5.2 Структура CoolMos транзистора

После того как был написан код в DeckBuil запускаем моделирование кнопкой Run. По окончании моделирования строится структура CoolMOS транзистора и выходная характеристика.

Как видно из выходной характеристики CoolMOS транзистора напряжение пробоя равно 670 В.

Рисунок 8 – Структура CoolMOS транзистора

Рисунок 9 – Выходная характеристика CoolMOS транзистора

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В данной работе кратко рассмотрены принцип работы CoolMOS транзистора, его преимущества и применение в современной микроэлектронике.

Для анализа и сравнения была также рассмотрена работа MOSFET транзистора, и сделаны выводы, в силовой электронике, особенно, в мостовых резонансных схемах, наиболее выгоднее использовать CoolMOS транзисторы.

С помощью САПР Silvaco TCAD промоделирована структура CoolMOS транзистора и рассчитана его выходная характеристика.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1 Андреев В.М. Кремниевые структуры для приборов микроэлектроники / В.М. Андреев, Д.В. Зиновьев. – М: МИЭТ, 2006. – 188 с.

2 Гуртов В.А. Твердотельная электроника: Учеб. пособие / В. А. Гуртов. – Москва, 2005. – 492 с

3 Lorenz L. CoolMOS — a new milestone in high voltage Power MOS / L.Lorenz, G. Deboy. - Proc. ISPSD 99. Toronto, 1999. – 124 p.

4 Денисенко В. В. Новые физические эффекты в нанометровых МОП транзисторах. / В.В. Денисенко // Компоненты и технологии. – 2009. – № 100. – С. 157 – 162.