- •Лабораторная работа № 1 Исследование смачиваемости жидкости на поверхности твердого тела оптическим методом теория смачиваемости
- •Коэффициент вытеснения нефти водой по Donaldson”у
- •Лабораторная работа № 2 Дисперсионный анализ низкодисперсных порошков методом седиментации в гравитационном поле
- •Порядок выполнения работы
- •Лабораторная работа № 3
- •Теория роста кристаллов
- •Порядок выполнения работы
- •Лабораторная работа № 4 Определение поверхностного натяжения и изотермы адсорбции пав на тензиометре к-11 теория адсорбции
- •Тем графического определения производной -dσ/dc
- •Верхности твердого тела
- •Тах линейной формы уравнения Ленгмюра
- •Сорбционный слой («частокол Ленгмюра»). Порядок выполнения работы
- •Лабораторная работа № 5 Исследование вязкости и напряжения сдвига жидкости ротационным вискозиметром Rheotest rv2.1
- •С коаксиальными цилиндрами
- •Ротационных вискозиметров:
- •Порядок выполнения работы
- •Ротационный вискозиметр Rheotest rv2.1 с инструкцией
- •Проведение измерений
- •Расчет реологических параметров
- •Лабораторная работа № 6 Исследование вязкости жидкости капиллярным вискозиметром впж при различной температуре порядок выполнения работы
Лабораторная работа № 3
Исследование поверхностной кристаллизации оптическим методом
Цель работы: визуальное наблюдение поверхностной кристаллизации вещества и определение скорости роста отдельных кристаллов.
Теория роста кристаллов
Поверхностные эффекты оказывает существенное влияние на все процессы в дисперсных системах и, в частности, на фазовые переходы из жидкого в твердое состояние.
Зарождение новой кристаллической фазы происходит при метастабильном состоянии системы за счет локального флуктуационного переохлаждения жидкой фазы и пересыщения раствора. Возможен гомогенный (в объемной фазе) или гетерогенный (на поверхности раздела фаз с центрами адсорбции) рост новой фазы, при этом энергия образования зародыша при гетерогенном зарождении значительно ниже, чем при объемной кристаллизации. Различают докритический, критический (rк) и сверхкритический размер зародышей. Движущей силой процесса кристаллизации веществ является разность химических потенциалов между зародышем и исходной фазой. Флуктуационное зарождение новой фазы связано с изменением свободной энергии Гиббса (G):
, (3)
где - удельная свободная энергия; r – радиус зародыша; Vm –молярный объем твердой фазы.
Кристаллизация становится возможной, если ΔG<0. Зависимость энергии Гиббса G(r) имеет экстремум при r=rк, которому отвечает состояние неустойчивого равновесия между зародышем и исходной фазой. Размер критического зародыша
. (4)
Для его возникновения необходимо затратить работу Wк :
. (5)
Чем больше разность химических потенциалов , тем ниже высота энергетического барьера Wк и выше вероятность появления критического зародыша. После присоединения к нему одного или нескольких атомов его рост становится необратимым и он переходит в закритическую область размеров (r>rк). Суммарная скорость (интенсивность) I образования устойчивых закритических центров кристаллизации в единице объема описывается выражением
, (6)
где -скорость роста критического зародыша; z- неравновесный фактор; N-концентрация молекул; Еа–энергия активации перехода молекул из объемной среды.
Дальнейший рост сверхкритического зародыша определяется скоростью массопереноса строительного материала из объема исходной маточной фазы к центру кристаллизации. Интенсивность доставки Im вещества по диффузионному механизму описывается первым законом Фика:
, (7)
где Dtr– коэффициент трансляционный диффузии; dc/dx –градиент кон-центрации молекул парафина в выбранном направлении.
Коэффициент диффузии вычисляется с учетом среднего расстояния между молекулами <d2> и среднего времени корреляции о молекул в положении равновесия:
. (8)
Из уравнений (6) и (8) следует, что энергия активации Еа дисперсионной среды непосредственно контролирует как процесс зарождения единичных кристаллитов, так и кинетику их дальнейшего роста с образованием сложных пространственных кристаллических структур.
Применительно к нефтяным дисперсным системам процесс кристаллизации можно контролировать введением ингибиторов, которые изменяют кинетику роста кристаллов парафинов за счет изменения энергии активации, то есть потенциального барьера между реагирующими частицами.
