4.3 Сурет - 2n3906 биполярлы транзистор

Кіріс және шығыс тізбегінде ортақ электрод болып табылады.С1 кіріс кернеуі беріледі.Шығыс кернеуі С2 конденсатор арқылы VТ1 коллектор транзисторы мен 0 нүктесі арқылы алынады.

4.2 кесте – Транзистор параметрлері

Транзистор типі	Ukmax(Ucmax) B	Ikmax(Icmax) A	h21э	S, мА/В	Uзо(Uзопор)	Fси гМГц	Rk(Rc)Ом	Рк(Рс)Вт
2N3906	40	0,2	30…300	-	-	250	2,5	0,625
2N4381	-25	0,012	-	-	1,8	-	1,0	-
IRFL9014	-60	-1,8	-	1300	-3,88	-	0,5	3,1
IRF710	400	1,1	-	1000	3,8	-	3,6	36

І_к(І_б) тоқ пен U_k(U_б) кернеуінің тәуелділігін сұлбадағы коллектор кедергісімен анықтаймыз

R_k=E2/I_{k max}=12/(0,2)=60 Ом.

Әдетте R_k кедергісінің мәні 0,2....5 кОм аралығында.Ол әлсіз қуатты транзистор үшін және 100 Ом орташа қуатты транзистор үшін.Тыныштық күйдегі коллектор тогы мен тұрақты кернеуі:

U_kn=E2/2=6 B ;I_kn=(E2-U_kn)/R_k=6/60=100 мА.

Тыныштық күйдегі база тоқ мәні :

I_бn=I_kn/h₂₁=100/135=0,75 мА.

мұндағы, h₂₁=135-тоқ транзисторының тасымалдау коэффициентінің орташа мәні.

U_бn=0,3 В германий транзисторы, U_бn=0,65 В кремний транзисторы үшін.Бұл көрсетілген режим R1 кедергісінің жұмыс істеуін қамтамасыз етеді.

R₁=(Е1- U_бn)/І_бn=(12-0,65)/0,75*10^-3=15 кОм.

Коллекторлы сипаттаманың жұмыс істеу режіміне R_е транзисторы қосылады.

R_е=(0,1…0,2)E1/I_бn=0,2*12/0,075=32 Ом.

І_эn= I_кn=75мА- R_е резистор қосылған кездегі тоқ коллекторының мәні.Тыныш күйдегі база-эмитторның кернеуі

U_БЭn=E1R2/(R1+R2)-R_eI_эn

R2=(0,3...0,5) R1 болатын R2 резисторы қосылған (R2=6 кОм) 0 нүктесінде күшейткіштін ортақ базасын параллельді басамыз.

ОЭ күшейткішінде эмиттерлі стабилизациясының жұмыс істеу режімі: U_к=(2/3)Е1=8 және U_Эn=(1/3)Е1=4В.R1,R_к потенциометр және R_е резистор кедергісін өзгертуге болады.

R_е резистор,С2 конденсатор сыйымдылығының мәні төменгі жиілікте күшейтілетін сигналдың R_е мәнінен кіші болуы керек.С2= 8 мФ,

Х_С1=20/f Ом.Нүкте бойынша І_к(І_б) тогының U_к(U_б) кернеуіне байланысты амплитудалы сипаттамасын алуға болады.Мысалға жиілігі f=1кГц кіріс кернеуі U_вх, R_n= және R_n=1 кОм жүктемесі кезінде R_s=0 және R_s=100 Ом,АС режімінде осциллограф көрсеткішін жазып аламыз (4.4 сурет)

4.4 Сурет - ас режімінде осциллограф көрсеткіші

Графикті қолданып күшейткіштің динамикалық диапазоның D және К₁ тоқтың күшейту коэффициентін табамыз R_s=0,R_s= R_s=100Ом,R_n=1 кОм.

Бақылау сұрақтары:

1.АЖС дегеніміз не?

2.ФЖС дегеніміз не?

3.Биполярлы транзистордың қандай күшейткіштері бар?Оларға жеке-жеке тоқтал?

4.Құрылғы арқылы құрылғының кіріс және шығыс сипаттамасын қалай аламыз?

№5 Зертханалық жұмыс

Ортақ бастаумен өрістік транзистордағы күшейткіш

Жұмыстың мақсаты:Ортақ бастаумен өрістік транзистордағы күшейткішті зерттеу.

Тапсырмалар: 2N4381типті өрістік транзистордың жұмыс істеу режімін бақылау.

Қажетті құрылғылар мен элементтер:

2N4381 транзистор

XSC1 осциллограф

ХВР1 плоттер

Амперметр

Вольтметр

Резистор

Тұрақты қорек көздері

Ортақ бастаумен өрістік транзистор маркировкасы:

Бірінші символ- әріп (жалпы қолданылатын құрылғы үшін) немесе сан (арнайы қолданылатын құрылғы үшін), транзистордың қай материалдан жасалғанын көрсетеді:Г(1) – германий, К(2) – кремний, А(3) – галий арсенид.

Екінші символ- П әрпі,өрістік транзистор екенін көрсетеді.

Үшінші символ- транзистордың қуатын және жиіліктік сипаттамаларын көрсетеді (5.1 кесте)

5.1 кесте – Транзистор параметрлері

Қуаты	Жиілігі
	Төмен жиілікті		Орташа жиілікті	Жоғары жиілікті
Аз қуатты	КТ1...	КТ2...		КТ3...
Орташа қуатты	КТ4...	КТ5...		КТ6...
Қуатты	КТ7...	КТ8...		КТ9...

Теориялық бөлім

Биполярлы транзистордағы сияқты өрістік транзисторда ортақ бастаумен,ортақ жаппамен және ортақ құймамен сұлбалалары бар.Олар қосылу типіне орай осылай аталынады.Ортақ бастаумен күшейткіш сұлбасы 5.2 суретте көрсетілген.Биполярлы транзистордағы ортақ эмиттермен сұлбаға қарағанда өрістік транзисторда күшейткішінде кіріс кедергісі үлкен (10²-10³ кОм).Шығыс кедергісінің мәні 10-100 кОм, ашық жүріс кезінде кернеу бойынша күшейту коэффициенті 10-100 аралығында болады.