3. Задание для выполнения .

1. Для заданного иона химического элемента при ионном ле­гировании кремния (А = 28, Z = 14) определить ядерную и элек­тронную тормозную спо­соб­ности. Плотность кремния 2,34 г/см³ .

2. Определить критическую энергию .

3. Определить значения среднего пробега и дисперсии иона в кремнии и сравнить с табличными данными.

4. Определить дозу облучения для получения .

5. Построить профиль распределения примесей .

6. Найти глубину залегания р-n –перехода.

7. Выбрать плотность ионного тока (J = 0,02 - 20 мкА/см²) и определить время облучения кремния.

8. Определить критический угол каналирования для кремние­вой мишени в градусах.

9. Определить нагрев кремниевой мишени при облучении ио­нами при идеальном теплоотводе и при отсутствии теплового кон­такта с подложкидер­жате­лем ( = 0,5).Температура мишени должна быть меньше температуры плавле­ния кремния ( =1412° С). В противном случае необходимо подобрать другие технологические параметры легирования.

4. Контрольные. Вопросы

1. Преимущества метода ионного легирования в технологии полупровод­ни­ков.

2. Принцип работы устройства для ионной имплантации.

3. Основные технологические параметры ионного легирования.

4. Механизмы энергетических потерь ускоренного иона в твердом теле.

5. Распределение пробегов имплантируемых ионов в аморфном и моно­кристаллическом материалах.

6. Образование р-n –перехода при ионном легировании.

7. Нагрев мишени при ионной имплантации.

8. Каналирование имплантированных ионов в монокристалли­ческих ма­териалах.

9. Аморфизация и рекристаллизация подвергнутого имплан­тации крем­ния.

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1. Черняев В.Н. Физико-химические процессы в технологии РЭА. М.: Высшая школа, 1987. 376 с.

2. Пичугин И.Г., Таиров Ю.М. Технология полупроводнико­вых приборов. М.: Высшая школа, 1984. 288 с.

3. Ефимов И.Е., Козырь И. Я., Горбунов 101 И. Микроэлектро­ника. Физи­ческие и технологические основы, надежность. М.: Выс­шая школа, 1886. 464 с.

4. Попов В.Ф., Горин Ю.Н. Процессы и установки электрон­но-ионной тех­нологии. М.: Высшая школа. 255 с.

5. Броудай И., Мерей Дж. Физические основы микротехноло­гии. М.: Мир, 1985. 496 с

ПРИЛОЖЕНИЕ

Т аблица П.1

Пробеги и дисперсии различных ионов в кремниевой мишени

Примечание. Здесь и даны в нм.

Значения коэффициента f (примесь В, маска )