Вопрос №5. На чем основан принцип (механизм) разрушения хрупких монокристаллических материалов при их механической обработке абразивами. (8 баллов)
Вопрос №6. Почему в источниках рентгеновского излучения, предназначенных для метода рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС), как правило, используют рентгеновские трубки с анодами из алюминия и из магния, позволяющие быстро перейти от одного излучения к другому? (8 баллов)
Вопрос №7. Рассчитайте какое количество металла выделится на катоде при прохождении 96500 кулонов электричества в случае серебра, меди, алюминия (12 баллов)
Вопрос №8.. Вычислите коэффициент бимолекулярной излучательной рекомбинации для прямозонного полупроводника с шириной запрещенной зоны ΔEg =2,24 эВ по методу Гарбузова при температуре 300 К. (12 баллов)
Вопрос №9. Запишите волновые функции свободного электрона и электрона, движущегося в периодическом трёхмерном потенциале.
(12 баллов)
Вопрос №10. Оцените выходное напряжение компенсационного стабилизатора напряжения Uout и величину тока IR7, протекающего через нагрузочный резистор R7, если известно, данная схема действительно работает в режиме стабилизации напряжения и, что напряжение стабилизации стабилитрона KS133 равно 3.3 В, а транзисторы VT1 и VT2 - кремниевые.
. (16 баллов)
Билет утвержден на заседании кафедры ЭИУК4-КФ
протокол № ____ от «____» _______________ 2015 г.
Заведующий кафедрой ЭИУК4-КФ ___________________ В.Г.Косушкин
КФ МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2015 г. Направление подготовки: 28.04.02
ЭИУК4-КФ «Наноинженерия»
Вариант №ДМЭИУК414
Вопрос №1. Опишите принцип работы полевого транзистора на основе графена
(8 баллов)
Вопрос №2. Поясните особенности получения наноалмазов и других нанопорошков детонационным методом, а также ультразвуковым кавитационным методом при электрохимическом осаждении металлов (8 баллов)
Вопрос №3. Выберете вдоль какого направления оно наиболее вероятно явление каналирования ионов при ионной имплантации примесей: 1) 100; 2) 111; 3) 110; 4) 112. Ответ поясните (8 баллов)
Вопрос №4. Перечислите важнейшие условия возникновения лазерного излучения в полупроводниковых инжекционных лазерах. (8 баллов)
Вопрос №5. Назовите основные причины возникновения отказов. (8 баллов)
Вопрос №6. Дайте определение моделированию (8 баллов)
Вопрос №7. Постройте возможные гистограммы распределения дефектов. Проведите их анализ. (12 баллов)
Вопрос №8. Оцените величину тока коллектора транзистора, функционирующего в активном режиме в схеме, представленной на рисунке.
(12 баллов)
Вопрос №9. Запишите пороговое условие по плотности тока для возникновения лазерного излучения в инжекционном лазере.
(12 баллов)
Вопрос №10. Дайте определение электронной плотности состояний в зоне проводимости. Запишите формулы и изобразите зависимости плотности состояний от энергии в объёмном полупроводнике и квантовой яме (16 баллов)
Билет утвержден на заседании кафедры ЭИУК4-КФ
протокол № ____ от «____» _______________ 2015 г.
Заведующий кафедрой ЭИУК4-КФ ___________________ В.Г.Косушкин