- •Содержание конспекта лекций
- •Введение
- •Тема №1: Основные законы теории твердого тела лекция №1: особенности строения твердых тел
- •1 Краткая историческая справка
- •2 Классификация твердых тел по проводимости
- •3 Понятие ковалентной связи
- •Лекция №2: Основы зонной теории твердого тела
- •1 Энергетические диаграммы уединенного атома и твердых тел
- •2 Обобщение некоторых выводов зонной теории для объяснения электропроводности и классификации твердых тел
- •3 Электроны в твердом теле
- •1 Структура полупроводников
- •2 Дефекты кристаллической решетки
- •3 Поверхность кристалла
- •Тема №2: Основы теории полупроводников Лекция №4: Электрофизические свойства полупроводников
- •1 Электроны и дырки в кристаллической решетке полупроводника
- •2 Собственные и примесные полупроводники
- •3 Носители заряда и их распределение в зонах проводимости
- •1 Рекомбинация носителей заряда
- •2 Законы движения носителей заряда в полупроводниках
- •Лекция №6: Эффект внешнего поля
- •1 Общие сведения об эффекте поля
- •2 Эффект поля в собственном полупроводнике
- •3 Эффект поля в примесном полупроводнике
- •1 Структура p-n-перехода
- •2 Равновесное состояние p-n-перехода
- •3 Неравновесное состояние p-n-перехода
- •4 Вольт-амперная характеристика p-n-перехода
- •1 Контакты полупроводник—металл
- •2 Граница полупроводник—диэлектрик
- •3 Гетеропереходы
- •1 Барьерная емкость электронно-дырочного перехода
- •1.1 Барьерная емкость как проявление токов смещения
- •1.2 Общее соотношение для барьерной емкости электронно-дырочного перехода
- •1.3 Частные соотношения для барьерной емкости различных электронно-дырочных переходов
- •1.4 Ширина области объемного заряда. Зарядная емкость перехода
- •2 Диффузионная емкость
- •1 Туннельный (зенеровский) пробой
- •2 Лавинный пробой
- •3 Тепловой пробой
- •3.1 Вах с учетом тепловыдепения в p-n-переходе
- •3.2 Расчет пробивного напряжения при тепловом пробое
- •3.3 Особенности теплового пробоя в реальных диодах
- •4 Поверхностный пробой
- •1 Поглощение света
- •2 Фоторезистивный эффект
- •3 Люминесценция полупроводников
- •1 Э.Д.С., возникающая в полупроводнике при его освещении
- •1.1 Воздействие света на p-n-переход
- •1.2 Основные характеристики и параметры
- •2 Спонтанное и индуцированное излучение
- •1 Эффекты Пельтье и Зеебека
- •2 Гальваномагнитный эффект Холла
- •1. Работа выхода
- •1.1 Электроны в металле
- •1.2 Выход электронов из металла
- •2 Виды электронной эмиссии
- •2.1 Термоэлектронная эмиссия
- •2.2 Электростатическая электронная эмиссия
- •2.3 Вторичная электронная эмиссия
- •2.4 Электронная эмиссия под ударами тяжелых частиц
- •1 Электрические явления в газе, понятие о плазме
- •2 Рис.5.12 Схема для снятия вольтамперной характеристики ионного прибора Вольтамперная характеристика газового разряда
3 Понятие ковалентной связи
Атомы таких распространенных полупроводниковых веществ, как кремний и германий, имеют соответственно по 14 и 32 электрона, которые распределяются по оболочкам следующим образом:
Материал |
Первая оболочка |
Вторая оболочка |
Третья оболочка |
Четвертая оболочка |
||||||
|
1s |
2s |
2р |
3s |
3р |
3d |
4s |
4р |
4d |
4f |
Si |
2 |
2 |
6 |
2 |
2 |
0 |
0 |
0 |
о |
о |
Ge |
2 |
2 |
6 |
2 |
6 |
10 |
2 |
2 |
о |
о |
Первая и вторая электронные оболочки у кремния и у германия идентичны. Очень сходны у них и внешние оболочки — каждая имеет по 4 электрона. У кремния внешней оболочкой является третья, у германия — четвертая.
