- •Лабораторные работы по беспроводны телекоммуникационным системам
- •1 Исследование детекторного свч диода
- •1 Общие положения
- •2 Переходы металл-проводник
- •3 Диоды с переходами металл-полупроводник
- •4 Диоды с p-n-переходом
- •5 Вольт-амперные характеристики диодов
- •6 Нелинейные свойства диода
- •7 Конструкция некоторых детекторных свч-диодов
- •8 Эквивалентная схема детекторного свч диода
- •9 Выпрямляющие свойства свч диода
- •10 Параметры и характеристики детекторного свч диода
- •11 Условные обозначения детекторного свч диода
- •12 Полупроводниковые диоды в качестве детекторов слабых свч сигналов
- •13 Амплитудный свч детектор
- •14 Фазовый свч детектор
- •15 Изучаемая конструкция детекторного свч диода
- •16 Описание установки
- •18 Указание мер безопасности
- •18 Подготовка к измерениям
- •19 Порядок проведение измерений
- •20 Указания к оформлению результатов измерений
- •21 Указания по выполнению отчета
- •22 Контрольные вопросы
- •2 Изучение работы свч отражательного клистрона
- •3 Исследование свч автогенератор на диод ганна
- •I общие положения
- •2 Принцип действия
- •3 Режимы работы диода ганна
- •5 Конструкция дг
- •6 Эквивалентная схема дг
- •7 Эквивалентная схема адг
- •8 Подключение дг к источнику питания
- •9 Электрические параметрыдиода ганна
- •10 Основные требования к электромагнитным цепям
- •11 Конструкции и технические характеристики автогенераторов
- •13 Диодные генераторы с перестройкой частоты варикапом
- •14 Достоинства и применение
- •15 Конструкция изучаемого диода и адг
- •16 Описание установки
- •17 Указание мер безопасности
- •18 Подготовка к измерениям
- •19 Проведение измерений
- •21 Указания к составлению отчета
- •4 Измерение мощности в свч диапазоне частот
- •1. Основные методы измерения мощности в свч диапазоне
- •Терморезисторные (термисторные) измерители мощностиСвч излучений
- •2. Порядок выполнения работы
- •3. Градуировка аттенюатора с помощью термисторного измерителя мощности
- •4.2. Порядок выполнения работы.
- •Литература
- •5 Исследование рупорной свч антенны
- •Краткие сведения по теме
- •2 Описание стенда
- •2. Порядок выполнения измерений
- •6 Изучение параметров свч волн в прямоугольном металлическом волноводе
- •Цель работы.
- •Подготовка к работе.
- •Краткие теоретические сведения.
- •Описание лабораторной установки.
- •5. Порядок выполнения работы
- •6. Требования к отчёту
- •7. Контрольные вопросы
- •8. Рекомендуемая литература.
9 Электрические параметрыдиода ганна
Значения максимального КПД диода Ганна не превышают 20 %. Повысить
КПД генераторов на диодах Ганна можно за счет использования более сложных
колебательных систем.Другой путь повышения КПД состоит в применении в диодах Ганна материалов с большим отношением υмакс / υнас. Так, для фосфида индия оно достигает 3,5, что увеличивает теоретический электронный КПД диодов до 40%.Самые высокие КПД диодов Ганна получены на частотах f = 1 – 10ГГц. С увеличением частоты КПД диодов значительно снижается. При работе в непрерывном режиме максимальные КПД = 10 – 12 % на f< 20ГГц, 5 – 6 % на f< 40ГГц и 2 – 3 % на f = 90ГГц. Снижение КПД диодов в непрерывном режиме связанно главным образом с ухудшением условий отвода тепла. Поэтому меры, принимаемые для повышениямощности за счёт улучшения теплоотвода, обеспечивают одновременно и некоторые повышенные КПД. Эффективность работы диодов можно повысить, если принять меры по достижению оптимальной подстройки внешней цепи не только на первую гармонику, но и на более высокие гармонические составляющие колебаний, возникающих в диодах.
Следует иметь в виду, что электронный КПД генераторов на диодах Ганна уменьшается на высоких частотах, когда период колебаний становится соизмеримым со временем установления отрицательной дифференциальной проводимости (это проявляется уже на частотах ~ 30ГГц). Инерционность процессов, определяющих зависимость средней дрейфовой скорости от поля, приводит к уменьшению противофазной составляющей тока диода. Предельные частоты диодов Ганна, связанные с этим явлением, оцениваются значениями 100ГГц для приборов из GaAs и 150 – 300ГГц для приборов из InP (фосфид индия).
Выходная
мощность Рвых
диодов Ганна ограничена электрическими
процессами. Влияние последних приводит
к зависимости максимальной мощности
от частоты в виде Pвыхf
= A,
где постоянная A
определяется допустимым перегревом
структуры, тепловыми характеристиками
материала, электронным КПД и ёмкостью
диода. Ограничения по электрическому
режиму связаны с тем, что при большой
выходной мощности амплитуда колебаний
оказывается соизмеримой с постоянным
напряжением U
на диоде:
UmU = E l, (4)
где l – длина образца.
