3. Домашнее задание

3.1. Изучить порядок выполнения лабораторной работы и описание исследуемых схем.

3.2. Изучить теоретический материал по теме лабораторных работ.

3.3. Ознакомиться с виртуальными приборами в среде Multisim, используемыми при выполнении работы.

3.4. Продумать ответы на контрольные вопросы.

4. Порядок выполнения лабораторной работы

Пункты 3.1, 3.1.2, 3.1.3 справедливы для обеих исследуемых схем.

4.1 Включить установку нажатием клавиши «Пуск (F5)» в меню «Моделирование». Выключение производится клавишей «Стоп».

Рис. 3 Меню «Моделирование»

4.1.2. Добавляем измерительный пробник на выход схемы. Его можно найти на панели «Приборы», которая обычно располагается в правой части экрана. При необходимости его можно включить в меню «Вид».

Рис. 4 Измерительный пробник на панели

Рис. 5. Вид измерительного пробника на рабочем листе и примерное место его включения

Далее необходимо нажать правой кнопкой мыши по желтой области измерительного пробника и выбрать пункт «Свойства». Перейти во вкладку «Электрические» и в строке «Частота» в столбце «Знаков» поставить цифру 7.

Рис. 6 Электрические свойства пробника

Это позволяет измерять частоту (до 10 МГц) с точностью до герца.

Для удобства измерения рекомендуется добавить пробник на вход базы транзистора.

4.1.3 Открываем окно осциллографа XSC1. Для этого двойным нажатием левой кнопки мыши на нем, откройте его окно (Рис. 7)

Рис. 7 Осциллограф

Вертикальную и горизонтальную развертку осциллографа можно изменять в нижней части меню (Рис. 8). Устанавливаем режим работы в «AC» на том канале, к которому подключен выход.

Рис. 8 Настройки осциллографа

Для более точного определения значений напряжения можно пользоваться полозком (Рис. 9)

Рис. 9 Полозок осциллографа

4.2 Методика выполнения лабораторной работы для первой схемы.

4.2.1 Для определения зависимостей f(Eс), f(Eк), f(R_н) наведите курсор мыши на источник V₂ и двойным нажатием левой кнопкой мыши откройте его меню (рис. 10).

Рис. 10 Меню источника постоянного напряжения.

В строке «Напряжение» устанавливаем напряжение источника питания 8.2 В. Устанавливаем V₁ = 17.7 В. После ввода напряжений нажимаем кнопку «Ок». Запускаем установку (см. п. 3.1). Ждем установления стабильных колебаний (изменения в частоте не далее чем в последних трех цифрах в графе «Частота/Freq.» на пробнике). С помощью измерительного пробника снимаем значение частоты сигнала. Выключаем установку. Повторяя данный пункт и изменяя значения источника напряжения V₂ в пределах от 8.2 до 9.12 снимаем зависимость f(E_c) и заносим показания в таблицу 1. Значения E_c можно снимать с измерительного пробника на базе транзистора.

Табл. 1. Зависимость f от Е_с

V2, В
Ec, мВ
f, Мгц

4.2.2 Установите на источнике V₂ напряжение 9 В.

4.2.3 Изменяя напряжение на источнике V₁ от 15.7 до 18.6 В с помощью пробника снимать зависимость f(E_k).

Табл. 2. Зависимость f от Ек

V1 (Ек), В
f, Мгц

4.2.4 УстановитеV₁ = 17.7 и V₂ = 9 B. Двойным нажатием левой кнопки мыши зайдите в меню резистора R4. Изменяя значение сопротивления нагрузки (R4) в пределах 3.2-8 кОм с шагом 0.5 кОм снимите зависимость f(R_н).

Табл. 3. Зависимость f от R4

R4 (Rн), кОм
f, Мгц

4.2.5 Установите V₁ = 17.7 и V₂ = 9 B и R4 = 5 кОм. Двойным нажатием левой кнопки мыши зайдите в меню конденсатора С4. Изменяя значение емкости конденсатора (С4) в пределах 10-50 мкФ снимите зависимость f(С4).

Табл. 4. Зависимость f от C4

С4, мкФ
f, Мгц

4.3 Методика выполнения лабораторной работы для схемы с кварцевым резонатором.

4.3.1 Открыть собранную схему с кварцевым резонатором. Необходимо снять зависимости f(Eк), f(R_н) для чего наведите курсор мыши на источник V₁ и двойным нажатием левой кнопкой мыши откройте его меню (рис. 10).

4.3.2 Установить на источнике V₁ напряжение 10 В.

4.3.3 Изменяя напряжение на источнике V₁ от 10 до 10.4 В с помощью пробника снять зависимость f(E_к). Примечание: показания можно снимать только после того, как колебания установятся. Среднее время установления колебаний 10-20 сек.

Табл. 5. Зависимость f от Ек

V1 (Ек), В
f, Мгц

4.3.4 Установить на источнике V1 напряжение 10 В. Изменяя сопротивление нагрузки R₉ от 1 до 5 кОм с помощью пробника снять зависимость f(R_н).

Табл. 6. Зависимость f от R_н

R9 (Rн), кОм
f, Мгц

4.3.5 Установить на источнике V1 напряжение 10 В. Установить R₉ = 1.5 кОм. Изменяя одновременно сопротивления R₄ и R₆ от 9.5 до 10 кОм с помощью пробника снять зависимость f(Е_с). Напряжение на базе рекомендуется измерять с помощью второго канала осциллографа, подключив его к базе транзистора Q2 и для удобства наблюдения поменяв цвет цепи.

Табл. 7. Зависимость f от Е_б

Ec, В
R4, кОм
R6, кОм
f, Мгц