17. Имс: маркировка, обозначение. Полупроводниковые, гибридные, аналоговые, цифровые имс

Интегральная микросхема (ИМС) — микроэлектронное изделие, выполняющее определенные функции преобразования, имеющая высокую плотность упаковки электрически соединенных между собой элементов и компонентов и представляющая единое целое с точки зрения требований к испытаниям, приемке и эксплуатации.

Обозначение интегральных микросхем состоит из следующих элементов: первый элемент — цифра, указывающая группу микросхемы; второй элемент — две цифры — порядковый номер разработки серии (0 до 99); третий элемент — две буквы — подгруппа и вид микросхемы; четвертый элемент — порядковый номер разработки микросхемы в данной серии. Для микросхем широкого применения в начале обозначения ставится буква К.

После обозначения порядкового номера разработки серии микросхемы может стоять буква русского алфавита или цветная точка, указывающая на различие электрических параметров. Конкретные значения электрических параметров и цвет маркировочной точки даются в технической документации на микросхемы.

• полупроводниковых ИМС все элементы схемы (диоды, транзисторы, резисторы и т. д.) выполнены на основе одного кристалла полупроводникового материала, так называемой активной подложки (обычно монокристалл кремния).

• гибридных ИМС пассивные элементы выполнены в виде пленок, нанесенных на диэлектрическую подложку, а активные элементы (диоды, транзисторы и т. д.) являются навесными.

Аналоговые микросхемы применяют для усиления, генерирования и преобразования сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции. Они используются в качестве усилителей низкой и высокой частоты, смесителей, детекторов, генераторов и т. д.

Цифровые микросхемы предназначены, для обработки электрических сигналов, изменяющихся по закону дискретной функции. Такие микросхемы используются в системах автоматики и электронно-вычислительных машинах.

18.Однокаскадный усилитель на биполярном транзисторе с оэ. Назначение элементов схемы. Принцип работы. Статический и динамический режимы

• схеме включения транзистора с общим эмиттером усилитель обеспечивает усиление по напряжению, по току, по мощности. Такой усилитель имеет средние значения входного и выходного сопротивления по сравнению со схемами включения с общей базой и общим коллектором.

• режиме покоя, т.е. при отсутствии входного сигнала (U_вх = 0), постоянный ток I_БО под действием Е_К проходит по цепи + Е_К– Э- Б- R_Б- -Е_К. Величина этого тока подбором значений R_Б

задается такой, чтобы транзистор был полуоткрыт, т.е. напряжение на нем составляло бы примерно половину E_К. В свою очередь, при большом токе базы транзистор полностью открывается, т.е. его сопротивление между

эмиттером и коллектором очень мало, напряжение U_ЭК почти нулевое, а при I_Б = 0 транзистор полностью закрыт, т.е. сопротивление велико и он практически не пропускает ток I_К.

Конденсатор С_р1 служит для включения источника переменной входной ЭДС Е_вх, с внутренним сопротивлением R_вх в цепь базы. Конденсатор связи С_р2 служит для выделения на нагрузке R_н переменной составляющей коллекторного напряжения.

31