Полевые транзисторы и их применение
Содержание
Введение
. Принципы работы полевых транзисторов
.1 История создания полевых транзисторов
.2 Классификация полевых транзисторов
.3 Транзисторы с управляющим p - n переходом
.4 Транзисторы с изолированным затвором (МДП-транзисторы)
.5 МДП-транзисторы с индуцированным каналом
.6 МДП-транзисторы со встроенным каналом
.7 МДП-структуры специального назначения
. Схемы включения полевых транзисторов
. Применение полевых транзисторов
. Перспективы развития
Заключение
Литература
полевой транзистор переход
Введение
Актуальность темы. Полупроводниковые устройства, такие как диоды, транзисторы и интегральные схемы используются весьма широко в различных устройствах специальной и бытовой техники, таких, как плееры, телевизоры, автомобили, стиральные машины и компьютеры. Полупроводниковые приборы прочно вошли в нашу жизнь, их характеристики продолжают совершенствоваться, а цена - снижаться. Особенно характерно это на примере компьютеров, когда сложность и характеристики современного компьютера значительно превышают возможности персональных компьютеров пятилетней давности. Прогресс в области вычислительной техники значительно превышает прогресс в других областях техники. Например, невозможно представить улучшение характеристик автомобиля в пять раз (по мощности и скорости) за пять лет по той же самой цене. Тем не менее, когда речь идет о персональных компьютерах, такие ожидания вполне реальны. Определяющим фактором такого прогресса является совершенствование технологии производства транзисторов и микросхем, их микроминиатюризация, в частности на основе полевых транзисторов. Характеристики этих устройств улучшаются год от года, потребляемая мощность снижается, их стоимость уменьшается. Поэтому изучение физики работы таких приборов, технологии их производства и применения в различных областях является весьма актуальной темой.
Цель работы и решаемые задач. Целями данной курсовой работы являются формирование научной основы для целенаправленного использования полученных знаний при создании элементов, приборов и устройств микроэлектроники, практическое освоение основных понятий, полупроводниковых устройств, в частности, полевых транзисторов, изучение основ создания электронной компонентной базы и ее применения для создания электронных устройств различного назначения. Задачами курсовой работы являются практическое освоение основных понятий, расширение научного кругозора и эрудиции на базе изучения основ строения материалов и физики происходящих в них явлений, технологии материалов электронной и микроэлектронной техники, для последующего использования их при создании приборов твердотельной электроники и разработке технологии микроэлектроники.
Полевой транзистор (field effect transistor - FET - англ.) - это полупроводниковый прибор [8], в котором протекает ток, обусловленный носителями заряда одного типа. Протекание тока в полевом транзисторе осуществляется за счет действия управляющего электрического поля, направление которого перпендикулярно протеканию тока. В силу того, что ток в таких приборах обусловлен носителями одного типа (электронами или дырками), такие приборы называют униполярными (в отличие от биполярных транзисторов). По принципу работы и конструкции полевые транзисторы условно можно разделить на два класса. Первый - это транзисторы с управляющим p - n - переходом или переходом металл-полупроводник (барьер Шоттки), второй - транзисторы с управлением с помощью изолированного электрода (затвора), так называемые транзисторы МДП (метал-диэлектрик-полупроводник) или МОП (металл-оксид-полупроводник). По применению можно выделить 4 основных направления: цифровые устройства и интегральные схемы, для общего применения, использование для создания СВЧ устройств и применение для создания устройств высокой мощности. Технология создания полевых транзисторов включает следующие основные направления: