ЗМІСТ

ВСТУП 7

Мета дипломної роботи розповісти про сам флеш-накопичувач і про його переваги. Також призначення самого пристрою та його фізичну та логічну структуру. Розповісти які є види ушкоджень та несправностей та способи їх усунення. 7

Тема: «Мультизавантажувальний флеш-накопичувач», тобто показати його роботу і те як можна поставити програмне забезпечення. І ще популярність їх, оскільки практично диски вже в минулому, а флешки в майбутньому, те як є в широкому вжитку. 7

РОЗДІЛ 1 ЗАГАЛЬНІ ВІДОМОСТІ ПРО ФЛЕШ-НАКОПИЧУВАЧ 8

1.1 Історія створення флеш пам’яті 8

1.1.1 Загальні принципи роботи флеш-пам'яті 9

1.1.2 Читання, запис, стирання найпростішої комірка 11

1.1.3Доступ до флеш-пам'яті 12

1.1.4 Архітектура флеш-пам'яті 13

1.1.5 Тип пам’яті NOR 13

1.1.6 NAND 14

1.1.7 Типи карт пам'яті 16

1.1.8 MMC 17

1.1.9 USB флеш-накопичувач 20

1.1.10 Застосування флеш-пам'яті 21

1.2 Типи ушкоджень 22

1.2.1 Механічні пошкодження 23

1.2.2 Електричні і теплові пошкодження 23

1.2.3 Руйнування внутрішньої структури 25

1.2.4 Логічні ушкодження 25

1.2.5 Засоби відновлення даних 26

1.2.6 Програмні засоби відновлення даних 29

1.3 Методичний посібник з відновлення даних з флеш-дисків 30

1.3.1 Просте відновлення даних при логічному збої 30

1.3.2 Використання EasyRecovery Pro в режимі RawRecovery. 33

1.3.3 Ручне відновлення даних в FAT32 34

1.3.4 Відновлення даних в файлової системі NTFS 37

1.3.5 Відновлення елемента таблиці розділів 38

1.3.6 Відновлення службової інформації в MFT 40

1.3.7 Пошук таблиці MFT 40

1.3.8 Розмір і структура записи таблиці MFT 43

РОЗДІЛ 2 ЗАВАНТАЖУВАЛЬНИЙ ФЛЕШ НАКОПИЧУВАЧ 46

2.1 UNetBootin або Windows 7 USB / DVD Download Tool 46

2.2 Створення завантажувальної флешки для Windows 7 47

2.3 Програма UltraISO 50

2.4 Командний рядок 59

РОЗДІЛ 3 69

ЕКОНОМІЧНА ЧАСТИНА 69

3.1 Виробничі розрахунки 69

3.2 Розрахунок трудомісткості робіт з створення завантажувача флеш-накопичувача 70

3.3 Розрахунок необхідної кількості працюючих. 71

3.4 Організація заробітної плати 73

3.5 Розрахунок загальновиробничих витрат 76

3.6 Розрахунок собівартості розробки завантажувального флеш-накопичувача 80

Таблиця 3.6 – Розрахунок собівартості завантаження накопичувача 81

82

ВИСНОВКИ 83

У даній дипломній роботі було описано пристрій та призначення флеш накопичувача, його фізичну та логічну структуру. Також описано види ушкоджень та несправностей, та способи їх усунення. Також розглянуто їх недоліки і переваги в застосуванні. 83

У практичній частині було детально описано процес створення завантажувального флеш накопичувача та сфер його застосування. 83

СПИСОК ВИКОРИСТАНИХ ДЖЕРЕЛ 84

ВСТУП

Мета дипломної роботи розповісти про сам флеш-накопичувач і про його переваги. Також призначення самого пристрою та його фізичну та логічну структуру. Розповісти які є види ушкоджень та несправностей та способи їх усунення.

