Контрольные вопросы

1. Каким образом в транзисторе происходит усиление сигналов по мощности? Как должны быть смещены эмиттер и коллектор в усилительном режиме?

2. Почему транзистор, включенный по схеме с общим эмиттером, может усиливать входной ток?

3. Сформулируйте основные требования к структуре биполярного транзистора.

4. Поясните физические процессы, протекающие в структуре транзистора в усилительном режиме. Чем определяются токи эмиттера, коллектора и базы?

5. Объясните физический смысл компонентов коэффициента передачи тока эмиттера.

6. В чем проявляется эффект сильного легирования эмиттера?

7. Перечислите эффекты больших уровней инжекции в базе транзистора.

8. Почему на малых уровнях инжекции возрастает коэффициент передачи тока эмиттера и базы с увеличением тока коллектора?

9. Поясните физическую сущность уменьшения эффективности эмиттера на БУИ.

10. Чем определяется эффект «оттеснения» тока эмиттера?

11. Какие топологии эмиттера предпочтительней при работе в микрорежиме и на больших токах?

12. Что такое эффект Эрли в биполярных транзисторах?

13. В чем заключается сущность эффекта Кирка?

14. В каких режимах работы проявляется эффект квазинасыщения коллектора?

15. Почему на БУИ боковая инжекция из эмиттера приводит к уменьшению коэффициента усиления?

16. Как зависит коэффициент усиления В транзистора от тока коллектора?

17. Объясните зависимость коэффициента усиления от напряжения коллектора.

18. Чем определяется температурная зависимость коэффициента усиления при различных токах коллектора?

19. Как зависит коэффициент усиления гетероструктурного транзистора от температуры?

20. Перечислите статические характеристики транзистора в схемах ОБ и ОЭ.

21. Объясните поведение входных и выходных характеристик в схеме ОБ и ОЭ.

22. Объясните почему максимальное напряжение в схеме с ОЭ (напряжение переворота фазы базового тока) значительно ниже напряжения лавинного пробоя коллекторного перехода .

23. Какими смещениями переходов, зарядами и токами характеризуется режим насыщения транзистора?

24. Чем определяются предельные напряжения транзистора в схемах ОБ и ОЭ?

25. Почему в инверсном включении транзистора остаточное напряжение меньше, чем в нормальном включении?

26. Почему коэффициент усиления транзистора в инверсном включении меньше, чем в нормальном?

27. Чем отличается дрейфовый транзистор от бездрейфового? Какие характеристики дрейфового транзистора улучшаются?

28. Почему в интегральных схемах используют горизонтальный р-n-р транзистор? Какие у него конструктивные особенности?

29. В каких случаях в ИС используют подложечный р-n-р транзистор?

30. С какой целью в ИС используют составные транзисторы по схемам Шиклаи и Дарлингтона?

31. Какие особенности характеристик мощного монолитного составного транзистора по схеме Дарлингтона по сравнению с обычным транзистором?

32. Какова структура и назначение модуляторного транзистора?

33. Какими факторами обеспечивается быстродействие ключа на лавинном транзисторе?

34. Объясните принцип действия однопереходного транзистора и укажите области применения.

35. Почему при работе транзистора в усилительном режиме на переменном сигнале модуль коэффициента усиления уменьшается, а разность фаз между входным и выходным токами увеличивается с ростом частоты?

36. Перечислите приборные граничные частоты биполярного транзистора.

37. Какими параметрами транзистора описываются физические граничные частоты транзистора ?

38. Нарисуйте эквивалентную схему транзистора для малого переменного сигнала. Объясните назначение элементов схемы.

39. Нарисуйте АЧХ и ФЧХ транзистора для схем ОБ и ОЭ. Объясните почему приборная частота .

40. Почему приборная частота единичного усиления экстремально зависит от тока коллектора?

41. Как и почему зависят приборные частоты от напряжения на коллекторном р-n переходе?

42. Какими факторами определяется температурная зависимость приборной частоты ?

43. Объясните особенности структуры СВЧ биполярных транзисторов и назовите области их применения.

44. Почему гетероструктурные биполярные транзисторы более быстродействующие, чем гомогенные?

45. В чем заключается метод представления транзистора четырехполюсником?

46. Почему гибридная система Н – параметров используется для описания биполярного транзистора?

47. Нарисуйте двухгенераторные схемы замещения транзистора для Z, Y, и H – параметров.

48. Приведите связь между Z и H – параметрами для транзистора в схеме ОБ и ОЭ.

49. Нарисуйте эквивалентную схему транзистора в стационарном режиме для модели Эберса – Молла.

50. Напишите основные уравнения зарядоуправляемой модели биполярного транзистора.

51. Нарисуйте эквивалентную схему транзистора по зарядоуправляемой модели для большого сигнала (рисунок 7.89). Объясните назначение элементов.

52. Нарисуйте и объясните Т – образную (рисунок 7.91) и П – образную (рисунок 7.94) схемы малосигнальной модели транзистора.

53. Зарядоуправляемая модель Гуммеля – Пуна для автоматизированного моделирования P – SPICE.

54. Чем отличаются насыщенный и ненасыщенный транзисторные ключи?

55. Перечислите механизмы, протекающие в структуре транзистора при переключении.

56. Перечислите импульсные характеристики транзистора.

57. В чем заключается преимущество метода заряда по сравнению с методом переходных характеристик и эквивалентных схем при анализе импульсных характеристик транзистора?

58. Как влияет режим квазинасыщения коллектора на длительность переходных процессов высоковольтных транзисторов?

59. Поясните особенности работы транзисторного ключа при индуктивной и емкостной нагрузках.

60. В чем заключается конструкторское, физико-технологическое и схемотехническое направления повышения быстродействия импульсных транзисторов?

61. Что такое область безопасной работы транзистора, и какие пути ее расширения?