- |
мати високі ізоляційні властивості; |
УНІВЕРСИТЕТ |
- |
температурний коефіцієнт лінійного розширення повинен бути |
|
наближений до температурного коефіцієнта лінійного розширення матеріалів плівок.
4 КУРСОВАРОБОТА
4.1 Теми курсових робіт
1Перспективи гібридно-плівкових технологій [2, 14].
2Загальна характеристика напівпровідникових матеріалів [7, 18].
3Перспективні матеріали для виробництва мікросхем [7, 18].
4Формування діелектричних шарів при виробництві
|
напівпровідникових ІМС [2, 7, 9]. |
|
5 |
Методи створення діелектричних покриттів напівпровідникових |
|
|
ІМС [2, 7, 9, 19]. |
ДЕРЖАВНИЙ |
|
|
|
6 |
Використання МОН – структур [1, 2, 5, 9, 14]. |
|
7 |
Термічне випаровування, як метод виготовлення пасивних |
|
|
елементів ІМС [2, 5, 7, 9, 12, 14]. |
|
8 |
Вакуумне обладнання для інтегральних технологій [2, 5, 7, 14]. |
|
9 |
Методи формування тонкоплівкових пасивних елементів в |
|
інтегральних мікросхемах [2, 5, 9, 14, 16].
10 Технологія виготовлення тонкоплівкових резисторів [2, 5, 9,14]. 11 Формування конденсаторних структур для ІМС [2, 5, 9, 14]. 12 Імплантація як метод легування напівпровідникових матеріалів
[2, 9, 12, 14].
13Характеристики дифузантів для легування напівпровідникових СУМСЬКИЙматеріалів [2, 5, 7, 9].
14 Легування напівпровідників методом термічної дифузії [2, 5, 7, 9, 12, 14].
Отримання високоякісних шарів кремнію методом газофазової епітаксії [2, 7, 9, 12, 14.17].
16 Використання авто- і гетероепітаксії в інтегральних технологіях
[ 2, 7, 9, 14, 17].
17. Молекулярно-променева літографія [ 14, 15, 17].
18 Методи контролю характеристик дифузійних, імплантованих та епітаксіальних шарів [1, 2, 7, 9, 14].
19 |
Методи отримання епітаксійних шарів напівпровідника [1, 2, 7, |
||
|
9, 14]. |
|
УНІВЕРСИТЕТ |
|
|
|
|
20 |
Гетероепітаксійні кремнієві структури [1, 2, 7, 9, 17]. |
||
21 |
Резисти для літографії [2, 7, 9, 11, 12, 14,19, 20]. |
||
22 |
Фотолітографія в інтегральних технологіях [2, 7, 9, 11, 14, 19]. |
||
23 |
Використання електронно-променевої літографії при |
||
|
виробництві приладів мікроелектроніки [5, 7, 9, 11, 17, 20]. |
||
24 |
Способи приєднання кристалів та плат в основу корпусу [2, 4, 7, |
||
|
14]. |
|
|
25 |
Методи розділення пластин та підкладок [2,4,7,9,14]. |
||
26 |
Методи приєднання виводів [2, 4, 7, 9, 14, ] |
||
27 |
Герметизація напівпровідникових приладів та мікросхем у |
||
|
корпус [2, 4, 7, 9, 12, 14]. |
|
|
28 |
Герметизація напівпровідникових приладів та мікросхем з |
||
|
|
ДЕРЖАВНИЙ |
|
|
використанням пластмас [4, 7. 9, 14]. |
|
|
29 |
Герметизація напівпровідникових приладів та мікросхем в |
||
|
металевий та металоскляний корпус [4, 7, 9, 12. 14]. |
||
30 |
Паяння та зварювання у виробництві інтегральних мікросхем [2, |
||
|
4, 9, 14]. |
|
|
31 |
Приєднання виводів методом дротового монтажу [2, 4, 9, 12]. |
||
32 |
Технологія випробування напівпровідникових приладів та ІМС |
||
|
[2, 4, 19]. |
|
|
33 |
Конструкція напівпровідникових приладів та ІМС [2, 7, 9, 14]. |
||
34 |
Контрольно-вимірювальні прилади, які і використовуються у |
||
|
інтегральних технологіях [1, 2, 4,19]. |
|
|
35 |
Перспективні технології у електроніці. |
|
|
СУМСЬКИЙ |
|
|
|
У дужках зазначено рекомендовану літературу.
