- •Содержание
- •1 Общая часть 1.1 Анализ технического задания
- •1.2 Назначение и принцип действия
- •2.1.1 Выбор конденсаторов
- •2.1.2 Выбор микросхем
- •2.1.3 Выбор предохранителя
- •2.1.4 Выбор светодиода
- •2.1.5 Выбор резисторов
- •2.1.6 Выбор переключателя
- •2.1.7 Выбор диодов
- •2.1.8 Выбор транзисторов
- •2.1.9 Выбор тиристора
- •2.3 Расчет печатной платы
- •2.3 Расчёт надёжности
- •В этом случае интенсивность отказов рассчитывается по формуле: 9
- •2.4 Описание конструкции
2.1.8 Выбор транзисторов
Транзистор – полупроводниковый прибор с одним или несколькими p-n переходами предназначенный для усиления мощностей электрических сигналов.
Все транзисторы делятся на два основных типа: полевые и биполярные. Они различаются в первую очередь основным принципом действия. Управление рабочим током в полевом транзисторе обеспечивается электрическим полем в области управляющего электрода — затвора. В биполярном транзисторе управление производится током на управляющем электроде — базе.
Все транзисторы включают совокупность областей с n- и p-проводимостью, и для каждого типа транзисторов существует комплементарная пара, в которой n-области одного соответствуют p-областям другого и наоборот.
По материалу полупроводника транзисторы подразделяются на:
-германиевые,
-кремниевые.
У биполярного транзистора три электрода: эмиттер, база и коллектор. Ток на базе управляет током эмиттер-коллектор. В зависимости от внутренней структуры биполярные транзисторы бывают типа NPN или PNP
Транзисторы бывают : маломощные, мощные ,средней мощности .В данном устройстве должны использоваться транзисторы средней мощности PNP типа .В схеме выбираются транзисторы KT118A , KT 3107 Б, KT 209 Б.
Основные параметры транзистора KT118A:
-структура p-n-p;
- макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо,макс),В 15;
- макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 15;
- максимально допустимый ток к ( Iкмакс.А) 0.05;
- статический коэффициент передачи тока, мин 10;
- граничная частота коэффициента передачи тока, МГц 1;
- максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.1.
Внешний вид и габаритные размеры корпуса KT118A приведены на рисунке 13
Рисунок 13
Основные параметры транзистора KT 3107Б
- структура p-n-p;
- макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50;
- максимально допустимый ток к ( Iкмакс.А) 0.1;
- статический коэффициент передачи тока h21э мин 120;
- граничная частота коэффициента передачи тока fгр. МГц 200;
- максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.3;
- корпус kt-26.
Внешний вид и габаритные размеры корпуса KT 3107Бприведены на рисунке 14
Рисунок 14
Основные параметры транзистора KT 209 Б
- структура p-n-p;
- макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 15;
- макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 15;
- максимально допустимый ток к ( Iкмакс.А) 0.3;
- статический коэффициент передачи тока h21э мин 40…120;
- граничная частота коэффициента передачи тока fгр. МГц 5;
- максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.2;
- корпус to-92.
Внешний вид и габаритные размеры корпуса KT 209 Б приведены на рисунке 15
Рисунок 15
