- •Міністерство освіти і науки України
- •Кафедра „Комп’ютеризовані системи автоматики” конспект лекцій
- •050201 „Системна інженерія”
- •Напівпровідникові прилади, мікроелектроніка і спеціальні напрями електроніки електропровідність напівпровідників
- •1.1. Електрони в твердих тілах
- •1.2. Власна електронна і діркова електропровідність. Струм дрейфу
- •1.3. Домішкова електропровідність
- •1.4. Дифузія носіїв заряду в напівпровідниках
- •Е Рис.2.1. Електронно-дірковий перехід при відсутності зовнішньої напруги лектронно-діркові напівпровідникові переходи
- •2.1. Електронно-дірковий перехід при відсутності зовнішньої напруги
- •2 Рис.2.2. Електронно-дірковий перехід при прямому зміщенні .2. Електронно-дірковий перехід при прямій напрузі
- •2.3. Електронно-дірковий перехід при зворотній напрузі
- •2.4. Перехід метал-напівпровідник
- •2.5.Вольт-амперна характеристика напівпровідникового n-p переходу
- •3.1. Вольт-амперна характеристика
- •3.2. Ємності n-p переходу
- •3.3. Температурні властивості
- •3.4. Робочий режим
3.3. Температурні властивості
На електропровідність напівпровідників значний вплив має температура оточуючого середовища. При підвищенні температури посилюється генерація пар носіїв заряду, тобто збільшується концентрація носіїв і провідність зростає. Тому властивості напівпровідникових діодів сильно залежать від температури. Це наочно показують вольт-амперні характеристики, зняті при різній температурі. На рис.3.5 вони представлені для германієвого діода. Як видно, при підвищенні температури прямий і зворотний струми зростають. Дуже різко збільшується зворотний струм, що пояснюється посиленням генерації пар носіїв. У германієвих діодів зворотний струм зростає приблизно в 2 рази при підвищенні температури на кожні 10°С. Це можна виразити наступною формулою:
(3.8)
Отже, якщо температура піднялася з 20 до 70 °С, то струм Iзв збільшується в 25, тобто в 32 рази. Крім того, з підвищенням температури у германієвих діодів знижується напруги електричного пробою.
У кремнієвих діодів при нагріві на кожні 10°С зворотний струм збільшується приблизно в 2,5 рази, а напруги електричного пробою при підвищенні температури спочатку дещо зростає, а потім зменшується.
Прямий струм при нагріві діода зростає не так сильно, як зворотний. Це пояснюється тим, що прямий струм виникає головним чином за рахунок домішкової провідності, а концентрація домішок не залежить від температури.
З підвищенням температури бар'єрна ємність діода зростає. Температурний коефіцієнт ємності (ТКЄ), що показує зміну ємності при зміні температури на один градус, який складає (10-4 10-3 )K-1.
3.4. Робочий режим
У практичних схемах в коло діода вмикається яке-небудь навантаження, наприклад резистор (рис.3.6.а). В умовному графічному позначенні (схематичному зображенні) напівпровідникового діода трикутник є анодом, риска катодом. Прямий струм проходить тоді, коли анод має додатний потенціал відносно катода. Отже, трикутник треба розглядати як вістря стрілки, що показує умовний напрямок прямого струму. Саме в цьому напрямку при прямому струмі рухаються дірки, електрони ж рухаються в протилежному напрямку.
Режим діода з навантаженням називають робочим режимом. Якби діод був лінійним опором, то розрахунок струму в подібній схемі не представляв би ускладнень, оскільки загальний опір кола дорівнює сумі опору діода на постійному струмі R0 і опору навантажувального резистора Rн. Але діод має нелінійний опір, і значення R0 у нього змінюється при зміні струму. Тому розрахунок струму виконують графічно. Задача складається в наступному: відомі значення Е, Rн і характеристика діода, потрібно визначити струм в колі і напруги на діоді.
Характеристику діода потрібно розглядати як графік деякого рівняння, яке зв'язує величини I і U, а для опору Rн подібним рівнянням є закон Ома
I =UR / RН = (Е - U ) / Rн (3.9)
Отже, є два рівняння з двома невідомими І та U, зокрема одне з рівнянь задане графічно. Для розв’язання такої системи рівнянь необхідно побудувати графік другого рівняння і знайти координати точки перетину двох графіків. Рівняння для опору RH - це рівняння першого порядку відносно І та U . Його графіком є пряма лінія, яку називають лінією навантаження.
П
Рис.3.6.
Схема ввімкнення
діода
з навантаженням і побудова
лінії навантаження
При побудові лінії навантаження для порівняно малих RН точка Б виявиться за межами креслення. У цьому випадку потрібно відкласти від точки А ліворуч довільну напругу U (рис.3.6.в) і від отриманої точки В відкласти струм, рівний U /RН ( відрізок ВГ ). Пряма, проведена через точки А і Г, буде лінією навантаження.
Іноді задані U та І (точка Т) і опір навантаження Rн, а треба визначити Е, або, навпаки, при заданому Е потрібно визначити опір навантаження Rн.
Коло з послідовно сполученими діодом і лінійним навантажувальним резистором Rн є нелінійним. Характеристику такого кола, називають робочою характеристикою діода, тобто графік залежності І = f (Е), можна отримати підсумовуванням напруги для характеристик діода і навантажувального резистора Rн (рис.3.7). Характеристика резистора RН виражає закон Ома І= U R / Rн і є прямою лінією, що проходить через початок координат.
Д
Рис.3.7.
Побудова
робочої характеристики для кола, що
складається з
послідовно з’єднаних діода і резистора
навантаження
Робочу
характеристику кола І
= f(Е)
будуємо, складаючи для
декількох
значень
струму
I
напруги
і
,
оскільки
.
Наприклад,
при
струмі
3 мА
маємо: U
=
0,4 В і
UR
= 0,5 В. Підсумовуючи
ці напруги, отримуємо
E
=
0,9
В і відповідну точку результуючої
характеристики. Аналогічно знаходиться
інші точки, і через
них проводимо плавну криву.
Властивості послідовного ланцюга залежать головним чином від властивостей ділянки кола, що має більший опір. Тому чим більше опір Rн, тим менша нелінійність результуючої характеристики. Потрібно зазначити, що графічний розрахунок робочого режиму діода можна не робити, якщо RH>>R0. У цьому випадку допустимо нехтувати опором діода і визначати струм приблизно за формулою I = е /rн.
Розглянуті методи розрахунку постійного напруги E можна застосувати для амплітудних або миттєвих значень, якщо анодне джерело дає змінну напругу.
