2. Технология проектирования элементов электронных систем эпс

2.1. Математические модели сапр электронных систем (общие положения)

8. Задание {{ 8 }} ТЗ 8 Тема 1-2-2

Выбрать ПРАВИЛЬНЫЕ ответы.

Параметры математических моделей электронных систем (ЭС) это

Внутренние.

Внешние.

Промежуточные.

Выходные.

Фазовые.

Векторные.

Факторные.

9. Задание {{ 9 }} ТЗ 9 Тема 1-2-2

Соответствие названия параметров математических моделей электронных систем (ЭС) их определениям:

Выходные.	Параметры, относящиеся к основной сущности объекта моделирования.
Векторные.	Совокупность характеристик среды, действующей на объект и изменяющей его параметры.
Внутренние.	Совокупность характеристик объекта, реализующих основную задачу моделирования.
Внешние.

10. Задание {{ 10 }} тз 10 Тема 1-2-2

Выбрать правильный ответ.

Уравнения для описания объекта, существующего во внешней среде, с помощью внешних, внутренних и фазовых параметров это

Топологические.

Компонентные.

Дискретные.

Разностные.

11. Задание {{ 11 }} тз 11 Тема 1-2-2

Выбрать ПРАВИЛЬНЫЕ ответы.

Классификация математических моделей ЭС по способу создания

Физические.

Факторные.

Фазовые.

Формальные.

Статические.

12. Задание {{ 12 }} тз 12 Тема 1-2-2

Соответствие названия классификационных признаков моделей электронных систем ЭС их определениям:

Формальные.	Уравнения моделей вытекают из основных законов, описывающих данную ЭС.
Функциональные.	Модели ЭС описываются как «чёрные ящики» - на вход подаются наборы воздействий, а с выхода снимаются соответствующие им результаты.
Физические.	Модели описывают работу ЭС и необходимы для отладки схем, их оптимизации и модернизации.

13. Задание {{ 13 }} ТЗ 13 Тема 1-2-2

Выбрать правильный ответ.

Математические модели, которые описывают работу ЭС и необходимы для отладки схем, их оптимизации и модернизации это

Функциональные модели.

Конструкционные модели.

Технологические модели.

Топологические модели.

14. Задание {{ 14 }} ТЗ 14 Тема 1-2-2

Выбрать ПРАВИЛЬНЫЕ ответы.

Базовые элементы в САПР электронных систем (ЭС) это

Индуктивность.

Триггер.

Конденсатор.

Источник тока.

Операционный усилитель.

Логический элемент 2И-НЕ.

2.2. Функциональные модели (резистор конденсатор транзистор диод).

15. Задание {{ 15 }} ТЗ 15 Тема 1-2-3

Соответствие названия базовых элементов САПР ЭС их уравнениям во временной области:

Резистор (управляемый током)	U = R(i) i
	U = 1 / C (d i / d t)
Источник напряжения (управляемый током)	U = E(i)
Конденсатор (линейный)	U = C (d i / d t)

16. Задание {{ 16 }} ТЗ 16 Тема 1-2-3

Соответствие названия базовых элементов САПР ЭС их уравнениям во временной области:

	U = L(i) (d i / d t)
	U = 1 / C(u) (d i / d t)
Источник напряжения (управляемый напряжением)	U = E(u)
Индуктивность (управляемая током)	U = L (d i / d t)
Конденсатор (управляемый напряжением)

17. Задание {{ 17 }} ТЗ 17 Тема 1-2-3

Выбрать ПРАВИЛЬНЫЕ ответы.

Компонентные уравнения пленочного РЕЗИСТОРА это (где R0 – удельное сопротивление пленки; E – диэлектрическая проницаемость; l, h, d – длина, ширина, толщина пленки соответственно; i – ток через элемент; L – индуктивность элемента)

R = R0 (l / h).

Cк = E (l h) / d.

Rв = R0 (2 l / h).

Cв = E (h d) / l.

С = E (l h) d.

U = i R + L (d i / d t).

18. Задание {{ 18 }} ТЗ 18 Тема 1-2-3

Выбрать ПРАВИЛЬНЫЕ ответы.

Компонентные уравнения пленочного КОНДЕНСАТОРА это (где R0 – удельное сопротивление пленки; E – диэлектрическая проницаемость; l, h, d – длина, ширина, толщина пленки соответственно; i – ток через элемент; L – индуктивность элемента)

R = R0 (l / h).

Cк = E (l h) / d.

Rв = R0 (2 l / h).

Cв = E (h d) / l.

С = E (l h) d.

U = i R + L (d i / d t).

19. Задание {{ 19 }} ТЗ 19 Тема 1-2-3

Выбрать правильный ответ.

Модель биполярного транзистора по Эберсу-Моллу включает следующие элементы (в схеме замещения)

Три источника напряжения.

Сопротивление p-n переходов (2 шт.).

Паразитные индуктивности выводов (3 шт.).

Три источника тока.

Емкости выводов транзистора (3 шт.).

20. Задание {{ 20 }} ТЗ 20 Тема 1-2-3

Выбрать правильный ответ.

Модель биполярного транзистора по Эберсу-Моллу включает следующие элементы (в схеме замещения)

Три источника напряжения.

Сопротивление p-n переходов (3 шт.).

Паразитные индуктивности выводов (3 шт.).

Два источника тока.

Емкости выводов транзистора (3 шт.).

21. Задание {{ 21 }} ТЗ 21 Тема 1-2-3

Выбрать правильный ответ.

Модель полупроводникового диода по Эберсу-Моллу включает следующие элементы (в схеме замещения)

Источник напряжения.

Источник тока.

Паразитные индуктивности выводов (2 шт.).

Сопротивление p-n переходов (2 шт.).

22. Задание {{ 22 }} ТЗ 22 Тема 1-2-3

Выбрать правильный ответ.

Модель полупроводникового диода по Эберсу-Моллу включает следующие элементы (в схеме замещения)

Источник напряжения.

Барьерную и диффузионную емкости p-n перехода.

Паразитные индуктивности выводов (2 шт.).

Сопротивление p-n переходов (2 шт.).