Министерство образования Республики Беларусь
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Кафедра электроники
Отчет по лабораторной работе 2 "Исследование полевых транзисторов"
Проверил: |
Выполнил: ст. группы 120602 |
Осипенко Н.С. |
|
Минск 2013
1Цели работы
1.Изучение устройствa, режимов работы, принципа действия и области применения полевых транзисторов.
2.Экспериментальное исследование статических ВАХ транзисторов и определение дифференциальных параметров полевых транзисторов.
2Исходные данные
Рисунок 2.1. Электрическая схема ПТ с |
|
Рисунок 2.2. Электрическая схема |
|||||
|
управляющим p-n-переходом с ОИ |
|
МДП-транзистора с индуцированным |
||||
|
|
|
|
|
|
каналом с ОИ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Канал |
, ìÀ/ |
|
ÇÈ ÏÎÐ, Â |
, ìÂò |
|
, , ìÀ |
|
транзистора |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Таблица 2.1: Паспортные данные ПТ с управляющим p-n-переходом с ОИ |
||||||
|
|
|
|
|
|
||
|
Канал |
, ìÀ/ |
|
ÇÈ ÏÎÐ, Â |
, ìÂò |
|
, , ìÀ |
|
транзистора |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Таблица 2.2: Паспортные данные МДП-транзистора с индуцированным каналом с ОИ
2
3Результаты экспериментальных исследований
∙Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом с ОИ.
1.Характеристика = ( ÇÈ):
ÇÈ, Â
, ìÀ
Таблица 3.3: Измерения при ÑÈ = 5 Â
ÇÈîòñ =
2. Характеристики = ( CÈ) в зависимости от разных значений напряжения ÇÈ:
CÈ, Â
, ìÀ
Таблица 3.4: Измерения при ÇÈ = 0 Â
CÈ, Â
, ìÀ
Таблица 3.5: Измерения при ÇÈ = 0, 3 * ÇÈîòñ = |
 |
CÈ, Â
, ìÀ
Таблица 3.6: Измерения при ÇÈ = 0, 6 * ÇÈîòñ = |
 |
Рисунок 3.3. График зависимости ( ÇÈ) |
Рисунок 3.4. График зависимости ( CÈ) |
3
∙МДП-транзистор с индуцированным каналом с ОИ.
1.Характеристика = ( ÇÈ):
ÇÈ, Â
, ìÀ
Таблица 3.7: Измерения при ÑÈ = 5 Â
ÇÈïîð =
2. Характеристики = ( CÈ) в зависимости от разных значений напряжения ÇÈ:
ÑÈ, Â
, ìÀ
Таблица 3.8: Измерения при ÇÈ = 1, 5 * ÇÈïîð = Â
ÑÈ, Â
, ìÀ
Таблица 3.9: Измерения при ÇÈ = 2, 5 * ÇÈïîð = |
 |
ÑÈ, Â
, ìÀ
Таблица 3.10: Измерения при ÇÈ = 3, 5 * ÇÈïîð = |
 |
Рисунок 3.5. График зависимости ( ÇÈ) |
Рисунок 3.6. График зависимости ( CÈ) |
4
∙Расчет дифференциальных параметров.
1.Используемые формулы:
|
= |
|
|
− крутизна |
|
||||
|
ÇÈ |
|
|||||||
|
|
|
|
ÑÈ= |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ÑÈ |
|
|
|
|
||
|
= |
|
|
|
− |
внутреннее (дифференциальное) сопротивление |
|||
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
ÇÈ= |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ÑÈ |
|
|
|
|
|
|
|
= |
|
|
|
− |
статистический коэффициент усиления |
|||
|
ÇÈ |
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
= |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
дифференциальных параметров ПТ с управляющим p-n-переходом в рабочей точ- |
||||||||
2. Расчет |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
êå ÑÈ = 5 Â è ÇÈ |
= 0, 3 * ÇÈîòñ = |
Â. |
|||||||
3. Расчет дифференциальных параметров МДП-транзистора в рабочей точке ÑÈ = 5 Â è
ÇÈ = 2, 5 * ÇÈïîð = Â.
5
4Вывод
Âходе лабораторной работы:
∙Изучены устройство, режимы работы, принцип действия и схемы включения полевых транзисторов.
∙Экспериментально исследованы статические ВАХ полевых транзисторов и определены дифференциальные параметры в заданной рабочей точке.
6