На относительно низких частотах (в сантиметровом диапазоне длин волн) максимальное значение выходной мощности диодов Ганна определяется тепловыми эффектами. В миллиметровом диапазоне длин волн толщина активной области диодов, работающих в доменном режиме, становится малой и преобладают ограничения электрического характера. В непрерывном режиме в трехсантиметровом диапазоне длин волн от одного диода можно получить мощность 1 – 2Вт при КПД до 14%; на частотах 60 – 100ГГц – до 100мВт при КПД до нескольких единиц процентов. Генераторы на диодах Ганна характеризуются значительно меньшими частотными шумами, чем генераторы на лавинно-пролётных диодах.
10 Основные требования к электромагнитным цепям
ДИОДНЫХ ГЕНЕРАТОРОВ
Общие требования к электромагнитным цепям (колебательным контурам) диодных генераторов сводятся в основном к обеспечению заданных рабочей частоты и режима работы, полосы перестройки по частоте, стабильности, максимального контурного КПД и теплоотвода. Иногда задаются дополнительные требования по радиационной стойкости, экранировке полей, уровню паразитной модуляции и т.п.
Заданная рабочая частота и режим работы обеспечиваются полным входным сопротивлением колебательного контура Z = R + jX. Для этого используют резонатор, образованный отрезком линии передачи определённой длины, связанной с диодом и нагрузкой с помощью специальных устройств связи, и трансформатор сопротивлений, включённый в эту линию, который может быть образован какой-либо неоднородностью (скачком волнового сопротивления, штырём, диафрагмой), введённой в электромагнитное поле линии. Для предотвращения шунтирования СВЧ цепи источником питания в нее дополнительно включается фильтр нижних частот (ФНЧ) в соответствии с рисунком 16.
Заданные требования по полосе перестройки и стабильности обеспечиваются выбором определённой структуры и нагруженной добротности СВЧ цепи. В широкополосных усилителях вместо линии-резонатора обычно используется многоконтурные системы или полосовые фильтры с максимально плоской или Чебышевской характеристикой.
Таким образом, необходимыми элементами конструкции диодного генератора являются:
- резонатор, связанный с диодом и нагрузкой;
- устройство связи нагрузки с резонатором;
- СВЧ трансформатор сопротивлений, цепи питания диода с ФНЧ.
Обобщённая структурная схема диодного генератора представлена на рисунке 17.
Рисунок 17 – Обобщённая структурная схема диодного генератора
Конструктивное выполнение отдельных элементов этой схемы существенно зависит от типа линии резонатора, однако в любом случае необходимо соблюдать
некоторые общие принципы конструирования, определяемые специфическими
свойствами диодов.
Потери в электромагнитной цепи сильно увеличиваются из-за сопротивления потерь диода rs, которое намного превышает собственные потери пассивной цепи, и поскольку отрицательное сопротивление диода достаточно низкоомно
(rд 10Ом), реализуемые значения контурного КПД обычно не высоки
к 0,5 – 0,6. (5)
В связи с этим важнейшее значение при конструировании имеет способ крепления диода в резонатор, такой, при котором обеспечивается минимальное контактное сопротивление и хороший теплоотвод (рисунок 18, а).
Для крепления диода применяется также цанговый зажим (рисунок 18, б), который закрепляется в гайке-держателе и устанавливается в наиболее массивной стенке резонатора. Контакт диода с цангой осуществляется по боковой поверхности корпуса диода при давлении в контакте не менее 107 Па.
а) б)
Рисунок 18 – Способы крепления диода Ганна в резонаторе
а – в массивном теплоотводе; б – в цанге
Хороший теплоотвод, обеспечиваемый пайкой диода к медному держателюдиода, позволяет уменьшить рабочую температуру диода и, следовательно увеличить допустимое значение тока питания и выходной мощности генератора, либо при токе I0I0 доп увеличить его надёжность.
Обычно диод монтируют таким образом, чтобы уменьшить число паразитных резонансных контуров и обеспечить необходимую связь диода с резонатором. Для этого применяют резонаторы уменьшенной высоты или уменьшают её только в месте включения диода, что обеспечивает устойчивость и более высокий контурный КПД.
Синтез электромагнитной цепи генератора и разработку его конструкции проводят на базе известных, экспериментально опробованных конструкций, рассчитывая их физические размеры в соответствии с заданными параметрами генератора. При этом, вследствие технологического разброса параметров диодов, в конструкции генератора необходимо предусматривать возможность регулировки полного входного сопротивления СВЧ цепи в достаточно широких пределах. Регулировочные элементы могут быть выполнены в виде короткозамкнутых или разомкнутых шлейфов, четвертьволновых трансформаторов, индуктивных или ёмкостных диафрагм, штырей и т.д.
Одним из методов согласования является применение реактивных элементов в виде ступенчатых неоднородностей. Например, короткий отрезок микрополосковой линии представляет собой единичный реактивный элемент, характер проводимости которого зависит от отношения его волнового сопротивления к волновому сопротивлению линии. Величина реактивности является функцией длины волны. Так, короткая линия с высоким волновым сопротивлением, нагруженная с обеих сторон линиями с малым волновым сопротивлением, представляет собой последовательную индуктивность и, наоборот, линия с низким волновым сопротивлением, представляет собой параллельную ёмкость (рисунок 19). На этом рисунке приведены эквивалентные схемы этих линий. Таким образом, из коротких отрезков линий с большим и малым волновыми сопротивлениями можно образовать лестничную LC структуру и использовать её в качестве преобразователя сопротивлений для согласования.
а)
б)
Рисунок 19 – Образование конструктивной реактивности микрополосковой линии
а – индуктивной; б – ёмкостной
