13.4. Дтл және ттл логикалық элементтер

Қазіргі логикалық элементтер бір микросұлбалалық лекке (серия) жататын интегралдық микросұлбалар түрінде жасалады. Мысалы, 13.3суретте көрсетілген сұлбаның негізінде 156ДТЛтектес көптеген ИНЕ элементтер легі құрастырылады. Тағы сол сияқты, 1ЛБ566А микросұлба (13.4сурет) 4ИНЕ элементі ретінде құрылған, оның 13.3суреттегі сұлбадан айырмашылығы сол, мұндағы инвертер 4 транзисторға негізделген күрделірек, ал бірақ диодтары жоқ.

13.4суретте ИНЕ легіне жататын қарапайым инверторлы ТТЛ (транзистор - транзисторлық логика)  элементінің сұлбасы берілген. ТТЛ  элементтерінің іс әрекеттері ДТЛ  элементтеріне салыстырғанда шапшаңырақ. Мұнда И операциясын көп эмиттерлі транзистор атқарады, ал транзистор инвертор ретінде алынған.

13.4  сурет

Көп эмиттерлі транзистор интегралдық технология әдісімен оңай жасалады және ол ТТЛ  элементтің негізін құрайды.

Егер барлық кірістерге ( транзистордың эмиттерлері) «1» сигналы (жоғары потенциал) әсер етсе, онда транзистордың эмиттер  базаларының барлық ауысулары жабылады. транзистордың базасының потенциалы нөл мәнге жуықтайды да, транзистордың ток көзіне тура қосылған коллектор  базасының ауысуы ашылады. транзистордың коллекторлық ауысуының тогі транзистордың эмиттербазасының ауысуы арқылы өтеді. транзистор қанығу режіміне көшіп, оның шығысында «0» сигнал (төменгі потенциал) пайда болады. Егер кірістердің біреуінде «0» сигнал пайда болса, онда транзистордың оған сәйкес келген эмиттер  базасынының ауысуы ашылады. Оның базасының тогі

коллектордың тізбегінен эмиттерге ауысады. Нәтижесінде транзистор жабылады да оның шығысында жоғары потенциал («1») пайда болады. Демек, шығыс сигналы «0» болу үшін барлық кірістерге «1» сигналы берілген болу керек, Сөйтіп, осылайша ИНЕ операциясы атқарылады.

Практикада элементтің жүктемелік қабілетін арттыру үшін күрделі инверторлы ТТЛ  элементтерін жиі қолданады. Міне, сондай ИНЕ элементтерінің бірінің сұлбасы келесі 13.5суретте көрсетілген. Мұндағы транзисторды жүктеме ретінде пайдаланған транзистор эмиттерлік қайталаушы функциясын атқарады.

13.5  Сурет

Алдыңғы сұлбада қарастырғанымыздағыдай барлық кірістерге «1» сигналы берілген жағдайда транзистор қанығады. Сонымен қатар, транзистордың эмиттерінің тогі резистор арқылы жүрген кезде оның кедергісіне түскен кернеу (жоғары потенциал) транзистордың кірісіне берілетіндіктен ( нүкте), ол қанығады. транзистордың коллекторының потенциалы ( нүкте) төмен болуына байланысты, транзистор жабылады.

Кірістердің қайбіреуінің сигналы «0» болса, транзистор жабылады да, нүктенің потенциалы жоғарлауына байланысты транзистор ашылып, эмиттерлік қайталаушы ретінде жұмыстайды. диод транзистордың ығысу режімін қамтамасыз етеді, яғни транзистор қаныққан кезде транзистор жабық күйде болу керек. Сөйтіп, диодтың тура кернеуі транзисторды жабуға арналады.

13.5суретте көрсетілген сұлбаның негізінде 1ЛБ344Атектес ИНЕ элементтерінің 134 легі құрастырылған. Кең таралған 133 және 155 лектерінің ИНЕ элементтерінің сұлбаларында үлкен айырмашылық болмайды.

Логикалық ИНЕ элементтері МОП (металлоксидшалаөткізгіш)  транзисторларына да негізделіп құрылады. Олар жоғарыда қарастырған элементтерден коректенетін энергия көзінің қуаты аз және кіріс кедергілері үлкен болуымен ерекшеленеді.