- •1) Электронные приборы; токи в полупроводниках.
- •2)Электронно-дырочный переход
- •3)P-n-переход: распределение заряда; явления при подаче внешнего напряжения; вах;
- •4)Полупроводниковые диоды
- •5.1) Механизмы возникновения пробоев в полупроводниках
- •5.2) Механизмы возникновения пробоев в полупроводниках
- •6)Выпрямительные диоды
- •7.1) Стабилитроны, Варикапы
- •7.2) Стабилитроны, Варикапы
- •8)Бт (токи в бт)
- •9) Статические характеристики в схемах с об и оэ
- •10) Дифференциальные параметры бт. Системы параметров
- •11) Частотные свойства бт
- •12) Пт с управляемым p-n-переходом и каналом n-типа
- •13)Пт с изолированным затвором и индуцированным каналом
- •14) Пт с изолированным затвором и встроенным каналом
- •15) Статистические параметры пт
- •16)Усилители; Искажение сигнала
- •17) Способы обеспечения режима по постоянному току усилительных каскадов
- •18.1)Режимы работы усилительных каскадов
- •18.2)Режимы работы усилительных каскадов
- •19) Обратные связи усилительных каскадов
- •20)Каскады предварительного усиления
- •21)Усилители постоянного тока
- •22) Дифференциальные усилители
- •23) Операционные усилители; Параметры оу
- •25)Электронные ключи; Ключи на бт с диодом Шотки
- •26) Ключи на пт
- •27)Алгебра логики
- •28)Диодно-транзисторная логика
- •29)Транзисторно-транзисторная логика
- •30)Логика на пт
- •31)Кмоп логика
- •32) Эмиттерно-связанная логика
- •33)Интегрально-инжекционная логика
- •34) Параметры логических элементов
- •35) Rs триггер(асинхронный, синхронный)
- •36) Триггеры: d, t,jk
30)Логика на пт
Используется с транзисторами с изолированным затвором и индуцированным каналом.
В данных сх-х Т2 и Т3 – ключевые тр-ры, а Т1 – нагрузочный.
Логическая операция «ИЛИ-НЕ».Т2 и Т3 подключаются последовательно. Пусть на входы 1 схемы подается низкий потенциал. Он ниже порогового напряжения ключевых тр-ров, поэтому они закрыты, а нагрузочный тр-р открыт и через него протекает большой ток. Т.к. тр-ры подключены последовательно то ток цепи определяется током закрытого тр-ра поэтому на вых снимается высокий потенциал. Если на входы подать высокий потенциал, то тр-ры Т2 и Т3открываются и по ним протекает большой ток стока. Т.к. Т1 всегда открыт то по цепи протекает большой ток и на вых формируется низкий потенциал.
Логическая операция «И-НЕ».Т2 и Т3 подключаются параллельно. Если на логические входы подать высокий потенциал то тр-ры Т2 и Т3открыты и по ним протекает большой ток стока. Т.к. Т1 всегда открыт то по цепи протекает большой ток и на вых формируется низкий потенциал. Причем он в 2 раза выше потенциала в схеме с ИЛИ.
Недостаток: т.к. нагрузочный тр-р всегда открыт он потребляет энергию
31)Кмоп логика
К
МОП
(К-МОП; комплементарная логика на
транзисторах металл-оксид-полупроводник;
англ.CMOS,Complementary-symmetry/metal-oxidesemiconductor) — технология
построения электронных схем. В технологии
КМОП используются полевые транзисторы
с изолированным затвором с каналами
разной проводимости. Отличительной
особенностью схем КМОП по сравнению с
биполярными технологиями (ТТЛ, ЭСЛ и
др.) является очень малое энергопотребление
в статическом режиме (в большинстве
случаев можно считать, что энергия
потребляется только во время переключения
состояний). Отличительной особенностью
структуры КМОП по сравнению с другими
МОП-структурами (N-МОП,P-МОП) является наличие
какn-, так иp-канальных
полевых транзисторов; как следствие,
КМОП-схемы обладают более высоким
быстродействием и меньшим энергопотреблением,
однако при этом характеризуются более
сложным технологическим процессом
изготовления и меньшей плотностью
упаковки. Подавляющее большинство
современных логических микросхем, в
том числе, процессоров, используют
схемотехнику КМОП.
Технология:
Для
примера рассмотрим схему вентиля 2И-НЕ,
построенного по технологии КМОП.
Если на оба входа AиBподан высокий уровень, то оба транзистора снизу на схеме открыты, а оба верхних закрыты, то есть выход соединён с землёй.
Если хотя бы на один из входов подать низкий уровень, соответствующий транзистор сверху будет открыт, а снизу закрыт. Таким образом, выход будет соединён с напряжением питания и отсоединён от земли.
В схеме нет никаких нагрузочных сопротивлений, поэтому в статическом состоянии через КМОП-схему протекают только токи утечки через закрытые транзисторы, и энергопотребление очень мало. При переключениях электрическая энергия тратится в основном на заряд емкостей затворов и проводников, так что потребляемая (и рассеиваемая) мощность пропорциональна частоте этих переключений (например, тактовой частоте процессора).