Тема: «Мультизавантажувальний флеш-накопичувач», тобто показати його роботу і те як можна поставити програмне забезпечення. І ще популярність їх, оскільки практично диски вже в минулому, а флешки в майбутньому, те як є в широкому вжитку.

Розділ 1 загальні відомості про флеш-накопичувач

1. Історія створення флеш пам’яті

Першою енергонезалежною пам'яттю була ROM (ПЗУ) – Read Only Memory. З назви стає зрозуміло, що даний тип має єдиний цикл запису. Він здійснюється відразу при виробництві, шляхом нанесення алюмінієвих доріжок між осередками ROM літографічним способом. Наявність такої доріжки означає 1, відсутність – 0. Цей вид пам'яті не придбав велику популярність, так як процес виготовлення мікросхеми ROM займав тривалий час (від 4 до 8 тижнів). При цьому вартість пам'яті досить низька (при великих обсягах виробництва), а інформацію з неї можна стерти тільки фізичним або термальним впливом.

Природно, що на ROM прогрес не закінчився. Виникла гостра необхідність в перезаписі пам'яті, а кожен раз випускати ПЗУ з новими даними було дорого і нераціонально. Тому ROM змінила PROM (Programmable ROM). Мікросхему з такою пам'яттю можна було піддати повторному (правда, єдиному) пропалюванню за допомогою спеціального пристрою – програматора. Справа в тому, що PROM проводилася трохи за іншою технологією. Доріжки між осередками були замінені плавкими перемичками, які могли бути зруйновані шляхом подачі високої напруги на мікросхему. Конструктивно перемички – інтегральний елемент з титаново-вольфрамового сплаву. Таким чином, з'являється єдиний цикл перезапису.

ROM і PROM відносяться до виду перезаписаної незалежної пам'яті. У 1971 році Intel випускає абсолютно нову мікросхему пам'яті під абревіатурою EPROM (Erasable Programmable ROM). Таку мікросхему можна було піддавати неодноразовому перезапису шляхом опромінення чіпа рентгенівськими променями. Пам'ять стирається ультрафіолетом, з'являється трохи пізніше і носить абревіатуру UV-EPROM. У такій мікросхемі є невелике віконце з кварцовим склом. За ним знаходиться кристал, який опромінюється ультрафіолетом. Після стирання інформації це віконце заклеюють. Частковий перезапис даних як і раніше залишається неможливим, тому що рентгенівські і ультрафіолетові промені змінюють всі біти, стираються області в положенні 1. Повторний запис даних здійснюється також на програматорах (як в ROM і EROM). EPROM була заснована на МОП (метал-оксид-напівпровідник) транзисторах. Запис даних в осередку такого транзистора проводився методом лавинної інжекції заряду (про методи запису буде сказано нижче). Цей метод давав можливість неодноразово перезаписувати дані пам'яті (хоча кількість циклів була обмежена). Таким чином, разом з EPROM народжується покоління NVRWM, що розшифровується як NonVolatile Read-Write Memory. Але, не дивлячись на абсолютно нову технологію, цей вид був витіснений з ринку іншими видами пам'яті.

Через вісім років, в 1979 році після виходу EPROM, фірма Intel розробляє новий вид пам'яті, яка могла бути переписана частинами. За допомогою електричного струму стала можливою зміна даних в певній клітинці мікросхеми. Це нововведення зменшувало час програмування, а також дозволяло відмовитися від зовнішніх пристроїв-программаторів. Для запису даних пам'ять досить було підключити до системної шини мікропроцесора, що значно спрощувало роботу з мікросхемою, тому вартість EEPROM була високою. Це не дивно, так як технології виробництва такої пам'яті були дуже складними. На відміну від попереднього EPROM, збільшувалася кількість циклів перезапису інформації.

Нарешті в 1984 році компанія Toshiba розробляє принципово новий вид пам'яті під назвою Flash. Відразу після цього почався інтенсивний процес розвитку цього виду, а EEPROM стрімко втрачає позиції на ринку.