- •Введение. Немного теории
- •1 Источники напряжения
- •2 Электрические компоненты
- •3 Величины, применяемые при работе с электричеством. Законы Ома и Кирхгофа
- •4 Новые понятия
- •5 Пассивные компоненты электронных схем
- •5.1 Резисторы
- •5.2 Конденсаторы
- •5.3 Катушки индуктивности и дроссели
- •5.4 Трансформаторы и пьезотрансформаторы
- •6 Активные компоненты (полупроводники)
- •6.1 Диэлектрики, проводники, сверхпроводники и полупроводники
- •6.1.1 Диапазоны энергий и распределение носителей заряда в них
- •6.2 Диод
- •6.3 Эффекты полупроводников
- •6.3.1 Эффект Ганна
- •6.3.2 Эффекты Пельтье и Зеебека
- •6.3.3 Туннельный эффект
- •6.3.4 Эффект Холла
- •6.4 Общие сведения о полупроводниковых диодах
- •6.5 Конструкции и простейшие способы изготовления полупроводниковых диодов
- •6.6 Разновидности диодов
- •6.6.1 Выпрямительные диоды
- •6.6.2 Импульсные диоды
- •6.6.3 Варикапы
- •6.6.4 Стабилитроны и стабисторы
- •6.6.5 Светодиоды
- •6.6.6 Полупроводниковые лазеры
- •6.6.7 Фотодиоды
- •6.7 Биполярные транзисторы
- •6.7.1 Общие сведения о транзисторах
- •6.7.2 Конструкция некоторых биполярных транзисторов
- •6.7.3 Принцип действия биполярных транзисторов
- •6.7.4 Схемы включения биполярных транзисторов
- •6.7.5 Биполярные фототранзисторы
- •6.8 Полевые транзисторы с управляющим переходом
- •6.8.1 Конструкция полевых транзисторов с управляющим переходом
- •6.8.2 Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •6.8 Биполярные транзисторы с изолированными затворами
- •6.8.1 Общие сведения о бтиз
- •6.8.2 Конструкция и принцип действия бтиз
- •6.9 Тиристоры
- •6.9.1 Общая информация о тиристорах
- •6.9.2. Динисторы
- •6.9.3 Тринисторы
- •6.9.4 Запираемые тиристоры
- •6.9.5 Симисторы
- •7 Интегральные микросхемы
- •7.1 Плёночные микросхемы
- •7.2 Гибридные интегральные микросхемы
- •7.3 Полупроводниковые микросхемы
- •8 Устройства отображения информации
- •8.1 Индикаторы
- •8.2 Светодиодные индикаторы
- •8.3 Жидкокристаллические индикаторы
- •8.4 Общие сведения об электронно-лучевых трубках
- •8.5 Жидкокристаллические дисплеи и панели
- •8.5.1 Общие сведения о жидкокристаллических дисплеях
- •8.5.2 Электролюминесцентная подсветка жидкокристаллических дисплеев
- •8.5 3 Светодиодная подсветка жидкокристаллических дисплеев
- •8.5.4 Время отклика жидкокристаллических дисплеев и влияние температуры на их работу
- •8.6 Плазменные панели
- •8.7 Органические светодиодные дисплеи
- •8.8 Дисплеи на углеродных нанотрубках
- •8.9 Сенсорные экраны и классификация их типов
- •8.10 Голографические системы
- •9.Конструирование радиоэлектронные устройств
- •9.1 Изготовление печатных плат
- •9.2 Монтаж компонентов на печатной плате
- •9.2.1 Шелкография или маркировка.
- •9.2.2 Монтаж компонентов
- •10 Простейшие схемы электроники
- •10.1 Усилители электрических сигналов
- •Классификация усилительных устройств.
