- •Розділ 2 теоретичне та експериментальне підґрунтя методів біосенсорики з використанням явища поверхневого плазмонного резонансу
- •2.1. Явище поверхневого плазмон-поляритонного резонансу та теоретичне підґрунтя до його використання у біосенсориці
- •2.2. Фактор інгерфейсного потенціалу для відгуку сенсора на поверхневому плазмон-поляритонному резонансі
- •2.3. Теоретичне підґрунтя методу біосенсорики на основі
- •2.3.1. Модель чутливого елемента лгіпр-біосенсора
- •2.3.1.1. Оптичні константи наночастинок золота
- •2.3.1.2. Оптичні константи біомолекулярної складової та оточення
- •2.3.1.3 Особливості модельних геометричних параметрів
- •2.3.2. Методи розрахунку оптичних властивостей чутливого елемента лπпр-біосенсора
- •2.3.2.1. Апарат теорії розсіяння Мі
- •2.3.2.2. Апарат методу скінченно-різницевої часової області.
- •2.4. Технології отримання чутливих елементів ппр-біосенсорів
- •2.4.1. Отримання тонких плівок золота методом термічного
- •Отримання колоїдних розчинів наночастинок золота методом хімічного відновлення
- •Отримання масивів наноструктур золота за допомогою
- •2.4.3.1. Виготовлення шаблону
- •Виготовлення мнс
- •2.5. Методи досліджень морфологічних, оптичних та електрохімічних властивостей чутливих елементів ппр-біосенсорів
- •2.5.1. Атомно-силова мікроскопія
- •Спектроскопія поверхневого плазмон-полиритонного резонансу
- •Оптична спектроскопія
- •2.6. Висновки до розділу 2
Розділ 2 теоретичне та експериментальне підґрунтя методів біосенсорики з використанням явища поверхневого плазмонного резонансу
2.1. Явище поверхневого плазмон-поляритонного резонансу та теоретичне підґрунтя до його використання у біосенсориці
Поверхнева плазмова хвиля — поверхнева хвиля густини заряду, яка може бути утворена на межі поділу між високопровідним металом та діелектриком і поширюється вздовж цієї межі поділу. Квантом енергії цієї хвилі є поверхневий плазмон-поляритон. Поверхневі плазмон-поляритони виникають завдяки колективним коливанням вільних електронів, що знаходяться у приповерхневому шарі металу.
Поверхнева плазмова хвиля поширюється вздовж плоскої межі поділу метал — діелектрик з хвильовим вектором кірр (рис. 2.1), значення якого для
немагнітних середовищ задається наступним співвідношенням [152]
Де
®ψρ
- циклічна
частота поверхневої плазмової хвилі,
с
- швидкість світла, &т
та ed
- діелектричні
проникності металу та діелектрика,
відповідно.
У
випадку слабкого затухання поверхневого
плазмон-поляритону в напрямку поширення,
тобто коли
(де
та
- дійсна та уявна частини діелектричної
проникності металу), можна вважати
відсутніми процеси дисипації та значення
хвильового вектора поверхневого
плазмон-поляритону приблизно дорівнює
Електричне
поле, що переноситься поверхневою
плазмовою хвилею, локалізоване поблизу
межі поділу: воно гармонічно змінюється
вздовж межі поділу і в часі та експоненційно
затухає по обидва боки від неї (рис.
2.1).
Вектор напруженості магнітного поля
хвилі перпендикулярний площині xz.
тому
поверхнева плазмова хвиля є хвилею
ТМ-типу. Відстані від межі поділу в
обидва боки, на яких напруженість
електричного поля хвилі зменшується
в е
разів,
називаються глибинами локалізації
поверхневого плазмон-поляритону
та
(рис.
2.1)
і дорівнюють для металу та діелектрика
[153]
Явище
поверхневого плазмон-поляритонного
резонансу полягає у резонансному
збудженні поверхневих плазмон-поляритонів
квантами світла. Це
можливо при виконанні законів збереження
енергії та імпульсу для системи «фотон
- поверхневий плазмон-поляритон»
де
ω
циклічна
частота світла,
-
проекція хвильового вектору світлової
хвилі
на вісь x.
Співвідношення
(2.5)
накладає
додаткову умову на збудження поверхневого
плазмон-поляригону світлом. Максимальне
значення проекції хвильового вектору
світла у діелектрику на вісь х
складає
.
Так як поверхневий плазмон-поляритон
існує при
,
(що випливає із співвідношення (2.2)
та
від'ємного значення
для забезпечення дійсного
значення
хвильового вектора
,
за
умови відсутності процесів дисипації)
[152],
то
для будь-яких значень
виконується
нерівність
.
Внаслідок
цього поверхневий плазмон-поляритон неможливо збудити, спрямувавши пучок світла в напрямку межі поділу із діелектричного середовища.
Ще одна умова збудження поверхневого плазмон-поляритону накладається
поляризаційною структурою поверхневої плазмової хвилі. Так як вона є хвилею ТМ-типу, то збудити її на плоскій поверхні можна лише p-поляризованим світлом.
