Екситони
В ідеальному напівпровіднику при низьких температурах електрони повністю заповнюють валентну зону і тому мінімальна енергія збудження електрона пов’язана з його переходом з валентної зони в зону провідності. При цьому виникають електрон і дірка. При цьому виникають зв’язані стани між електроном і діркою, які Я.І.Френкель в 1931 р. назвав екситонами. Цю задачу вирішили Ваньє і Мотт, тому і екситони названі їхніми іменами.
Якщо розміри екситону великі порівняно зі сталою ґратки, то взаємодію між електроном і діркою можна описати кулонівським потенціалом. Стаціонарне рівняння Шредінґера матиме вигляд:
Перейдемо до координат центра мас і відносної відстані між електроном і діркою:
Рівняння Шредінґера переписується в
нових змінних, розділяється хвильова
функція
При цьому отримаємо два незалежні рівняння
W + Eex = E.
Перше рівняння дає розв’язок руху
центра мас з хвильовим вектором
(4)
а друге має водневоподібну форму з енергією
еВ. (5)
Радіус екситону аналогічно борівському радіусу в атомі водню дорівнює
Å.
Отже, чим більша величина ε, тим більший радіус екситону. Екситони великих радіусів, для яких орбіта охоплює багато елементарних комірок, називаються екситонами Ваньє-Мотта.
Якщо вважати початок суцільного спектра дно зони провідності, тоді нижче нього буде розвиватись водневоподібних спектр екситону:
Eex = Ec – Eex1/n2.
При цьому варто пам’ятати, що на відміну від домішкових локалізованих центрів, екситон постійно рухається (формула (4)).
Оскільки хвильовий вектор екситону пробігає N значень у межах першої зони Бріллюена, то кожному рівню n відповідає зона. Ці зони відповідають станам усього кристалу як цілого.
У кристалі Ge при μ ≈ 0,2 mo і ε ≈ 16 радіус першого стану 80 аБ ≈ 40 Å.
Рівняння Шредінґера для екситону не враховує спінів. Оскільки для електрона і дірки спін ħ/2, то повний спін дорівнює нулю або ħ, тобто є цілочисельним. Отже, екситон є бозоном. Екситон з нульовим спіном є синглетним або параекситоном, а зі спіном ħ – триплетним або ортоекситоном. Енергія триплетного стану лежить нижче синглетного на величину обмінної енергії між електроном і діркою. Оскільки обмінна взаємодія є контактною, вона суттєва лише в точці ρ = 0, тобто для s- станів екситону, і наближено дорівнює відношенню сталої ґратки до борівського радіусу екситону.
До цього часу ми розглядали екситони
для кристалів, у яких мінімум зони
провідності і максимум валентної зони
лежали в одній точці зони Бріллюена. В
такому разі спектр поглинання світла
буде дискретним., оскільки хвильовий
вектор кванта світла близький до нуля.
Це прямі (вертикальні) переходи, оскільки
.
Якщо мінімуми зони провідності і максимуми валентної зони не збігаються, то найменшому проміжку енергій будуть відповідати непрямі переходи, які можливі за умови участі фононів з хвильовим вектором q, який забезпечує закон збереження імпульсу. Будемо мати непрямі переходи. В такому разі в поглинання світла будуть брати участь електрони і дірки з різноманітними величинами хвильових векторів. Тому в спектрі поглинання не буде різких максимумів. Отримаємо лише сходинки на краю власного поглинання.
Якщо валентна зона складається з кількох підзон, то спостерігається скільки екситонних серій, скільки є підзон у валентній зоні. Наприклад, в закису міді спостерігається при 4 К дві серії
E1 = 2,173 – 0,0968/n2 еВ, n = 2, 3, 4, .5, 6.
E2 = 2,306 – 0,154/n2 еВ, n = 2, 3, 4.
Анізотропія CdS проявляється в анізотропії екситонних станів. Спостерігається 3 серії екситонних станів, які відповідають зоні провідності і трьом підзонам валентної зони.
Екситонні зони визначають спектр поглинання і випромінювання напівпровідників в області краю власного поглинання.
Екситони можна локалізувати на локальних центрах (зарядженій чи нейтральній домішці), зробивши їх нерухомими. Енергія зв’язку екситона з локальним центром мала – 10-2 – 10-4 еВ. Проте, це викликає значне збільшення імовірності квантових переходів (сили осцилятора). Наприклад, в CdS сила осцилятора зростає на 3 порядки і більше.
Крім екситонів великого радіуса Ваньє-Мотта існують екситони малого радіуса – Френкеля. Ці екситони спостерігаються в кристалах з малою величиною ε і великою ефективною масою – лужно-галоїдні кристали, молекулярні кристали і кристали інертних газів.
Як домішкові центри так і екситони приводять до появи енергетичних рівнів у забороненій зоні.