- •10.2 Генераторы
- •10.3 Дискретные устройства
- •Список литературы
8.9 Сенсорные экраны и классификация их типов
Сенсорным экраном называют устройство, монтируемое на обозреваемую пользователем поверхность дисплея, чувствительное к прикосновениям. При поднесении пальца, указки, электронного пера и т.п. к выбранному изображению на поверхности дисплея, специальный контроллер считывает координаты точки прикосновения, и отправляет эти сведения на последующую обработку. Отслеживание места касания может быть реализовано согласно ёмкостной, резистивной, инфракрасной, тензометрической, на ПАВ, или электромагнитной технологиям. Сокращение «ПАВ» означает поверхностные акустические волны.
Сенсорный экран, выполненный по ёмкостной технологии, состоит из стеклянной пластины, на которую сзади нанесена прямоугольная сетка из прозрачных токопроводящих электродов, к краям которой подсоединяют генераторы переменных напряжений. При прикосновении к определённой точке сенсорного экрана в её окрестности возрастает ёмкость, увеличиваются переменные токи утечки, сила которых пропорциональна расстояниям до краёв пластин. Измеряя силы токов, вычисляют положение точки прикосновения к сенсорному экрану. Достоинства: малое время отклика, составляющее обычно от 3 мс до 20 мс, число нажатий до выхода экрана из строя может превышать сотни миллионов, высокая механическая прочность. Недостаток: не реагирует на прикосновение непроводящим ток предметом.
Сенсорный экран, выполненный по резистивной технологии, имеет жёсткую пластину, покрытую резистивным веществом, перед которой располагают пластиковую мембрану, также покрытую резистивным веществом. Материалом пластины обычно выступает стекло или полиэстер. Между пластиной и мембраной размещают изолирующие гранулы. К краям пластины и мембраны подключают внешние источники питания. При нажатии на резистивный экран мембрана продавливает слой изоляции, что приводит к её соприкосновению с пластиной. Токи, потребляемые от генераторов, будут пропорциональны расстояниям до точки прикосновения. Резистивные покрытия и мембраны и пластины необходимы для отслеживания положения точки и по горизонтали, и по вертикали. Достоинства: низкая стоимость, чувствительность экрана к прикосновениям и проводящим, и диэлектрическим предметом. Недостатки: число нажатий до разрушения обычно на порядок меньше, чем у сенсорных экранов по ёмкостной технологии, а также ниже механическая прочность.
В сенсорном экране, выполненном по инфракрасной технологии, сетка инфракрасных волн образована инфракрасными светодиодами, размещёнными с одной стороны экрана по вертикали и горизонтали, и принимаемая фототранзисторами, установленными с другой стороны экрана. Если любой непрозрачный для инфракрасных волн предмет будет поднесён достаточно близко к сенсорному экрану, и поглотит или отразит падающее на фототранзистор излучение, то система отреагирует и определит координаты точки прикосновения. Достоинства: чувствительность экрана к прикосновениям любым предметом, задерживающим инфракрасное излучение. Недостатки технологии: большое время отклика, высокая стоимость, возможность использования лишь для плоских дисплеев, низкая разрешающая способность.
Сенсорный экран, выполненный по технологии ПАВ, обладает стеклянной плитой, по которой пропускают от источников к приёмникам колебаний поверхностно-акустические волны с частотой в несколько мегагерц. Источники и приёмники ПАВ – это пьезоэлектрические преобразователи, выполняемые обычно в виде плёнок сульфида кадмия, установленные по краям экрана. Излучённые поверхностно-акустические волны достигают противоположной стороны экрана и отражаются обратно, где попадают на датчики. Если осуществить прикосновение к экрану, то поверхностно-акустические волны будут частично поглощены и преломлены, что зарегистрируют датчики. Полученную информацию сравнивают с заранее записанной информацией о всевозможных распространениях волн и на этой основе формируют сигнал не только о положении точки касания в пространстве, но и силы, с которой оно было произведено. Достоинства: наработка на отказ сенсорного экрана на основе ПАВ обычно в несколько раз превышает наработку на отказ экрана по резистивной технологии. Недостатки: высокая стоимость, низкая разрешающая способность, ограниченная стоимостью изделия, чувствительность к механическим колебаниям, получение ошибочной информации при воздействии вибраций.
