- •Схемотехника 1
- •1 Электронды аспаптар жайлы жалпы түсінік
- •1.1 Шалаөткізгішті аспаптар
- •1.2 Металл-шалаөткізгіш байланыстар
- •1.3 Шалаөткізгішті диодтар
- •1.4 Биполяр транзисторлар
- •1.5 Транзистор көмегімен күшейту
- •1.6 Өрістік транзисторлар (өт)
- •2 .1.2 Тұрақты ток генераторлы диффузиялық күшейткіш.
- •2.1.1 Дифференциалдық күшейткіштің жұмыс істеу режимдері.
- •2.1.3 Дифференциалдық күшейткіштер сұлбаларының әртүрлігі.
- •2.1.4 Динамикалық жүктемелі дифференциалдық күшейткіш.
- •2.2 Күшейткіштердің шығыс каскадтары
- •2 .2.1 Қарапайым екітактілі сұлба.
- •2.2.2 Жеке бастапқы ығысулы қуат күшейткіш.
- •2.3.1 Операциялық күшейткіштердің қажеттілігі және негізгі параметрлері.
- •2.3.2 Екікаскадты операциялық күшейткіш.
- •2.3.3 Сыртқы тізбектер.
- •2.3.4 Терістейтін операциялық күшейткіш.
- •2 .3.6.3 Инвертирлеуші дифференциатор (2.19 суретті қара). Rос арқылы жүретін ток , с сыйымдылық жүрген ток . Кіріс тогы нөлге тең болғандықтан,
- •3.2.1 Қисындық интегралдық микросұлбалардың тиекті параметрлері.
- •3.2.2 Диодты-транзисторлық логика – дтл сұлбасы.
- •3.2.3 Транзисторлы-транзисторлық логикалы-ттл сұлбасы.
- •3.2.3.1 Қарапайым инверторлы транзисторлы-транзисторлық логикалы ттл сұлбасы.
- •3 .2.3.2 Күрделі инверторлы ттл сұлбасы тл сұлбасы (3.11 суретті қара) екі бөліктен тұрады:
- •3.2.4 Эмиттерлі байланысқан логика эбл – сұлбалары.
- •3.2.4.1 Эбл сұлбаларының ерекшеліктері .
- •3.2.4.2 Ток ауыстырып қосқыш.
- •3.2.4.3 Эбл базалық сұлбасының жұмыс істеу қағидасы.
- •3.2.5 Өрістік транзисторлардағы қисындық элементтер.
- •3 .2.5.1 Мдш –тің қисындық элементтері.
- •3.3.2 Дешифратор.
- •3.3.2.2 Матрицалық дешифраторды синтездеу.
- •3.3.3 Шифратор.
- •3.3.4 Мультиплексор
- •3.5 Демультиплексор
- •3.4.2.3 Қозғалу регистрлері.
- •4 Аналогды - сандық және сандық-аналогты түзеткіш
- •4.1 Параллель аст
- •4.2 Тізбектелген аст
- •4.3 Тізбекті пареллель аст
- •4.4 Санды -аналогтық түрлендіргіштер
2.1.3 Дифференциалдық күшейткіштер сұлбаларының әртүрлігі.
ДК сұлбаларының әртүрлерін қарастырудың негізгі міндеттері күшейткіштің күшейту коэффициентін және кіріс кедергісін арттыру болып табылады. ДК сұлбаларының келесі түрлері қолданылады:
а) ДК кірістеріне құрама транзисторлар (Дарлингтон жұбы), олардың кіріс кедергісі әлдеқайда жоғары және токты жеткізу коэффициенті екі транзистордың ток жеткізу коэффициентінің көбейтіндісіне тең;
б) ДК кірістеріне эмиттерлік қайталағыштар қойылады, олардың кіріс кедергісі жүздеген килоОм болып келеді;
в) Кірістерінде өріс транзисторлары бар ДК;
г) динамикалық жүктемелі ДК.
2.1.4 Динамикалық жүктемелі дифференциалдық күшейткіш.
Күшейткіштің күшейту коэффициенті Ku арттыру үшін Rк коллекторлық жүктемені арттыру қажет, бірақ онда қуат көзінен кернеуі Ек арттыруға тура келеді. Интегралдың сұлбаларда Rк арттыру микросұлба габариттерін және ауданын арттыруға әкеледі. Сондықтан, ИС –да динамикалық жүктеме қолданылады, яғни Rк1 және Rк2 резисторларының орнына VТ3 және VТ4, транзисторлары қойылады, олар тұрақты ток бойынша төмен кедергіге, ал айнымалы ток бойынша жоғары кедергіге ие болады. VТ3 және VТ4 транзисторлары тиектіге қатысты қарама-қарсы полярлылыққа ие болды ( 2.4 суретті қара)
VT1 және VT2 (n-p-n-типті) транзисторлары – тиекті, VТ3 және VТ4 (n-p-n-типті) транзисторлары – коллекторлық жүктеме. Бұл транзисторлар коллекторлармен жалғанған. VТ3 транзисторлары диодтың жалғауда қолданылады. Эмиттерлік тізбекте тұрақты ток генераторы (ТТГ) синфазалық сигналдың сұлбаға әсерін азайту үшін қойылады.
ДК кірісі-дифференциалды, шығысы – біртактілік.
V
Т3 және
VТ4,
транзисторлары токтың айна сұлбасы
бойынша қосылған. Iк1 тогы VТ3 арқылы
ағып VТ3 және
VТ4 транзисторларының
базаларында бірдей ығысулар
тудырады, Uбэз = Uбэ4.
Сондықтан да, Iк4= Iк3,
ал Iк3 тогы Iк1 тогынікі
болып есептеледі. Сонымен, Iк4=Iк1.
VТ1 тогының өзгерісін VT4 қайталайды, яғни VТ4 толығымен Iк1 қайталайды, сондықтан да VТ3
және VТ4 жұбы токты айна деп
аталады.
2.4 сурет
және
Кu табамыз. Кіріске
ec сигналы
берілсін делік. База токтарының
өзгерісі
.
Сонда, коллектор токтары
.
к
болғандықтан,
ендеше
.
ДК шығысындағы ток.
.
ДК шығысындағы токb есе
күшейтілген және екі еселенген көрініп
тұр.
Шығыс
кернеуі ДК
,
мұндағы
-
каскадтың шығыс кедергісі.
ДК
күшейту коэффициент
.
кезде,
.
кедергісі бірнеше жүздеген килоом болуы мүмкін, осыдан кернеу бойынша күшейту коэффициенті бірнеше жүзге немесе мыңға жетуі мүмкін.
Сонымен, токтар шағымдырғыш кернеу бойынша жоғары күшейту коэффициентін алуға және біртактілі шығыстағы сигналды екі еселеуге мүмкіндік тудырады.
2.2 Күшейткіштердің шығыс каскадтары
Шығыс каскадтары – бұл қуат күшейткіштері. Олар ең үлкен мүмкін ПӘК және ең төмен сызықты емес өзгерістерде жүктемеде ең үлкен қуат алу үшін қолданылады.
Микроэлектроникада А класы ПӘК төмен болуына байланысты сирек қолданылады. Ең көп тараған В және АВ класындағы екітактылы күшейткіштер.
