5.1 Сурет - Ортақ бастаумен өрістік транзистор

К _ux=0,8-0.9 бастау қайталағыш,шығыс кедергісі R_вых=10-50 Ом, кіріс кедергісі R_вх=1-10₃ МОм.Өрістік транзистордың ең күшті қасиеті басқарылатын сигнал тоқ емес кернеу.Сол себепті олар шамдарға ұқсас.Өрістік транзисторлар күшейткіштерде, ауыстырып қосу элементтерінде, биполярлы транзисторлармен қоса қолданысқа ие.Транзисторлардың жұмыс істеу принципіне көптеген микросұлбалар негізделген.Кіріс сигналдың жиілігі үлкейген сайын кіріс кедергісінің мәні де үлкейе түседі.Оған сыйымдылық әсерін ескеру керек.Бірнеше ондаған кГц жиілікке жеткенде кіріс кедергісі комплексті бола түседі.

Жұмыстың барысы:

Өрістік транзистордың ОБ-мен күшейткіш сұлбасы 5.3 суретте көрсетілген.VT2 транзисторы 2N4381типті p-n ауысуының p типінде кернеуі U_с<0 және U_зн>0 болғанда жұмыс істейді.Бұл режім тек бір Е2 қорек көзімен жұмыс істейді.

5.3 Сурет - об-мен күшейткіш

0 нүктесінен І_н тогы өткенде транзисторда теріс потенциал туындайды.І_з тогы ағып өтуі үшін жолы ашылады.Ол 0 нүктесінен резистор арқылы Rg және Rs-тең және 0 ге қарай ұмтылады.Нәтижесінде оң потенциал туындайды.р арнасының байланысы кішірейіп R_сн кедергісі арта түседі.ХВ31 характериограф көмегімен алынған 2N4381 тарнзисторның вольт-амперлік сипаттамасы алынған. І_с=(0,4…0,5)6 I _cmax=5,33 mA, және кернеуі U_зи=0,3 B U_зо=0,6 B.I_cmax=12mA, U_зо=1,8 B, R_сн=5 кОм.

R_сн кедергісінің мәнін және тұрақты тоқ мәнін біле отырып ЭДС-тағы керекті кернеу мәнін анықтауға болады.ЭДС үшін керекті І_с=5,33 мА және R_сн=5 кОм (U_зи= 0,6 B)

Е2=1,5 (R_сн*І_с+U_зи)=1,5(5*10³*5,33*10^-3+0,6)=40,9 В.

Е2=40 В деп аламыз.

Керекті U_зи кернеуін І_с=f(U_зи) сипаттамасынан аламыз.

І_с=I_cmax (1- )².

Кернеуі:

U_зи= _.

І_с=5,33 мА, U_зи=1,8-

U_зи/І_с=0,6/(5,33*10^-3)=112,5 Ом

Ең жақын номиналь деп аламыз.

Резистор кедергісін R_gI₃<<U_зи шартынан табамыз.Мұнда I₃ жаппа тогы. R_gI₃ U_зи I₃ ⁸А.

R_g 0,01U_зи I_с ^-8 .

Ең жақын номиналь R_g

R_d кедергісі күшейткіш сұлбасы арқылы анықталады.Е2=( )/I_c+ U_cи

R_d= [Е2=( )/I_c]/ I_c=[40-(5*10³+115)5,33*10^-3]=2,385 кОм.

Номиналь R_d мәнін таңдаймыз R_d Конденсатор сыйымдылығы С=(10….20)(2 ) С=1мкФ деп аламыз.V1 және V2 вольтметр кедергісінің әсерін ескермеу үшін транзистордың ішкі кедергісін 10...100 Ом аралығында аламыз.2.33 сурет параметрлері:

Кіріс кедергісі: = =600 кОм;

Шығыс кедергісі = =2,4 кОм;

Кернеу бойынша күшейту коэффициенті К=SR_ch =11*10^-3*5*10³+2,4*10³/(5*10³+2,4*10³)=17,8

Мұнда S=11 мА/В ал U_зишегі 0,4 пен 0,8 В.

Бақылау сұрақтары:

1.ОБ мен өрістік транзистордағы күшейткіш қалай орындалады?

2.Күшейткіштің АЖС сұлбасы қандай?

3.Кернеу бойынша күшейту коэффициенті қалай есептелінеді?

4.Өрістік транзистордың ОБ-мен сұлбасын сызып көрсет?

№6 Зертханалық жұмыс

Бастау қайталағыш

Жұмыстың мақсаты: Multisim программалық ортасында қайталағыштың жұмысын тексеру

Тапсырмалар:Бастау қайталағыш сұлбасын программалық ортаға салу

Қажетті құрылғылар мен элементтер:

IFRL9017

резистор

конденсатор

XSC1 осциллограф

вольтметр

амперметр

Бастау қайталағыш маркировкасы:

Бірінші символ- әріп (жалпы қолданылатын құрылғы үшін) немесе сан (арнайы қолданылатын құрылғы үшін), транзистордың қай материалдан жасалғанын көрсетеді:Г(1) – германий, К(2) – кремний, А(3) – галий арсенид.

Екінші символ- П әрпі,өрістік транзистор екенін көрсетеді.

Үшінші символ- транзистордың қуатын және жиіліктік сипаттамаларын көрсетеді (6.1 кесте)

6.1 кесте- Транзистор параметрлері

Қуаты	Жиілігі
	Төмен жиілікті		Орташа жиілікті	Жоғары жиілікті
Аз қуатты	КТ1...	КТ2...		КТ3...
Орташа қуатты	КТ4...	КТ5...		КТ6...
Қуатты	КТ7...	КТ8...		КТ9...

Теориялық бөлім

Бастау қайталағышы деп аталу себебі ортақ құймамен жалғанған өрістік транзистордың күшейткіш каскадын айтамыз.RC байланысымен бастау қайталағыш сұлбасы 6.1 суретте келтірілген.Құйма арқылы аз кедергі мәні, құйманың шығыс мәні, ортақ шина арқылы байланысқан кіріс және шығыс мәндеріне ортақ болып келеді.Қарастырылып отырған каскадтың екі негізгі элементтері бар: резистор R және p-n арналы n-арналы өрістік транзистор.