2 ағады.
Сонымен, сұлба екі тактіде жұмыс
істейді: бірінші тактіде VT1 ашылады,
екіншіде ‑ VT2,
яғни, күшейткіштің шығысында екіполярлық
сигнал пайда болады. Қуат бойынша күшейту
коэффициенті
.
Бірақ
сұлбаның кемшілігі оның сызықты емес
өзгерістерінің коэффициентінің жоғары
болуында. 2.6 суретте
біріктірілген
жеткізу сипаттамасы келтірілген.
Шығыстағы оң және теріс жартытолқынды ұзақтығы сигналдың жарты
2.6 сурет
периодынан аз (синусоиданың жартысы күшейтілмейді). Шығыс тогы Iэ импульсті сипатта болады, яғни өз спектрінде жоғары гармониктердің көп санына ие. Бұл әсіресе Uшығ өте аз болғанда айқын көреді.
2.2.2 Жеке бастапқы ығысулы қуат күшейткіш.
К
ернеу
деңгейі ығысу сызбасындағы сызықты
емес өзгерістерді жою үшін транзисторлардың
базасына жеке ығысу енгізіледі (2.7
суретті қара). VD1 және
VD2 диодтарда
пайда болған U*
кернеудің түсуі координат
басынан VТ1 транзисторының
жұмыс нүктесін солға, ал VT2 –
оңға ығыстырады
2.7 сурет
Жеткізу
сипаты түзу сызық
болады.
Осыдан сызықты емес өзгерістер азаяды.
Бұл диодтар әрқашан ашық, себебі қуат
көздерінің жалпы кернеуі
әрқашанда
кіріс сигналынан қарағанда көп.
2.8 сурет
Базалық тізбектегі кернеу бөлгіштікті трансформаторларсыз қуат күшейткішінің түрлерін қарастырайық (2.9 суретті қара). Мұндай сұлба қосымша симметриялы сұлба деп
аталады. Мұнда R1, R2, R3 – АВ класындағы
2.9 сурет ығысу тудыру үшін қажетті кернеу бөлгіш.
Мына
шарт орындалуы керек
.
Ортадағы нүктенің потенциалы нөлге
тең.
Екі транзистордың да базаларын айнымалы ток бойынша қысқартылған деп есептеуге болады және базалардың біреуіне кіріс кернеуін беру керек. Сигнал бір база бойынша екі транзисторға берілгендіктен, онда олар кезекпен істейді. R2 орнына көбінесе диодтар орнатады. Әр диодқа U*= 0,7 В кернеу келеді, ол АВ класының режимін қамтамасыз ететін ығысу тудырады.
Транзисторларды қосу сызбасы-ортақ коллекторлармен.
2.3 Операциялық күшейткіш
