- •1) Электронные приборы; токи в полупроводниках.
- •2)Электронно-дырочный переход
- •3)P-n-переход: распределение заряда; явления при подаче внешнего напряжения; вах;
- •4)Полупроводниковые диоды
- •5.1) Механизмы возникновения пробоев в полупроводниках
- •5.2) Механизмы возникновения пробоев в полупроводниках
- •6)Выпрямительные диоды
- •7.1) Стабилитроны, Варикапы
- •7.2) Стабилитроны, Варикапы
- •8)Бт (токи в бт)
- •9) Статические характеристики в схемах с об и оэ
- •10) Дифференциальные параметры бт. Системы параметров
- •11) Частотные свойства бт
- •12) Пт с управляемым p-n-переходом и каналом n-типа
- •13)Пт с изолированным затвором и индуцированным каналом
- •14) Пт с изолированным затвором и встроенным каналом
- •15) Статистические параметры пт
- •16)Усилители; Искажение сигнала
- •17) Способы обеспечения режима по постоянному току усилительных каскадов
- •18.1)Режимы работы усилительных каскадов
- •18.2)Режимы работы усилительных каскадов
- •19) Обратные связи усилительных каскадов
- •20)Каскады предварительного усиления
- •21)Усилители постоянного тока
- •22) Дифференциальные усилители
- •23) Операционные усилители; Параметры оу
- •25)Электронные ключи; Ключи на бт с диодом Шотки
- •26) Ключи на пт
- •27)Алгебра логики
- •28)Диодно-транзисторная логика
- •29)Транзисторно-транзисторная логика
- •30)Логика на пт
- •31)Кмоп логика
- •32) Эмиттерно-связанная логика
- •33)Интегрально-инжекционная логика
- •34) Параметры логических элементов
- •35) Rs триггер(асинхронный, синхронный)
- •36) Триггеры: d, t,jk
32) Эмиттерно-связанная логика
Эми́ттерно-свя́занная ло́гика (ЭСЛ) — семейство цифровых интегральных микросхем на основе дифференциальных транзисторных каскадов. ЭСЛ является самой быстродействующей из всех типов логики, построенной на биполярных транзисторах. Это объясняется тем, что транзисторы в ЭСЛ работают в линейном режиме, не переходя в режим насыщения, выход из которого замедлен. Низкие значения логических перепадов в ЭСЛ-логике способствуют снижению влияния на быстродействие паразитных ёмкостей.
Основная деталь ЭСЛ-логики — схема потенциального сравнения, собранная не на диодах (как в ДТЛ), а на транзисторах. Схема представляет собой транзисторы, соединённые эмиттерами и подключенные к корпусу (или питанию) через резистор. При этом транзистор у которого напряжение на базе выше пропускает через себя основной ток. Как правило один транзистор в схеме сравнения подключен к опорному уровню, равному напряжению логического порога, а остальные транзисторы являются входами. Выходные цепи схемы сравнения поступают на усилительные транзисторы, а с них — на выходные эмиттерные повторители.
Эмиттерный повторитель — способ включения транзистора, когда коллектор подключен к шине питания, а эмиттер является выходом. Напряжение на выходе эмиттера практически соответствует напряжению на базе, куда подаётся входной сигнал. Поэтому он и называется повторителем. Повторитель усиливает ток, не усиливая напряжения. Используется в основном для согласования высокого выходного сопротивление источника сигнала с малым сопротивлением нагрузки.
Особенностью ЭСЛ является повышенные скорость (150 МГц уже в первых образцах 60-х годов и 0,5-2ГГц в 70-80хх) и энергопотребление по сравнению с ТТЛ и КМОП (на низких частотах, на высоких — примерно равное), низкая помехоустойчивость, низкая степень интеграции (ограниченная, в частности, большой потребляемой мощностью каждого элемента, что не позволяет разместить в одном корпусе много элементов, т.к. это приведёт к перегреву) и как следствие — высокая стоимость.
33)Интегрально-инжекционная логика
Интегрально-инжекционная логика (ИИЛ, И2Л, И3Л, I2L) — технология построения логических электронных схем. Интегрально-инжекционная логика появилась в 1971 г. Преимущества таких ИМС -
Высокая степень интеграции
Малое потребление энергии на одно переключение ~ 1/10¹²Дж.
Низкие напряжение питания: 1-3 В.
ИИЛ многие ошибочно считают разновидностью транзисторно-транзисторной логики. Это не так. Между ними нет ничего общего. В основе логики ИИЛ лежит использование «особых» транзисторов с обеднённой базой. Эти транзисторы не способны проводить ток из-за нехватки носителей зарядов в базе. Поэтому рядом с транзистором находится «инжектор» — электрод «добавляющий» или как говорят «инжектирующий» заряд в базу. При этом транзистор как бы включается и может выполнять полезную работу.
При проектировании микросхем ИИЛ основную роль отводят именно инжекторам. Эмитеры как правило соединены — ими является подложка микросхемы. На поверхности кристалла находятся только базы, а на базах коллекторы. Таким образом ИИЛ-транзистор по размеру (если не считать инжектора) меньше МОП-транзистора. Причём один инжектор может использоваться для многих транзисторов.
Преимущества ИИЛ: высокая экономичность, высокое быстродействие, высокая плотность транзисторов на кристалле (иногда выше чем МОП), иногда меньшая стоимость, чем у устройств, построенных по принципам других логик .
После развала СССР, где на ИИЛ возлагали большие надежды, данная логика почти забыта.
