Лаба №10 / Отчет №10
.doc
быстродействие ключа, сняли зависимости tф1 = f1 (Rк); tр = f 2(Rк); tф2 = f 3(Rк). Величину Rк изменяли в диапазоне от 500 Ом до 5 кОм..____________
8) Собрали схему с нелинейной ООС (рис. 2). Выяснили влияние цепи нелинейной ООС на быстродействие ключа при различных S1.___________
9) Установить исходную величину Rк и подключить ускоряющий конденсатор параллельно резистору Rб1 (рис. 3). Коэффициент насыщения схемы S1 = 1,1 обеспечить соответствующей амплитудой входных импульсов. Выяснить влияние ускоряющего конденсатора на быстродействие ключа, измерить длительность переходных процессов._____________________________________
Выводы и заключение: Повышение быстродействия транзисторного ключа достигается путем применения высокочастотных транзисторов, оптимизации формы управляющего тока, применения нелинейной отрицательной обратной связи. Ступенчатая форма управляющего тока является оптимальной для достижения наибольшего быстродействия ключа. Убедились, что конденсатор, включенный параллельно базовому резистору, уменьшает время включения и выключения. Однако при этом ключ остается насыщенным и поэтому выключается с задержкой по отношению к управляющему сигналу. Нелинейная ООС, организованная с помощью диода Шоттки, позволяет создать ненасыщенный ключ, обладающий наиболее высоким быстродействием.___________________________________________
____________________________________________________________ _____________________________________________________________
Литература__________________________________________________________
_____________________________________________________________________
_____________________________________________________________________
Работу выполнил Власов В.В.
Работу проверил
Работу принял
Форма №1
Московский государственный открытый университет
Коломенский институт
Кафедра
Лаборатория ___электроники__ ____________________________________
____________________________________________________________________
Власов В.В.________________________________19.04.2005г_____
ф.и.о. студента дата выполнения работы
лабораторная работа
ИССЛЕДОВАНИЕ КЛЮЧЕВОГО РЕЖИМА РАБОТЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА __________________
__________________________________________
№10 название
___________________________________________________________
Цель работы : изучение работы биполярных транзисторов в ключевом режиме. Исследуется влияние входного сигнала, элементов схемы и режима работы транзистора на отдельные этапы переходных процессов, а также схемные методы повышения быстродействия транзисторных ключей.
Основные понятия, определения, формулы : Ключевым режимом называется такой режим, при котором транзистор большую часть рабочего времени находится в двух состояниях: 1)открытом состоянии (ключ замкнут и его сопротивление значительно меньше сопротивления нагрузки);2) закрытом состоянии (ключ разомкнут и его сопротивление значительно больше сопротивления нагрузки).По способу включения транзистора различают три варианта транзисторных ключей: ключ с общей базой (ОБ); ключ с общий эмиттером (ОЭ) и ключ с общим коллектором (ОК). Наибольшее распространение получили ключи с общим эмиттером , поскольку они имеют наибольшее отношение выходной мощности к мощности сигнала управления. Ключи с общей базой позволяют наилучшим образом реализовать частотные свойства биполярных транзисторов, однако они обладают наименьшим входным сопротивлением, что во многих случаях затрудняет их использование. Ключи с общим коллектором обладают наибольшим входным и одновременно наименьшим выходным сопротивлением. Это является существенным достоинством ключей ОК, однако их коэффициент усиления по напряжению меньше единицы._____________________________________________
Схема лабораторной установки
Обозначения_______________________________________________________________
__________________________________________________________________________
__________________________________________________________________________
Эскиз (схема) детали, прибора, подвергаемых исследованию
Обозначения_____________________________________________________________
_________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________
Описание работы 1) Собрали схему рис.1. Убедились в работоспособности схемы.____________________________________________________________
2) Отключили источник смещения Еб2 . Для нескольких значений сопротивления Rк измерили постоянную времени τβэ._____________________
3)Построить график τβэ = f (Rк) и определить постоянную времени транзистора τβ .__________________________________________________________________
4) Определили коэффициент передачи тока базы β._______________________
5) Определили емкость коллекторного перехода.________________________
6) Включили цепь источника смещения Еб2. Определили влияние входного сигнала Iб1 на быстродействие ключа, сняли зависимости: tвкл. = f1 (S1); tр=f2(S1). Зависимости снимали для S1 = 1,1; 1,5; 2; 3; 4; 5.________________________
7) Установили включающий ток базы Iб1 = 0,5 мА. Определили влияние Iкн на _