- •Содержание
- •История создания и развития диодов[править | править вики-текст]
- •Типы диодов[править | править вики-текст]
- •Ламповые диоды[править | править вики-текст]
- •Полупроводниковые диоды[править | править вики-текст]
- •Специальные типы диодов[править | править вики-текст]
- •Основные характеристики и параметры диодов[править | править вики-текст]
- •Классификация и система обозначений[править | править вики-текст]
- •Ссср[править | править вики-текст]
- •Содержание
- •Устройство и основные виды тиристоров[править | править вики-текст]
- •Содержание
- •Устройство и принцип действия[править | править вики-текст]
- •Mosfet конструктивно-технологические особенности
- •Классификация выпрямителей
- •Содержание
- •Причины распространения шим[править | править вики-текст]
- •Тепловая мощность, выделяемая на ключе при шим[править | править вики-текст]
- •Принцип работы шим[править | править вики-текст] Аналоговая шим[править | править вики-текст]
- •Цифровая шим[править | править вики-текст]
- •См. Также[править | править вики-текст]
- •Трёхфазные инверторы[править | править вики-текст]
- •Содержание
- •Назначение[править | править вики-текст]
- •Устройство и принцип действия[править | править вики-текст]
Основные характеристики и параметры диодов[править | править вики-текст]
Uобр.макс. |
- |
максимально-допустимое постоянное обратное напряжение диода; |
Uобр.и.макс. |
- |
максимально-допустимое импульсное обратное напряжение диода; |
Iпр.макс. |
- |
максимальный средний прямой ток за период; |
Iпр.и.макс. |
- |
максимальный импульсный прямой ток за период; |
Iпрг. |
- |
ток перегрузки выпрямительного диода; |
fмакс. |
- |
максимально-допустимая частота переключения диода; |
fраб. |
- |
рабочая частота переключения диода; |
Uпр. при Iпр. |
- |
постоянное прямое напряжения диода при токе Iпр; |
Iобр. |
- |
постоянный обратный ток диода; |
Тк.макс. |
- |
максимально-допустимая температура корпуса диода. |
Тп.макс. |
- |
максимально-допустимая температура перехода диода. |
Основная статья: Полупроводниковый диод
Классификация и система обозначений[править | править вики-текст]
Классификация диодов по их назначению, физическим свойствам, основным электрическим параметрам, конструктивно-технологическим признакам, роду исходного материала (полупроводника) отображается системой условных обозначений их типов. Система условных обозначений постоянно совершенствуется в соответствии с возникновением новых классификационных групп и типов диодов. Обычно системы обозначений представлены буквенно-цифровым кодом.
Ссср[править | править вики-текст]
На территории СССР система условных обозначений неоднократно претерпевала изменения и до настоящего времени на радиорынках можно встретить полупроводниковые диоды, выпущенные на заводах СССР и с системой обозначений согласно отраслевого стандарта ОСТ 11 336.919-81, базирующегося на ряде классификационных признаков изделий[3]. Итак,
первый элемент буквенно-цифрового кода обозначает исходный материал (полупроводник), на основе которого изготовлен диод, например:
Г или 1 — германий или его соединения;
К или 2 — кремний или его соединения;
А или 3 — соединения галлия (например, арсенид галлия);
И или 4 — соединения индия (например, фосфид индия);
второй элемент — буквенный индекс, определяющий подкласс приборов;
Д — для обозначения выпрямительных, импульсных, магнито- и термодиодов;
Ц — выпрямительных столбов и блоков;
В — варикапов;
И — туннельных диодов;
А — сверхвысокочастотных диодов;
С — стабилитронов, в том числе стабисторов и ограничителей;
Л — излучающие оптоэлектронные приборы;
О — оптопары;
Н — диодные тиристоры;
третий элемент — цифра (или в случае оптопар — буква), определяющая один из основных признаков прибора (параметр, назначение или принцип действия);
четвёртый элемент — число, обозначающее порядковый номер разработки технологического типа изделия;
пятый элемент — буквенный индекс, условно определяющий классификацию по параметрам диодов, изготовленных по единой технологии.
Например: КД212Б, ГД508А, КЦ405Ж.
Кроме того, система обозначений предусматривает (в случае необходимости) введение в обозначение дополнительных знаков для выделения отдельных существенных конструктивно-технологических особенностей изделий.
Тири́стор — полупроводниковый прибор, выполненный на основе монокристалла полупроводника с тремя или более p-n-переходами и имеющий два устойчивых состояния:
«закрытое» состояние — состояние низкой проводимости;
«открытое» состояние — состояние высокой проводимости.
Тиристор можно рассматривать как электронный выключатель (ключ). Основное применение тиристоров — управление мощной нагрузкой с помощью слабых сигналов. Также тиристоры применяются в переключающих устройствах.
Существуют различные виды тиристоров, которые подразделяются, главным образом:
по способу управления;
по проводимости:
тиристоры, проводящие ток в одном направлении (например, тринистор, изображённый на рисунке);
тиристоры, проводящие ток в двух направлениях (например, симисторы, симметричные динисторы).
Вольт-амперная характеристика (ВАХ) тиристора нелинейна и показывает, что сопротивление тиристора отрицательное дифференциальное. По сравнению, например, с транзисторными ключами, управление тиристором имеет некоторые особенности. Переход тиристора из одного состояния в другое в электрической цепи происходит скачком (лавинообразно) и осуществляется внешним воздействием на прибор: либо напряжением (током), либо светом (дляфототиристора). После перехода тиристора в открытое состояние он остаётся в этом состоянии даже после прекращения управляющего сигнала. Тиристор остаётся в открытом состоянии до тех пор, пока протекающий через него ток превышает некоторую величину, называемую током удержания.
