быстродействие ключа, сняли зависимости t_ф1 = f₁ (R_к); t_р = f ₂(R_к); t_ф2 = f ₃(R_к). Величину R_к изменяли в диапазоне от 500 Ом до 5 кОм..____________

8) Собрали схему с нелинейной ООС (рис. 2). Выяснили влияние цепи нелинейной ООС на быстродействие ключа при различных S₁.___________

9) Установить исходную величину R_к и подключить ускоряющий конденсатор параллельно резистору R_б1 (рис. 3). Коэффициент насыщения схемы S₁ = 1,1 обеспечить соответствующей амплитудой входных импульсов. Выяснить влияние ускоряющего конденсатора на быстродействие ключа, измерить длительность переходных процессов._____________________________________

Выводы и заключение: Повышение быстродействия транзисторного ключа достигается путем применения высокочастотных транзисторов, оптимизации формы управляющего тока, применения нелинейной отрицательной обратной связи. Ступенчатая форма управляющего тока является оптимальной для достижения наибольшего быстродействия ключа. Убедились, что конденсатор, включенный параллельно базовому резистору, уменьшает время включения и выключения. Однако при этом ключ остается насыщенным и поэтому выключается с задержкой по отношению к управляющему сигналу. Нелинейная ООС, организованная с помощью диода Шоттки, позволяет создать ненасыщенный ключ, обладающий наиболее высоким быстродействием.___________________________________________

____________________________________________________________ _____________________________________________________________

Литература__________________________________________________________

_____________________________________________________________________

_____________________________________________________________________

Работу выполнил Власов В.В.

Работу проверил

Работу принял

Форма №1

Московский государственный открытый университет

Коломенский институт

Кафедра

Лаборатория ___электроники__ ____________________________________

____________________________________________________________________

Власов В.В.________________________________19.04.2005г_____

^{ф.и.о. студента дата выполнения работы}

лабораторная работа

ИССЛЕДОВАНИЕ КЛЮЧЕВОГО РЕЖИМА РАБОТЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА __________________

__________________________________________

№10 ^{название}

___________________________________________________________

Цель работы : изучение работы биполярных транзисторов в ключевом режиме. Исследуется влияние входного сигнала, элементов схемы и режима работы транзистора на отдельные этапы переходных процессов, а также схемные методы повышения быстродействия транзисторных ключей.

Основные понятия, определения, формулы : Ключевым режимом называется такой режим, при котором тран­зистор большую часть рабочего времени находится в двух состояниях: 1)открытом состоянии (ключ замкнут и его сопротивление значительно меньше сопротивления нагрузки);2) закрытом состоянии (ключ разомкнут и его сопротив­ление значительно больше сопротивления нагруз­ки).По способу включения транзистора различают три варианта транзисторных ключей: ключ с общей базой (ОБ); ключ с общий эмиттером (ОЭ) и ключ с общим коллектором (ОК). Наибольшее распространение получили ключи с общим эмиттером , поскольку они имеют наибольшее отношение выходной мощности к мощности сигнала управления. Ключи с общей базой позволяют наилучшим образом реализовать частотные свойства биполярных транзисторов, однако они обладают наименьшим входным сопротивлением, что во многих случаях затрудняет их использование. Ключи с общим коллектором обладают наибольшим входным и одновременно наименьшим выходным сопротивлением. Это является существенным достоинством ключей ОК, однако их коэффициент усиления по напряжению меньше единицы._____________________________________________

Схема лабораторной установки

Обозначения_______________________________________________________________

__________________________________________________________________________

__________________________________________________________________________

Эскиз (схема) детали, прибора, подвергаемых исследованию

Обозначения_____________________________________________________________

_________________________________________________________________________

_________________________________________________________________________

Описание работы 1) Собрали схему рис.1. Убедились в работоспособности схемы.____________________________________________________________

2) Отключили источник смещения Е_{б2 .} Для нескольких значений сопротивления R_к измерили постоянную времени τ_βэ._____________________

3)Построить график τ_βэ = f (R_к) и определить постоянную времени транзистора τ_β .__________________________________________________________________

4) Определили коэффициент передачи тока базы β._______________________

5) Определили емкость коллекторного перехода.________________________

6) Включили цепь источника смещения Е_б2. Определили влияние входного сигнала I_б1 на быстродействие ключа, сняли зависимости: t_вкл. = f₁ (S₁); t_р=f₂(S₁). Зависимости снимали для S₁ = 1,1; 1,5; 2; 3; 4; 5.________________________

7) Установили включающий ток базы I_б1 = 0,5 мА. Определили влияние I_кн на _