Вопрос №5.. Перечислите инженерные методы управления качеством («7 простых статических методов») (8 баллов)
Вопрос №6. Дайте определение алгоритму и программе (8 баллов)
Вопрос
№7.
Рассчитайте собственную концентрацию
кремния и германия, выраженную в
(12 баллов)
Вопрос №8. Рассчитать плотность поверхностных атомов (см-2) для плоскости (100) простой кубической решетки с параметром 0,5 нм (12 баллов)
Вопрос №9. Перечислите режимы работы биполярного транзистора и сформулируйте их условия
(12 баллов)
Вопрос №10. Оцените коэффициент усиления и величину номинала резистора R2 для усилителя синусоидального напряжения низкой частоты, работающего в режиме «класса А», схема которого представлена на рисунке (16 баллов).
(16 баллов)
Билет утвержден на заседании кафедры ЭИУК4-КФ
протокол № ____ от «____» _______________ 2015 г.
Заведующий кафедрой ЭИУК4-КФ ___________________ В.Г.Косушкин
КФ МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2015 г. Направление подготовки: 28.04.02
ЭИУК4-КФ «Наноинженерия»
Вариант №ДМЭИУК412
Вопрос №1. Дайте определение микроэлектромеханических устройств (8 баллов)
Вопрос №2. Изложите принципы функционирования структуры памяти на основе мемристоров
(8 баллов)
Вопрос №3. Запишите уравнение Лапласа для давления при равновесии фаз (8 баллов)
Вопрос
№4. Изобразите
взаимное расположение уровня Ферми
,
дна зоны проводимости
и потолка валентной зоны
в вырожденном полупроводнике p-тип
(8 баллов)
Вопрос №5. Приведите примеры фотохимических реакций, которые протекают при взаимодействии света с веществом в фоторезистах. (8 баллов)
Вопрос №6. Назовите основные анизотропные травители кремния. Опишите их характеристики, свойства. (8 баллов)
Вопрос №7. Что такое коэффициент элементной чувствительности в методе чистых стандартов количественного оже-спектрального анализа? (12 баллов)
Вопрос №8. Запишите уравнение второго закона Фика для диффузии и приведите распределение примеси из конечного и бесконечного источника диффузии (12 баллов)
Вопрос №9. Оцените, каким должно быть давление в вакуумной камере размером 0.5 м, чтобы обеспечить в ней режим свободного пробега молекул остаточного газа т.е без столкновений.
(12 баллов)
Вопрос
№10. Выведите
формулу для контактной разности
потенциалов невырожденного p-n
– перехода и вычислите её для кремниевого
p-n
– перехода при температуре уровнях
легирования донорами
,
акцепторами
(16
баллов)
Билет утвержден на заседании кафедры ЭИУК4-КФ
протокол № ____ от «____» _______________ 2015 г.
Заведующий кафедрой ЭИУК4-КФ ___________________ В.Г.Косушкин
КФ МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2015 г. Направление подготовки: 28.04.02
ЭИУК4-КФ «Наноинженерия»
Вариант №ДМЭИУК413
Вопрос №1. Приведите технологические приемы получения диффузионных наноструктур с помощью различных по агрегатному состоянию диффузантов (8 баллов)
Вопрос №2. Почему углеродные нанотрубки (УНТ) являются основой перспективных эмиттеров электронов. (8 баллов)
Вопрос №3. Перечислите важнейшие условия для получения эффективной излучательной рекомбинации. (8 баллов)
Вопрос №4. Напишите, какие этапы включает упрощенный расчет параметров надежности электронных устройств (8 баллов)