4.2 Правила оформлення курсової роботи
Курсова робота оформляється у вигляді наукової праці, яка містить вступ з постановленням завдання; два-три розділи, де викладається зміст роботи; висновки та список літератури. Дана робота студента характеризує його загально-теоретичну та практичну підготовку, вміння розв'язувати наукові та технічні
проблеми. |
УНІВЕРСИТЕТ |
Текст випускної роботи в загальному вигляді повинен містити: -титульний аркуш; -реферат; -зміст; -вступ;
-загальну частину (два-три розділи); -висновки; -список літератури;
-додатки (якщо в них є необхідність).
Титульний аркуш є першим аркушем документа, але він не нумерується. Він виконується на аркушах формату А4 за наведеною формою (додаток А).
Реферат призначений для ознайомлення з роботою і розміщується передДЕРЖАВНИЙзмістом. Реферат повинен містити: відомості про обсяг роботи; кількість частин роботи; кількість таблиць,
рисунків; кількість джерел за переліком посилань; перелік ключових слів. Реферат повинен мати обсяг не більше 500 слів і розміщувати на одній сторінці формату А4. Ключові слова, необхідні для розкриття суті роботи, записують після тексту реферату прописними буквами.
Зміст подають після реферату. Він містить назви та номери початкових сторінок усіх розділів, підрозділів та пунктів. Наприклад:
ЗМІСТ Вступ…………………………………………………………...3
СУМСЬКИЙ1 Загальна характеристика процесу епітаксії……………..…4
1.1 Фізико-хімічні основи методу…………………………6
1.2 Практичні способи проведення епітаксії……………10
1.2.1 Хлоридний метод отримання шарів……………….11
1.2.2 Силановий метод отримання шарів…………….….20
2 Молекулярно-променева епітаксія………………………..24
3 Методи вивчення характеристик епітаксійних шарів…...28
Висновки………………………………………………...…....29 Список літератури………………………………………...….30
У вступі повинна бути сформульована мета та поставлені завдання курсової роботи, її актуальністьУНІВЕРСИТЕТ, описані основні
означення та поняття.
В оригінальній частині повинен бути висвітлений матеріал, який розкриває тему курсової роботи. Він повинен складатися з двох-трьох розділів, перший з яких, як правило, має загальний характер, в якому робиться літературний огляд найбільш суттєвих наукових робіт з даної теми, викладаються теоретичний матеріал та математичні формули. Другий та третій розділи присвячуються проблемам, що стосуються розкриття теми роботи. Бажано при підготовці використовувати періодичну наукову літературу.
Висновки формулюються в кінці роботи стосовно результатів їх
виконання, оформляються на окремому аркуші.
півтора інтервалу або рукописних - еквівалент 30 машинописних. При оформленні тексту роботи потрібно залишити ліве поле -
Текст курсової роботи оформляється на аркушах формату А4 (297 х 210 мм). ОбсягДЕРЖАВНИЙтексту – 25-30 машинописних сторінок (29 рядків на одній сторінці, 69-70 друкованих знаків у рядку) через
25 мм, праве -10 мм, верхнє - 20 мм, нижнє - 20 мм.
Текст розбивається на окремі розділи (нумерація 1, 2, 3,... без крапок), підрозділи (1.1, 1.2,...без крапок) та пункти (1.1.1, 1.1.2,...). Назви розділів (зміст, вступ, реферат, висновки, список літератури) пишуться великими буквами. Кожен розділ починається з нової сторінки. Назви підрозділів та пунктів
пишуться малими літерами, починаючи з великої.
ставиться.
Текст роботи повинен мати нумерацію сторінок (арабськими цифрамиСУМСЬКИЙу правому верхньому куті), починаючи з титульного аркуша. На титульному аркуші, змісті, вступі номер сторінки не
Формули повинні бути написані чітко. Номер формули записують справа від неї у круглих дужках, вище та нижче кожної формули залишається не менш одного вільного рядка. Пояснення значень символів потрібно наводити безпосередньо під формулою у тій самій послідовності, у якій вони наводяться. Нумерація формул, рисунків та таблиць може бути наскрізною у межах тексту або у межах розділу. Номер рисунка або номер таблиці може
складатися з однієї цифри (нумерація наскрізна) або з двох цифр у межах розділу (наприклад: Рисунок 1 або Таблиця 1.2). Номер рисунка та його назва розміщуються під ним, а номер таблиці та її заголовок - над таблицею. Рисунки та таблиці розміщуються після першого посилання на них. Таблицю з великою кількістю рядків можна переносити на іншу сторінку.