Внутренние оболочки (первая и вторая у кремния, и первая, вторая и третья у германия) являются полностью заполненными устойчивыми оболочками. Отсутствие свободных уровней в этих оболочках говорит о том, что эти оболочки не могут принимать дополнительных электронов, а, следовательно, не могут участвовать и во взаимодействии между атомами. В пределах этих оболочек электроны не могут изменять свою энергию (например, под действием сил электрического поля), а это значит, что они не будут принимать участия и в процессе проводимости. Поэтому мы не будем рассматривать внутренние оболочки и ограничимся только внешними, частично заполненными оболочками.
Внешняя оболочка, как германия, так и кремния образована четырьмя электронами.
Рис. 1.1 Образование ковалентных связей в кристалле германия: а) схема дополнения внешней электронной оболочки атома германия до 8 электронов, б) плоскостное изображение кристаллической решетки. |
В кристалле германия или кремния атомы располагаются упорядоченно на таких расстояниях друг от друга, что их внешние электронные оболочки перекрываются. Взаимодействие внешних электронных оболочек проявляется в том, что у электронов соседних атомов появляются общие орбиты, на которых в соответствии с принципом запрета Паули может находиться не более двух электронов с противоположными спинами. Эти общие орбиты связывают между собой атомы германия или кремния, образуя так называемые ковалентные, или парноэлектронные связи.
В этом случае каждый рассматриваемый нами атом (рис. 1.а) как бы дополняет свою внешнюю оболочку до 8 электронов. Внешние электронные оболочки атомов в кристалле принимают устойчивое состояние, подобное внутренним электронным оболочкам.
На рис. 1.б изображена такая кристаллическая решетка на плоскости. Ковалентные связи изображены в виде двух параллельных линий.
В этих решетках каждый атом связан с четырьмя соседними с помощью пары валентных электронов, находящихся на общей орбите и принадлежащих обоим атомам.
На плоской картине ее условно обозначают двумя линиями, соединяющими два узла кристаллической решетки.
В кристалле чистого полупроводника при температуре абсолютного нуля (Т = 0К) валентные электроны прочно связаны с ядрами атомов посредством ковалентных связей. В этих условиях полупроводник является диэлектриком, а каждый атом — нейтральным.
При температуре Т 0К часть электронов под действием тепловой энергии разрывает ковалентные связи и переходит из валентной зоны в зону проводимости.
Электроны, потерявшие связь с атомами, становятся свободными и называются электронами проводимости.
Выводы по лекции
С точки зрения электропроводимости все материалы можно разделить на проводники, диэлектрики и полупроводники.
Принципы проводимости у проводников, диэлектриков и полупроводников разные.
Если поместить рассматриваемый нами объем металла в электрическое поле (подключить к нему источник напряжения), то электрическое поле будет увлекать электроны. Движущиеся в самых различных направлениях электроны под действием сил поля будут несколько изменять траектории своего движения. Электроны, движущиеся вдоль силовых линий электрического поля Е, будут им тормозиться, а электроны, движущиеся в направлении, противоположном направлению сил поля, ускоряться.
Такое упорядоченное смещение электронов в электрическом поле носит название дрейфа. Дрейф электронов в электрическом поле, т. е. упорядоченное движение зарядов в одном направлении, представляет собой электрический ток.
В кристалле германия или кремния атомы располагаются упорядоченно на таких расстояниях друг от друга, что их внешние электронные оболочки перекрываются. Взаимодействие внешних электронных оболочек проявляется в том, что у электронов соседних атомов появляются общие орбиты. Эти общие орбиты связывают между собой атомы германия или кремния, образуя так называемые ковалентные, или парноэлектронные связи. На плоской картине ее условно обозначают двумя линиями, соединяющими два узла кристаллической решетки.
