СУМИ ВИД-ВО СУМ ДУ 2005

Розділ 1 ТЕХНОЛОГIЯ НАПIВПРОВIДНИКОВИХ IНТЕГРАЛЬНИХ МIКРОСХЕМ

1.1 Загальна характеристика технологічного процесу. 1.1.1 Особливостi виробництва напiвпровiдникових

iнтегральних мiкросхем.

1.1.2 Мiкроклiмат та виробнича гiгiєна.

1.1.3 Елементи напівпровідникових інтегральних мікросхем.

1.1.4 Вимоги до кремнiєвих пластин.

1.1.5 Послідовність формування різних типів структур напівпровідникових мікросхем.

1.1.6 Схема технологiчного процесу.

1.2 Легування напівпровідників.

1.2.1Фiзичнi основи процесу термiчної дифузiї.

1.2.2Практичнi способи проведення дифузiї.

1.2.3Методи вивчення характеристик дифузiйних шарiв.

1.2.4Загальна характеристика iонної iмплантацiї.

1.2.5Фiзичнi основи процесу іонної імплантації.

1.2.6Практичні методи проведення iонної iмплантацiї.ДЕРЖАВНИЙ

1.3Епітаксія.

1.3.1Автоепiтаксiя кремнiю хлориновим та силановим методами.

1.3.2Молекулярно-променева епiтаксiя.

1.4Літографія.

1.4.1Загальна характеристика фотолiтографічного процесу.

1.4.2Фоторезисти.

1.4.3Технологія фотолітографічного процесу.

1.4.4Фотошаблони та методи їх використання.

1.4.5Електронолiтографiя.СУМСЬКИЙ

1.4.6Рентгенiвська лiтографiя.

1.4.7Іонна лiтографiя.

Розділ 2 ТЕХНОЛОГIЯ ГIБРИДНИХУНІВЕРСИТЕТIНТЕГРАЛЬНИХ

МIКРОСХЕМ

2.1 Технологiя тонкоплiвкових iнтегральних мiкросхем. 2.1.1 Загальна характеристика технологічного процесу. 2.1.2 Методи нанесення тонких плівок металів.

2.1.3 Технологiя тонкоплiвкових пасивних елементів. 2.2 Технологiя товстоплiвкових iнтегральних мiкросхем.

2.2.1 Пасти для товстоплівкових пасивних елементів. 2.2.2 Трафаретний друк та впалювання елементів. 2.2.3 Пiдгонка товстоплiвкових резисторiв та

конденсаторiв.

Розділ 3 СКЛАДАННЯ МIКРОСХЕМ

3.1Методи та етапи складання.

3.2Роздiлення пластин та пiдкладок.

3.3Монтаж навісних компонентів та плат.

3.4Приєднання зовнішніх виводiв.

3.5Складання мiкросхем на стрiчкових носiях.

3.6Корпуси для iнтегральних мiкросхем та напівпровідникових приладів.

3.7Герметизацiя мiкросхем.

1.2Практичні (семінарські) заняття

1.Типи структур, схема технологічного процесу виготовлення інтегральних мікросхем.

2.Легування монокристалічних напівпровідникових пластин методом термічної дифузії.ДЕРЖАВНИЙ

2 СПИСОКНАВЧАЛЬНО-МЕТОДИЧНОЇЛІТЕРАТУРИ

интегральных микросхем. – Москва: Радио и связь, 1992. – 320 с. 2.Парфенов О.Д. Технология микросхем. - Москва: Высшая школа, 1986. – 320 с.

1.Березин А.С., Мочалкина О.Р. ТехнологияУНІВЕРСИТЕТи конструирование

3.Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. Физические и технологические основы, надежность. - Москва: Высшая школа, 1986. – 464 с.

4.Бер А.Ю., Миксклер Ф.Е. Сборка полупроводниковых и интегральных микросхем. -Москва: 1986. – 279 с.

5.Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. - Москва: Высшая школа, 1983. – 384 с.

6.Пасынков В.В. Материалы электронной техники. - Москва:

Высшая школа, 1980. – 406 с.

7. Курносов А.И. МатериалыДЕРЖАВНИЙдля полупроводниковых приборов и

интегральных микросхем. - Москва: Высшая школа, 1986. – 327 с.

8.Бочаров Л.Н. Электронные приборы. – Москва: Энергия, 1979.-

368 с.

9.Черняев В.Н. Технология производства интегральных микросхем

и микропроцессоров. - Москва: Радио и связь, 1987. - 464 с. 10.Тилл У., Мансон Дж. Интегральные схемы. Материалы,

приборы, изготовление. - Москва: Мир, 1985.-501 с.

11. Моро У. Микролитография. - Москва: Мир, 1990.- 1240 с.

12.Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. - Москва:

Советское радио, 1980. - 424 с.

13.Борисенко А.С., Бавыкин Н.Н. Технология и оборудование для производстваСУМСЬКИЙмикроэлектронных устройств. - Москва:

Машиностроение, 1983.- 320 с.

