- •Глава 6. Полупроводниковые диоды
- •6.1. Выпрямительные диоды
- •6.2. Импульсные диоды
- •6.2.1. Переходные процессы в диодах с p-n переходом
- •Включение диода в прямое направление
- •6.2.2. Пути повышения быстродействия импульсных диодов
- •Диоды с накоплением заряда
- •6.4. Параметрические диоды и варикапы
- •Добротность варикапа
- •6.5. Стабилитроны
- •Варисторы
- •6.6. Сверхвысокочастотные диоды
- •Смесительные диоды
- •Детекторные диоды
- •Переключательные и ограничительные диоды
- •6.7. Туннельные диоды
- •6.8. Диоды Ганна
- •Режим ограничения накопления объемного заряда (оноз)
- •6.9. Лавинно-пролетные диоды
- •Конструкции, параметры и применение генераторов на лпд.
- •Регенеративные усилители на лпд.
- •Усиление мощности в режиме синхронизации.
- •Умножители частоты на лпд.
- •6.10. Инжекционно-пролетные диоды
- •Контрольные вопросы
Глава 6. Полупроводниковые диоды
Полупроводниковые диоды широко применяются в устройствах радиоэлектронной автоматики и вычислительной техники, энергетической электронике и других областях техники.
Условно диоды можно классифицировать по ряду признаков, важнейшими из которых являются:
- назначение и применение;
- механизм работы;
- технология изготовления и конструкция;
- тип полупроводникового материала.
По назначению и применению можно выделить следующие типы диодов:
- выпрямительные диоды;
- импульсные диоды;
- СВЧ-диоды (смесительные, детекторные, коммутационные, переключательные, генераторные, усилительные);
- стабилитроны и стабисторы;
- варикапы и параметрические диоды;
- люминесцентные диоды (светодиоды и лазеры на р-n перехода);
- фотодиоды, магнитодиоды, тензодиоды.
По механизмам работы:
- инжекционные на основе р-n перехода;
- надбарьерная эмиссия основных носителей заряда (барьер Шоттки, гетеропереходы);
- ударная ионизация (стабилитроны, лавинно-пролетные диоды и др.)
- туннельный эффект или автоэлектронная эмиссия (туннельный диод, обращенный диод);
- эффект междолинного перехода электронов в сильном электрическом поле (диод Ганна);
- прямозонная и примесная фотонная рекомбинация (светодиоды, лазеры).
По технологии и конструкции:
- точечные и микросплавные (СВЧ и туннельные диоды);
- контакт металл-полупроводник (диоды Шоттки);
- плоскостные (диффузионные, сплавные, ионная имплантация);
- меза-диоды;
- планарные, эпитаксиально-планарные диоды.
По материалам:
- кремниевые;
- германиевые;
- арсенид галлиевые и тройные соединения на основе GaAlAs, GaPAs и др.
Полупроводниковые диоды характеризуются тремя системами параметров: функциональные характеристики, предельные параметры и характеристики надежности.
Функциональные характеристики определяют назначение диодов и область их применения. Система предельно допустимых значений параметров определяет область безопасной работы, т.е. условия эксплуатации. К параметрам надежности относятся вероятность безотказной работы, интенсивность отказа, гамма-процентная наработка до отказа. Кроме того, в эту систему входят показатели долговечности и сохраняемости.
6.1. Выпрямительные диоды
Выпрямительные диоды предназначены для преобразования переменного тока в постоянный. Частотный диапазон их работы невелик. При преобразовании промышленного переменного тока рабочая частота составляет 50 Гц, а верхняя граница рабочих частот – так называемая предельная частота выпрямительных диодов – как правило, не превышает 500Гц – 20кГц.
Особое место в силовой (энергетической) полупроводниковой электронике занимают силовые диоды (с предельным средним и предельным действующим током 10А и более). Силовые полупроводниковые диоды имеют несколько отличающуюся систему классификации и систему обозначений. По нагрузочной способности в области пробоя силовые диоды подразделяются на выпрямительные, лавинные выпрямительные с контролируемым пробоем.
Для силовых выпрямительных диодов работа в области пробоя недопустима. В соответствии с действующими стандартами (техническими условиями) к этим диодам даже кратковременно не разрешается прикладывать обратные напряжения, приводящие к лавинному пробою p-n переходов.
Лавинные выпрямительные диоды могут в течение ограниченного интервала времени рассеивать импульс приложенной энергии в области пробоя при работе на обратной ВАХ, т.е работать в качестве ограничителя напряжения.
Лавинные выпрямительные диоды с контролируемым пробоем предназначены для работы в установившемся режиме в области пробоя, т.е. могут работать в качестве стабилитронов, в отдельных случаях – в качестве ограничителей напряжения.
Для характеристики выпрямительных
диодов используют следующие параметры:
максимально допустимое постоянное
обратное напряжение Uобр.max
– напряжение, которое может быть
приложено к диоду длительное время без
опасности нарушения его работоспособности
(обычно Uобр.max
≈ 0,5
0,8
Uпроб ,
где Uпроб
– напряжение пробоя); максимально
допустимый постоянный прямой ток Iпр
max ; постоянное
прямое напряжение Uпр
при заданном прямом токе Iпр
= Iпр.max
; максимально допустимый постоянный
обратный ток Iобр.max
– обратный ток утечки диода при
приложении к нему напряжения Uобр.max
; частота без снижения режимов –
верхнее значение частоты, при которой
обеспечиваются заданные токи и
напряжения.
По максимально допустимому выпрямленному
току диоды разбиты на три группы: диоды
малой мощности (Iпр
0,3А), диоды средней мощности (0,3А < Iпр
<10А) и мощные силовые диоды (Iпр
10А).
Иногда в паспорте диода указывают средний выпрямленный ток Iпр.ср , средний обратный ток Iобр.ср , а также импульсный прямой ток Iпр.и или его максимально допустимое значение.
В состав параметров диодов входит диапазон температур окружающей среды (для кремниевых диодов обычно от – 60 до +125° С) и максимальная температура корпуса.
Подавляющее большинство кремниевых диодов имеет p+-n-n+ структуры, т.е. изготавливаются на основе высокоомного кремния n-типа электропроводности. Это связано с тем, что стабильность обратных токов p+-n переходов выше, чем у n+-p переходов. Подвижный заряд положительных ионов металла в защитных слоях на поверхности кремния дрейфует в область ОПЗ низколегированной p-базы и со временем образует канальные области.
В настоящее время производятся выпрямительные диоды на предельные токи до 1600 А, повторяющееся импульсное обратное напряжение от 100 до 4000 В (для отдельных типов диодов), лавинные выпрямительные диоды на предельные токи от 10 до 320 А и повторяющееся импульсные напряжения от 400 до 1500 В, быстродействующие диоды на предельные токи от 80 до 630 А и повторяющееся импульсное обратное напряжение от 500 до 1400 В. Тенденции одновременного увеличения предельного тока, напряжения, повышения быстродействия и снижения прямого напряжения препятствуют физические ограничения. Например, при повышении быстродействия диодов необходимо снижать время жизни неосновных носителей зарядов в базе диода путем введения примесей с глубокими уровнями, при этом, как было показано выше, растет прямое падение напряжения и уменьшается предельно допустимое обратное напряжение диода.
В низковольтных источниках питания в качестве выпрямительных диодов используются диоды Шоттки, имеющие значительно меньшее прямое падение напряжения, чем у кремниевых диодов на основе p-n перехода.
