Уровень а.

1. К кристаллу p-типа подключен минус источника напряжения, к кристаллу n-типа подключен плюс источника напряжения. Какие носители заряда обеспечивают прохождение тока через p-n переход?

a). отрицательные;

b). положительные;

c). основные;

d). неосновные.

2. Из представленных условно-графических обозначений полупроводниковых приборов укажите условно-графическое обозначение биполярного транзистора n-p-n типа и МДП транзистора с е индуцированным каналом р типа

3.Среди предложенных вариантов маркировок полупроводниковых приборов укажите маркировку, принадлежащую варикапу и кремниевому биполярному транзистору.

a).КД104А; b).KС175А;

c). КВ111Б d). ГИ401Б

e). ГТ109А; f). АЛ301Б

k). КП103М; m). 2Н104Б.

n). КТ606А; p). 2У202Е

4.Среди предложенных рисунков найдите основную характеристику варикапа.

5.Среди предложенных ВАХ укажите выходную ВАХ биполярного транзистора для схемы с общим эмиттером.

6.Среди предложенных схем укажите схему выпрямителя.

7.Среди предложенного набора формул укажите формулу для внутреннего дифференциального сопротивления

a) .	b).	c).	d).
при UК-Э=const	при IБ=const	при UК-Э=const	при IБ=const

8. Какая из схем включения биполярного транзистора имеет самое высокое выходное сопротивление?

a).общий эмиттер

b).общая база;

c).общий коллектор;

d).примерно одинаковое

Ответе на вопросы ,связанные со свойствами транзисторов

9. Какой из полевых транзисторов имеет данную стоковую характеристику? Ответ: в)

10. Усиление мощности транзистора в представ-ленной схеме происхо-дит за счет усиления а). тока, b).напряжения, с). тока и напряжения, d).уменьшения сопротивления.

Уровень в

1. По точкам пересечения нагрузочной линии MN с координатными осями M( 30 ) и N( 15 ) определите напряжение питания Е_К и сопротивление нагрузки R_Н усилителя с общим эмиттером

2. Среди предложенных вариантов ВАХ динистора укажите ВАХ с верно выделенной областью неустойчивого состояния - скачка.

3. В прямоугольниках поставьте номера стабилитронов, обеспечивающих срез соответствующих вершин синусоиды

Вариант с

1.Биполярный транзистор включен в схему с общим эмиттером. Напряжение коллектор-эмиттер поддерживается постоянным на уровне -10В. Определить ток коллектора при токе базы , если при токе базы ток коллектора , а коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером равен 25.

2. 1.Нарисовать схему включения биполярного транзистора n-p-n типа с общим эмиттером для режима усиления.

Челябинский радиотехнический техникум
Экзаменационный билет № _8
комплексного экзамена по дисциплинам «Электронная техника»
Для учащихся 1 курса зочного отделения всех специальностей
«Рассмотрено» на заседании ЦК ОПД Председатель __________________Карпенко ЛА « ____ » «___________ » 2015г..		«Утверждено» зам. Директора ____________Моторина Н.М. « ____ » «___________ » 2015г..