Підписи до рисунків і таблиць потрібно робити так: |
|
Рисунок 2.2 - Схема вакуумної установки [1]: |
|
1 - вакуумна камера; |
|
2 - високовакуумний насос; |
|
……………………………… |
|
7 - клапан пневматичного типу |
|
|
УНІВЕРСИТЕТ |
Таблиця 1.2 – Величина параметрів електропереносу для плівок міді
d, нм |
β 103 , К-1 |
L, нм |
|
|
λd(1-p), нм |
R |
|
50-175 |
4,1 |
|
180-300 |
|
|
83 |
0,16-0,25 |
|
|
ДЕРЖАВНИЙ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
Список літератури повинен бути поданий загальним списком у міру використання того чи іншого джерела. При написанні тексту
роботи потрібно посилатися на літературні джерела. Посилання наводитьсяСУМСЬКИЙу квадратних дужках, наприклад: (…у роботі [12]). Правила оформлення літератури наведені нижче.
1 Книга
Прізвище та ініціали авторів. Назва книги. - Місто: Назва видавництва, рік видання. - Загальна кількість сторінок (наприклад, 320 с.) або конкретні сторінки (С. 320 - 325).
Наприклад: Парфенов О.Д. Технология микросхем. - Москва: Высшая школа, 1986. – 320 с.
2 Книга за редакцією |
УНІВЕРСИТЕТ |
Назва книги/ За ред. (зазначити прізвище та ініціали автора). - Місто: Назва видавництва, рік видання. - Загальна кількість сторінок (наприклад, 320 с.) або конкретні сторінки (С. 320-325).
Наприклад:Метрологія та вимірювальна техніка / За.ред. Є.С. Поліщука.- Львів: Бескид Біт, 2003.-544 с.
3 Багатотомні видання
Прізвище та ініціали авторів. Назва книги: В 10 т.- - Місто: Назва видавництва, рік видання.- Т.1: Назва 1-го тому. - Загальна кількість сторінок.
Наприклад: Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Теоретическая физика: В 10 т.- Москва: Наука, 1987.- Т.7: Теория упругости.- 248 с.
статті// Назва журналу.- Рік видавництва. - Том та номер журналу (наприклад, Т.6, №5).- Сторінки (С. 36-40).
4 Журнальна статтяДЕРЖАВНИЙ: Прізвище та ініціали авторів. Назва
Наприклад: Проценко І.Ю. , Опанасюк Н.М., Овчаренко Ю.М.,
Шовкопляс О.В. Електрофізичні властивості тонких
полікристалічних плівок Cr, Cu, Ni та Ti Ж//Журнал фізичних досліджень.- 1998.- Т.2, №1.- С.105-108.
5 Тези доповіді
Прізвище та ініціали авторів. Назва доповіді/ Назва конференції та дата проведення. – Місто: Видавництво, рік.- Сторінки ( С. 36 -
40).
СУМСЬКИЙНаприклад: Божко.О.М., Опанасюк Н.М. Використання гетеропереходів у приладах мікроелектроніки /Научно-техническая
конференция преподавателей, сотрудников и студентов физикотехнического факультета, 15-30 апреля.- Сумы: СумГУ, 2003.-
С.114.
|
ДОДАТОКА |
УНІВЕРСИТЕТ |
|
(обов’язковий) |
|
|
|
|
Сумський державний університет |
||
|
Заочний факультет |
|
|
Кафедра прикладної фізики |
|
|
КУРСОВА РОБОТА |
|
|
з дисципліни |
|
|
ДЕРЖАВНИЙ |
|
“ТЕХНОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ЕЛЕКТРОНІКИ” |
||
Тема роботи: |
|
|
СУМСЬКИЙ |
Прізвище, ініціали, |
|
Виконав: |
||
|
група |
|
Перевірив: |
Прізвище, ініціали |
|
Суми – 2005