14.Закалик Л.І., Ткачук Р.А. Основи мікроелектроніки. – Тернопіль: ТДТУ ім. І. Пулюя, 1998.- 352 с. 15.Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры /Под.ред. Л. Ченга и К. Плота.- Москва: Мир, 1989.- 584 с.

16. Аваев Н.А., Наумов Ю.Е., Фролкин В.Т. Основы микроэлектроники.- Москва: Радио и связь, 1991.- 288 с.

17. Сугано Т., Икома Т., Такэиси Е. Введение в микроэлектронику.-

Москва: Мир, 1988.- 320 с.

полупроводниковых приборов. - Москва: Энергия, 1979.- 432 с. 20.Методичні вказівки до лабораторних робiт із курсу "Технологiчнi основи електронiки" /І.Ю. Проценко, А.М. Чорноус, Л.В. Однодворець. – Суми: СумДУ, 1998.- 43 с.

3 КОНТРОЛЬНІЗАВДАННЯ

3.1 Перелік контрольних питань та вправ

1 Зобразити та описати послідовність формування таких структур напівпровідникових мікросхем на прикладі транзистора:

1.8 n-канальної.

1.9 p-канальної.

1.10 КМОН-КНС.

2 Розробити схему технологічного процесу виготовлення таких

2.8 n-канальної.

2.9 p-канальної.

2.10 КМОН-КНС.

3 Зобразити графічно залежність концентрації різних легуючих елементів з глибиною при дифузії їх у кремній протягом 1 години при початковій концентрації N0=5 1016 см–3 , якщо дифузія відбувається при температурі Т, зазначеній в таблиці 2.

Параметри дифузії домішок у кремній:

10 3 якоюметоюу колекторнійобласті транзисторавиготовляють схованийшарзпровідністюn+?

12.Назватиосновнівимогидокремнієвихпластин.

13.Пояснити термін "виробнича гігієна". На скільки класів та за якими критеріями діляться виробничі приміщення за ступенем запиленості?

СУМСЬКИЙ14 Пояснитинедолікиметодутермічноїдифузії.

15 Зобразити та описати схему установки дифузії з використанням рідиннихджерелдомішки.

16 Записати хімічні реакції при дифузії фосфору у кремній при використаннігазоподібнихджерел.

17 Пояснититермін«роздільнадифузія».

18 Яківимогиставлятьсядодифузантів.

19 Як впливає велика густина дислокацій у монокристалінапроцес термічноїдифузії?

22 Якимчиномзабезпечуєтьсявисокачистотадомішок, що впроваджуютьсяприіоннійімплантації?

23 Навести блок-схему установки для іонної імплантації та зазначити назвуосновнихвузлів.

24 Щотакедовжинапробігутасередняпроекціяпробігуіонаприіонній імплантації?

25 Пояснити, щоявляєсобоюневпорядкованийпучокіонів. 26 Пояснити, щоявляєсобоюпучокіонів, якийканалює.

27 Пояснити, зякоюметоюімплантованіпластинивідпалюють. 28 Записати хімічні реакції, які мають місце при епітаксії Si

30 Зобразити та описати установку для епітаксійного нарощування хлориновим методом.

31 Навеститапояснитикомпонуваннявакуумноїкамерипри молекулярно-променевійепітаксії.

32 Зобразититапояснитисхемутехнологічногопроцесуфотолітографічногопроцесу.

33 Учомуполягаєвідмінністьміжнегативнимитапозитивнимифоторезистами?

34 Якіфакторивпливаютьнаобмеженевикористанняфотолітографічного процесу?

літографії? Чимобмеженароздільназдатність?

36 Пояснити, який мінімальний розмір сторони вікна можна отримати у

51 Зобразити та описати компонування вакуумної камери установки для

58 Дати характеристику випарників, які використовуються при отриманні плівокшляхомтермічногорозпилення.

59 Датухарактеристикубезконтактногоспособудрукупасивнихелементів товстоплівковихІМС.

60 Навести схему технологічного процесу виготовлення товстоплівкових ІМС.

61 Датихарактеристикудіелектричнихпастдляконденсатора.

67 Датихарактеристику технологічноїскладовоїпастдлятовстоплівкових

81 Датипорівняльнухарактеристикуіснуючихметодіврозділенняпластин

87 Навести марки та характеристики припоїв, що використовуються при приєднаннікристалівІМСвкорпус.

89 Дати характеристику способу приєднання кристалів ІМС в корпус за допомогоюметалевихсплавів.

90 Пояснити бездротовий монтаж на прикладі приєднання безкорпусного транзисторазадопомогоюкульок.

91 Описати бездротовий монтаж з балочними виводами на прикладі безкорпусноготранзистора.

92 Датизагальнухарактеристикутермокомпресійногозварювання.

93 Якеобмеженевикористаннямаєтермокомпресія?

94 Описатиспосібприєднаннявиводівприультразвуковомузварюванні.

95 Описати приєднання виводів за допомогою непрямого імпульсного нагріву.