- •Уровень а.
- •Уровень в
- •Уровень а.
- •Уровень в
- •Уровень с
- •Уровень а.
- •4.Среди предложенных вах укажите входную вах биполярного транзистора для схемы с общим эмиттером.
- •Уровень в
- •Уровень с
- •Уровень а.
- •Уровень с
- •Уровень а.
- •Уровень в
- •Уровень с
- •Уровень а.
- •1. Кто является основными носителями заряда в кристалле германия с примесью алюминия (валентность 3)?
- •Уровень в
- •Уровень с
- •Уровень а.
- •1. К кристаллу p-типа подключен минус источника напряжения, к кристаллу n-типа подключен плюс источника напряжения. Какие носители заряда обеспечивают прохождение тока через p-n переход?
- •Уровень в
- •Вариант с
- •Уровень а.
- •Уровень в
- •Вариант с
- •Уровень а.
- •Уровень в
- •Уровень а.
- •Уровень в
- •Вариант с
Уровень а.
1.К кристаллу p-типа подключен плюс источника напряжения, к кристаллу n-типа подключен минус источника напряжения. Ток каких носителей заряда через p-n переход окажется большим?
а).основных носителей заряда; |
c).ток основных носителей будет равен току неосновных носителей заряда; |
b).неосновных носителей заряда; |
d).среди предложенных вариантов нет верного. |
2.Из представленных условно-графических обозначений полупроводниковых приборов укажите условно-графическое обозначение биполярного транзистора n-p-n типа и МДП транзистора с е индуцированным каналом р типа
|
3.Среди предложенных вариантов маркировок укажите маркировку, принадлежащую стабилитрону и варикапу
a).КД104А; b).KС175А; |
c). КВ111Б d). АИ101А |
e). ГТ109А; f). АЛ301Б |
k). КП103М; m). 2Н104Б. |
n). КТ606А; p). 2У202Е |
4. Среди предложенных ВАХ укажите выходные ВАХ биполярного транзистора для схемы с общей базой.
|
5.Среди предложенных ВАХ укажите стоко-затворную характеристику МДП-транзистора с встроенным каналом.
|
6.Какая из предложенных схем включения не подходит для использования свойств варикапа?
|
7.Среди предложенного набора формул укажите формулу для коэффициента усиления тока.
a) . |
b). |
c). |
d). |
при UК-Э=const |
при IБ=const |
при UК-Э=const |
при IБ=const |
8.Какие полупроводниковые диоды (плоскостные или точечные) могут работать на более высоких частотах?
|
|
|||
|
|
|||
9. Какой из полевых транзисторов имеет данную стоковую характеристику? Ответ:б) |
|
10. На рис г) дана схема практическая схема усилителя. Определите способ включения в схему транзистора. (выберите один из 3-х ответов а) ОЭ, б) ОК, в) ОБ, г)- имеет место другой способ включения )
|
|
|
|
||||
Уровень в
1. По точкам пересечения нагрузочной линии MN с координатными осями M( 12 ) и N( 12 ) определите напряжение питания ЕК и сопротивление нагрузки RН усилителя с общим эмиттером.
2. Среди предложенных вариантов ВАХ динистора укажите ВАХ с верно выделенной областью большого положительного сопротивления.
3.Чем диод Шоттки отличается от других видов выпрямительных диодов
Уровень с
1.. Стабилитрон включен в цепь с источником постоянного напряжения, ограничительным сопротивлением и сопротивлением нагрузки . Напряжение стабилизации составляет , а ток стабилизации . Определить величину напряжения источника питания..
2. Ток базы биполярного транзистора изменился на 0,1 мА при неизменном выходном напряжении коллектор-эмиттер. Определить изменение входного напряжения база-эмиттер, если входное сопротивление для схемы с общим эмиттером равно 300 Ом
Челябинский радиотехнический техникум |
|
||
Экзаменационный билет № _6 |
|
||
комплексного экзамена по дисциплинам «Электронная техника» |
|
||
Для учащихся 1 курса зочного отделения всех специальностей |
|
||
«Рассмотрено» на заседании ЦК ОПД Председатель __________________Карпенко ЛА « ____ » «___________ » 2015г.. |
|
«Утверждено» зам. Директора ____________Моторина Н.М. « ____ » «___________ » 2015г.. |
|