Для спостереження явища поверхневого плазмон-поляритонного резонансу на плоскій межі поділу метал - діелектрик застосовують різні оптичні методи, що дозволяють забезпечити виконання умови (2.5). Одним із
найпоширеніших е метод порушеного повного внутрішнього відбивання в геометрії Кречмана в режимі кутового сканування [152], що і застосовувався в цій роботі. Згідно цього підходу, для досягнення рівності проекції хвильового вектора світла на вісь х і хвильового вектора поверхневого плазмон- поляритону використовується конструкція, представлена на рис. 2.2.
Тонка
металева плівка наноситься безпосередньо
на скляну призму з великим показником
заломлення
,
або
на скляну пластинку, що
вводиться
у оптичний контакт з призмою за допомогою
імерсійної рідини. Промінь p-поляризованого
світла спрямовується в призму таким
чином, щоб кут паління світла на грань
призми, над якою знаходиться металева
плівка, перевищував граничний кут
повного внутрішнього відбивання:
. При цьому світло зазнає повного
внутрішньою відбивання і у просторі
над призмою утворюється неоднорідна
електромагнітна хвиля, що загасає вздовж
осі z.
Якщо металева плівка є настільки тонкою,
що поле загасаючої хвилі досягає межі
поділу метал - діелектрик, то при
одночасному виконанні умов (2.4)
та
(2.5)
відбувається
резонансне збудження поверхневих
плазмових хвиль на поверхні металевої
плівки. Це виявляється у зменшенні
інтенсивності відбитого від металевої
плівки світла.
У
методі ППВВ у геометрії Кречмана з
використанням монохроматичного
випромінювання виконання умови (2.5)
досягається
шляхом зміни кута падіння світла у
призмі. При цьому експериментально
отримується залежність інтенсивності
відбитого світла від кута падіння, що
називається ПППР-кривою (рис. 2.3).
ПППР-крива
має виражений мінімум при певному
значенні кута падіння
, що
називається кутом поверхневого
плазмон-поляритонного резонансу. Цей
мінімум інтенсивності відбитого світла
відповідає резонансному збудженню
поверхневих плазмон-поляритонних
коливань. Значення кута
для
системи двох напівнескінченних середовищ
метал - діелектрик визначається з умови
(2.6),
що
отримується із співвідношень (2.2),
(2.4) та
(2.5):
Співвідношення (2.6) вказує на залежність значення кута від діелектричних проникностей металу та діелектрика. Таким чином, вимірювання кута поверхневого плазмон-поляритонного резонансу дозволяє досліджувати процеси в багатошаровій системі ПППР-сенсора, що супроводжуються змінами оптичних властивостей складових системи. Зокрема, найширше застосування отримало застосування ПППР-сенсорів для дослідження біомолекулярних процесів, таких, як адсорбція, зв’язування та перетворення різних класів біомолекул, що призводять до локальних змін показника заломлення поблизу поверхні металевої плівки та викликають зміну значення кута , яка використовується в якості оптичного відгуку ПГІПР-біосенсора.
Так як реальний ПППР-сенсор є багатошаровою системою, яка, зазвичай містить у своєму складі тонкі металеві та діелектричні шари, а також інші компоненти, що впливають на вигляд та положення мінімуму ППГІР-кривої, то для теоретичного обгрунтування його роботи потрібно розглядати більш загальну проблему відбивання р-поляризованого світла багатошаровою
системою. Цю задачу можна розв'язати з використанням формалізму матриці розсіяння, яка описує загальні властивості відбивання і пропускання світла шаруватою системою [ 154].
Розглянемо багатошарову структуру, що складається з т шарів, які оточені двома напівнескінченними середовищами, позначеними 0 та m +1 (рис. 2.4). Матриця розсіяння S - матриця розміру 2x2, що пов’язує комплексні напруженості електричних полів на першій та останній межах поділу багатошарової структури:
де індекси та позначають дві складові хвилі сумарного поля, що розповсюджуються в додатному та від’ємному напрямках по відношенню до осі z. Матрицю S можна представити як добуток матриць меж поділу L та шарів L, що описують вплив окремих шарів та меж поділу у багатошаровій структурі:
Матриці
меж поділу та шарів виглядають наступним
чином:
де
та
-
френелівські амплітудні коефіцієнти
пропускання та
відбивання
p-поляризованого
світла для межі j(j
+1),
фазова
товщина j
-го шару, dj -
товщина j
-го шару, Nj
—
комплексний показник заломлення j
-го шару,
— кут між
напрямком поширення світла і перпендикуляром
до межі поділу в j
-ому шарі.
Френелівські амплітудні коефіцієнти пропускання та відбивання р- поляризованого світла для межі j(j +1) задаються наступними співвідношеннями [155]:
Розрахувавши матрицю розсіяння багатошарової системи, можна визначити відбивальну здатність багатошарової структури для р- поляризованого світла:
де індекси позначають відповідні елементи матриці S. Із розрахованої залежності R(θ0) для досліджуваної багатошарової системи при θ0 > 0TIR отримується кутове положення мінімуму θSPPR, яке відповідає виникненню явища ПППР.
