Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Дипломна Вови.docx
Скачиваний:
0
Добавлен:
01.07.2025
Размер:
2.83 Mб
Скачать

1.2.3 Руйнування внутрішньої структури

При руйнуванні внутрішньої структури накопичувач визначається з неправильною ємністю або взагалі не визначається системою. Як вже говорилося, в більшості випадків Flash накопичувачі працюють під керівництвом свого контролера-процесора, який працює за певним алгоритмом. Вартість патентів на використання вже відомих алгоритмів надзвичайно висока, тому кожна фірма-виробник таких носіїв намагається створити свій алгоритм внутрішньої роботи і отримати на нього патент. Таким чином, до теперішнього часу склалося величезне різноманіття алгоритмів внутрішньої роботи накопичувачів і навіть у однієї фірми-виробника може бути кілька таких алгоритмів (наприклад, свій алгоритм для кожної модельної лінії). Це ускладнює відновлення флеш-карт. Фізичні особливості Flash пам'яті негативно позначаються на надійності носія. Зайва інтенсивність використання носіїв на Flash пам'яті призводить до появи збоїв в їх роботі. На жаль, несправності внутрішньої структури, через велику кількість алгоритмів роботи, в більшості випадків вимагають індивідуального підходу і є найбільш трудомісткими. При таких порушеннях доводиться знімати мікросхеми пам'яті, зчитувати їх і аналізувати внутрішній алгоритм роботи, після виявлення цього алгоритму потрібно налаштування спеціалізованого програмного забезпечення, а в деяких випадках і написання додаткових модулів для відновлення інформації на флеш-диску. Тільки після цього можливе створення коректного файлу-образу, з якого вже можливе відновлення даних з флеш-диска.

1.2.4 Логічні ушкодження

По-перше, це пошкодження в результаті програмного збою або апаратних особливостей службової області даних, використовуваної контролером в роботі механізму трансляції. Виною цьому, перш за все, знос, що призводить до появи надмірної кількості бітових помилок, які неможливо скоригувати реалізованим алгоритмом ECC. Не менш вірогідні і збої внутрішнього програмного забезпечення.

По-друге, погіршення теплопровідності корпусу флеш-накопичувача призводить до підвищення температури внутрішніх компонентів, що підвищує ймовірність збоїв і виникнення помилок. Повідомлення операційної системи про необхідність відформатувати накопичувач або пропозицію «Вставити диск» - це якраз наслідки і ознаки подібних помилок. При цьому найчастіше накопичувач як фізичний пристрій в системі визначається ідентифікатором виробника (Vendor ID) і типом пристрою (Device ID), відповідним встановленим в ньому контролером. При виявленні непереборної помилки службової області, контролер перестає звертатися до мікросхем пам'яті, повертаючи у відповідь на команду читання заздалегідь сформований сектор (найчастіше, заповнений нулями). Ще він може «інформувати» про відсутність носія. Подібна тактика пояснюється, головним чином, необхідністю зменшити вплив на мікросхеми пам'яті і не допустити подальшого пошкодження даних. При цьому дані, в більшості випадків, залишаються повністю коректними і розташовуються в мікросхемах пам'яті, але доступ до них за допомогою штатного інтерфейсу стає неможливим. Застосування загальнодоступних спеціалізованих утиліт при пошкодженнях службової інформації іноді дозволяє повернути накопичувачеві працездатність, але при цьому для користувача дані майже будуть знищені. Дії, що виконуються стандартними утилітами від виробника, складаються зі стирання всіх мікросхем пам'яті і відновлення формату пошкодженої службової області. Йде переоблік блоків з нестабільним читанням. Збереження даних зони користувача не є пріоритетним при такій операції, подібна вимога значно ускладнила б утиліту. У подібних випадках найбільш надійним методом відновлення даних є застосування спеціалізованих комплексів, які дозволяють працювати безпосередньо з мікросхемами пам'яті, реалізуючи емуляцію роботи контролера без застосування штатного, апаратного контролера і інтерфейсу.