- •1 Электроника. Классификация эп
- •2 Электропроводность твердых тел
- •3 Пп с собственной проводимостью
- •4 Дрейфовый ток в пп
- •5 Диффузионный ток в пп
- •6 Пп с электронной электропроводностью
- •7 Пп с дырочной электропроводностью
- •8 Эдп в состоянии динамического равновесия
- •9 Процессы в р-n переходе при прямом u
- •10 Процессы в р-n переходе при обратном u
- •11 Вах идеального и реального р-n перехода
- •12 Сопротивление р-n перехода
- •13 Влияние температуры на вах
- •14 Виды пробоя в р-n переходе
- •15 Диффузион и барьерн емкость р-n перехода
- •16 Классификация пп диодов
- •17 Выпрямительные диоды (вд)
- •18 Переходные процессы (с низк ур инжекции
- •19 Переходные процессы (с высок ур инжекци
- •20 Импульсные диоды
- •21 Стабилитроны
- •22 Варикапы
- •23 Контакт металл-пп (барьер Шотки)
- •24 Гетеропереход
- •25 Матемамтическая модель диода (n, Io, rs)
- •26 Матемамтическая модель диода (фи, омега)
- •27 Туннельный диод (тд)
- •28 Вах и зэд тд
- •29 Характеристики и осн параметры тд
- •29 Устройство и принцип действия бт
- •30 Режимы работы и схемы включения бт
- •31 Токи в бт, свизь между статич коэф
- •32 Бт в равновесн сост и в активн реж (зэд)
- •33 Вах бт в схеме с об
- •34 Вах бт в схеме с оэ
- •35 Влияние t на х-ки бт
- •36 Система н-параметров бт
- •37 Определение н-парам бт по вах
- •38 Т-образная эквив схема бт с об
- •39 Т-образная эквив схема бт с оэ
- •40 Частотные параметры бт
- •41 Мах и максимально допустимые парам бт
- •42 Составной бт (сх Дарлингтона)
- •43 Классификация бт
- •44 Устр и принцип действ пт с упр переходом
- •45 Мдп-транзистор со встроенным каналом
- •46 Мдп-транзистор с индуцирован каналом
- •47 Пт дифференциальные параметры
- •48 Эквивалентная сх и частотные св-ва пт
- •49 Влияние t на х-ки пт, классификац, уго
- •50 Пт с барьером Шотки, пт с высок подвиж
- •51 Диодный тиристор
- •52 Триодный тиристор
- •53 Симметричные тиристоры
- •54 Светодиоды
- •55 Фоторезисторы (фр), фотодиоды (фд)
- •56 Фототранзисторы (фт), фототиристоры
- •57 Оптопары
- •58 Работа бт с нагрузкой
22 Варикапы
ППдиод действ кот основано на использ завис емкости перехода от обратного напряжения и кот предназн для примен в кач эл-та с электрически управляем емкостью. Они дел на подстроечные (варикапы) и умножительные (варакторы). Варикапы исп для измен резонанс частоты колеб контуров. Варакторы- для умножения частоты
Параметры: *Сд-номинал емкость измер при зад Uобр, *Кс=Сд мах/Сд мин-коэф перекрытия по емкости=отнош емкости варикапа при двух зад знач Uобр, *rп-сопротивление потерь=суммарное активное R, *Qв=Хс/rп-добротность=отнош реактивного R на зад частоте перемен сигнала к R потерь, *альфаС=^C/C^T*100%-отнош относ измен емкости(%) к вызывавшему его абсолютному изм t окруж среды.
Примен в модуляторах, перестраив резонансных контурах, в генер с электрон настройкой, параметрических усилителях.
Использ завис: уменьш Сбар от увелич Uобр
23 Контакт металл-пп (барьер Шотки)
Конт метал–ПП получ наиб распр. Это связ с 2 их харак-ми особен: 1т к металл и ПП облад различн электрофиз св-ми, контакт между ними, в отлич от p-n-перехода, может быть как выпрямляющим, так и невыпр=омическим.
2проводимость в конт метал–ПП осущ носит одного знака (монополярн проводимость). В рез предел применимости их по частоте выше, чем для p–n-переходов. Выпрямляющий переход=эл переход, эл R кот при одном направл тока больше чем при другом. Омический переход=эл переход, эл R кот не завис от направл тока в зад диапаз знач токов.Выпрямл контакты использ для изгот диод(диод Шоттки), способн выпол различн функц в широк диапаз частот, а с пом невыпрямл контактов осущ-ся подключ приборов к внешн эл цепи Различ св-ва указанных конт завис от соотнош между раб вых из металла РM и ПП РП.
Барьер Шотки облад вентильными св-вами. Если к сист подключ внеш U(+к ПП, -к металлу) то возник доп эл поле, сниж-щее внутр эл поле в переходе. Rприконтактного высокоомного слоя уменьш и через переход потечет ток, обусл переходом е из металла в ПП. Увелич прилож U привод к увелич тока. При смене полярности прилож U внешн эл поле суммируется с внутр и приконтактн слой еще сильн соед с дырками, R перехода увелич. Так как эл поле не препятств движ е ПП р-типа, последние будут проходить через переход вызыв ток в цепи. Этот ток мал в связи с низкой конц неосн носит заряда.
ВАХ совпад с ΒΑΧ p–n-перехода. Однако для обратн тока насыщ завис отлич не только колич-но, но и по физич смыслу. Если в p–n-переходе 1обр опред равновесной конц неосн носит рn или np то в конт метал–ПП опред конц осн носит, перемещ вблизи металлургич границы
Приборы содерж контакты метал–ПП, оказ более высокочаст, нежели приборы с невырожд p–n-переходами.
24 Гетеропереход
Это эл переход, образ в рез контакта ПП-ов с различ шир запрещенной зоны.
Гомопереход–переход, образов между 2 ПП одного типа, т.е. облад одинак диэлектр прониц ε и шир запрещ зоны ΔΉΡ, но легирован примесями разн типа или в разной степени.
Для получ гетероперехода, близ к “идеальн”, необход исключ эффекты, вызыв образов поверхностн состояний и приводящ к высок ур рекомбинации в обл контакта. Для этого ПП пары должны облад согласован кристаллич структурой и близк температурн коэф-ми расширения, чтобы при охлажд не возник сильн термич напряжений. Одной из наибол распростр пар, отвеч указ требованиям, явл тройное соед AlxGa1-xAs и GaAs. За счет изм парам состава x от 0 до 0,4 ширина запрещ зоны AlxGa1-xAs линейно увелич от 1,42 эВ (GaAs) до 1,92 эВ.
Поскольку термодинамич работа выхода Р2 из широкозон ПП больше, чем из узкозонного P1, после образ контакта преимущ поток е будет направл справа налево. В рез в плоск контакта широкозон ПП обогащается е, а узкозон обедняется. Поэт зона проводимости широкозон ПП изгиб вниз на велич φ2, а зона проводимости узкозон–вверх на велич φ1. Значения φ1и φ2 опред ур легир ПП, а их сумма всегда =разности термодинамич работ выхода т.е. =разности запрещ зон контактир ПП. Эта особен гетеропереходов опред их главн преимущ перед гомопереходами–способн создавать высок ур инжекции носит одного знака. Эту способн гетеропереходов часто наз суперинжекцией
В отлич от гомоперехода высота потенц барьера у гетероперех оказ различ для дырок φp и е φn.
Гетероперех раб на основ носителях. Это позвол использ их в кач-ве детекторов и смесителей в СВЧ-диапазоне. В обл оптоэлектроники использ при созд фотодиодов, фототранзиств, солн батар.