Виды памяти. Отличия и особенности.
RЗAM (Random Access Memory) –память с произвольным доступом
яSRAM – статическая память
DRAM - динамическая память
В SRAM ячейки (элементы) построены на различных вариантах триггеров.
Триггер – схема с двумя устойчивыми состояниями.
После записи бита в такую ячейку, она может пребывать в таком состоянии довольно долго (при наличии питания).
Ячейки статической памяти имеют малое время срабатывания (наносекунды), но имеют высокое электропотребление.
Используется в качестве буферной памяти (кэш-память).
В DRAM ячейки построены на основе областей с накоплением зарядов, занимающих гораздо меньшую область (чем триггеры) и практически не потребляющих электроэнергии при хранении.
При записи бита в такую ячейку в ней формируется электрический заряд, сохраняющийся в течении нескольких миллисекунд. Для постоянного сохранения заряда, ячейки необходимо регенерировать (перезапись содержимого для восстановления зарядов).
Динамическая память используется в качестве основной.
SRAM и DRAM (асинхронная динамическая память) - установка адреса, подача управляющих сигналов и чтение/запись данных выполняются в произвольные моменты времени.
Типы памяти (FPM, EDO, Rambus) являются асинхронными. При асинхронной передаче данных гарантируется, что определенная операция будет закончена за фиксированный промежуток времени, например за 60 нс. Работа асинхронной памяти не синхронизирована с тактовой частотой системной шины, то есть данные появляются на этой шине в произвольные моменты времени.
Асинхронные виды памяти:
FPM DRAM (Fast Page Mode) – динамическая память с быстрым страничным доступом
EDO (Extended Data Out) – расширенное время удержание данных на выходе
BEDO (Burst) – расширенное время удержание данных на выходе с блочным доступом
SDRAM (синхронная динамическая память) – память с синхронным доступом, работает быстрее асинхронной (FPM, EDO, BEDO).
Типы модулей оперативной памяти
SIMM – модуль памяти с одним рядом контактов. Имеет контакты с 2 сторон, но они соединены между собой.
SIMM – 30 контактов. Применялись в персональных компьютерах с процессорами от 286 до 486.
SIMM – 72 контакта. Память такого типа была двух типов FPM и EDO.
Тип FPM использовался на компьютерах с процессорами 486 и в первых пентиум до 1995 года
EDO начинает выборку следующего блока памяти в то же время, когда отправляет предыдущий блок центральному процессору.
Конструктивно они одинаковы, отличить можно только по маркировке.
DIMM – модуль памяти с двумя рядами контактов. Имеет контакты с 2 сторон (2*84), за счет этого увеличивается разрядность или число банков памяти в модуле.
SDRAM
с 1996 года большинство чипсетов Intel стали поддерживать этот вид модулей памяти, сделав его популярным вплоть до 2001 года.
DDR
Стал развитием SDRAM. Появился на рынке в 2001 году. Основное отличие между DDR и SDRAM заключается в том, что вместо удвоения тактовой частоты для ускорения работы, эти модули передают данные дважды за один такт.
RIMM
Появился на рынке в 1999 году. Он основан на традиционной DRAM , но с кардинально измененной архитектурой.
Такие модули применялись в игровых приставках Sony Playstation 2 и Nintendo 64.