23. Пт с изолированным затвором и индуцированным каналом

Характерное отличие полевых транзисторов с изолированным затвором состоит в том, что у них между металлическим затвором и областью полупроводника находится слой диэлектрика – двуокись кремния SiO₂. Поэтому полевые транзисторы с изолированным затвором называются МДП (металл-диэлектрик-полупроводник) или МОП (металл-окисел-полупроводник). Выпускаются МДП-транзисторы с индуцированным и встроенным каналом. В основе действия МДП-транзистора лежит эффект поля, представляющий собой изменение величины и типа электропроводности полупроводника вблизи его границы с диэлектриком под действием приложенного напряжения. Если к затвору приложить отрицательное напряжение, то дырки будут притягиваться к диэлектрику SiO₂ и на поверхности полупроводника образуется слой с высокой их концентрацией. Такой режим называется режимом обогащения канала. При подаче на затвор положительного напряжения дырки выталкиваются от поверхности полупроводника и образуется слой с уменьшенной концентраций дырок. Такой режим называется режимом обеднения. Электроны из полупроводника p-типа будут притягиваться к диэлектрику, и у поверхности полупроводника р-типа образуется слой с электропроводностью n-типа. Таким образом, между истоком и стоком образуется область n⁺-n-n⁺ типа. Такой режим называется инверсией электропроводности. Изменяя напряжения на затворе, можно изменять сопротивление канала.

В МДП-транзисторе с индуцированным каналом n-типа (рис. 2,а) при напряжении на затворе U_зи = 0 канал отсутствует и при U_си > 0 ток стока будет равен нулю. При увеличении положительного напряжения на затворе, начиная с некоторого значения U_зи пор наступает инверсия электропроводности и происходит образование канала (рис. 2,а). Это напряжение называется пороговым. В справочниках обычно в качестве порогового приводятся значения U_зи, при которых ток стока I_с = 10 мкА. При U_зи > U_зи пор в МДП-транзисторах с n-каналом увеличение напряжения на затворе будет приводить к уменьшению сопротивления канала за счет обогащения поверхности канала электронами, ток стока при этом будет увеличиваться. Отсюда видно, что МДП-транзистор с индуцированным каналом работает только в режиме обогащения.

25.Частотные и температурные свойства пт

26. Диоды и триоды, тиристоры

27.Фоторезисторы

28.Фотодиоды и фототранзисторы

30.Фотогальванические элементы

31.

32.ЖКИ индикаторы

33.Электронно лучевые трубки

35.Аналоговые утройства

36.Усилительные устройства

37.Схемы усилительных коскадов

38.Графо-аналитический метод расчета усилительных коскадов

40.Многокоскадные усилители

42.Усилители постоянного тока

43.Дифференциальные уселители

44.Операционные усилители

45.Обратные связи усилителя

47-48.Электронные ключи; Ключи на БТ с диодом Шотки

Электронными ключами наз. схемы, предназначенные для замыкания или размыкания эл. цепей под действием внешних управляющих сигналов. В бесконтактных Эл. ключах используются нелинейные активные элементы: полупроводниковые диоды, биполярные и полевые транзисторы, тиристоры. Эл. ключи обладают большим быстродействием и надежностью. В зависимости от назначения ключевые схемы бывают: цифровые и аналоговые. Цифровые ключи исп. в устройствах вычислительной техники, цифр. связи дискретной автоматики. Аналог. ключи исп. в аналогово-цифр. преобразователях, в устройствах измерения и управления. Эл. ключи опис. передаточной хар-кой, определ. зависимость выходного напряжения от входного - см рис. Цифрой 1 обозначена хар-ка интвертирующих схем, у котор. низким вх. напряжением соот. высокие выходные, а цифрой 2 –хар-ки неинвертирующих схем, у котор. низким вых. напряж. соотв. низкие вых. В транзисторном ключе 2а его устойчивых состояния -разомкнутое и замкнутое соотв. пологим участкам (точки А и В). В т.А ключ разомкнут и на нем падает большое напряжение, а в т.В ключ замкнут и падение напряжения на нем близко к нулю. Форма передаточной хар-ки. между точками А и В несущественна, если она и меняется, то вых. сигналы остаются практически неизменными. Это значит, что ключи мало чувствительны к разбросу параметров, к их температурной зав-ти, к изменению параметров во времени, к внешним электромагнитным помехам и собственным шумам. В усилит. каскадах исп. линейный участок переаточной хар-ки между т. А и В. Вход. и выходные сигналы могут принимать любые знач. в пределах этого участка и связаны между собой зависимостью. Очевидно, что любая деформация научастке АВ будет отражаться на указанной зав-ти и на работе схемы.Усилительный каскад чувствителен к разбросу параметров, к их температурному и временному дрейфам, к шумам и наводкам.