(8 Баллов)

Вопрос №6. Сформулируйте принцип Паули (8 баллов)

Вопрос №7. В полупроводнике с собственной концентрацией носителей создан p-n – переход. Найти равновесную толщину области пространственного заряда при уровнях легирования донорами и акцепторами Диэлектрическую проницаемость принять равной 12... (12 баллов)

Вопрос №8. Дайте определения прямозонного и непрямозонного полупроводника. Изобразите зонные диаграммы арсенида галлия и кремния (12 баллов)

Вопрос №9. Определить предельную растворимость Al в монокристалле Si выращенном из расплава (при ) в условиях, при которых его эффективный коэффициент распределения =0,06.

(12 баллов)

Вопрос №10. В коллекторную цепь транзистора предполагается поставить резистор со значением сопротивления 1 кОм+-10% и номинальной мощностью рассеивания 0,5 Вт.

Ток, протекающий в коллекторной цепи транзистора Iк, равен 10 мА. Рассчитайте, какое значение коэффициента нагрузки будет иметь место для выбираемого резистора.

(16 баллов)

Билет утвержден на заседании кафедры ЭИУК4-КФ

протокол № ____ от «____» _______________ 2015 г.

Заведующий кафедрой ЭИУК4-КФ ___________________ В.Г.Косушкин

КФ МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2015 г. Направление подготовки: 28.04.02

ЭИУК4-КФ «Наноинженерия» 

Вариант №ДМЭИУК410

Вопрос №1. Дайте определение термина «фонон». Какие фононы называются акустическими? Оптическими? (8 баллов)

Вопрос №2. Опишите, чем определяется минимальное давление криоконденсационного насоса. (8 баллов)

Вопрос №3. Объясните механизм образования области пространственного заряда в p-n – переходе. (8 баллов)

Вопрос №4. Перечислите 4 основные алгоритмические конструкции и дайте определение линейному алгоритму (8 баллов)

Вопрос №5. Определите технологический маршрут предэпитаксиальной обработки подложек Арсенида Галлия. (8 баллов)

Вопрос №6. Дайте определение FMEA. (8 баллов)

Вопрос №7. Изобразите плоскость (112) для простой кубической решётки (12 баллов)

Вопрос №8. Рассчитайте концентрации основных и неосновных носителей в кремнии легированном донорами до концентрации , собственная концентрация

n_i =10¹⁰ см^-3. (12 баллов)

Вопрос №9. Выберите правильное направление тока базы, тока эмиттера и коллектора транзистора в активном режиме и рассчитайте силу тока эмиттера, коллектора или базы, и, если это записано в условии, то и коэффициент передачи транзистора по току.

(12 баллов)

Вопрос №10. Рассчитать навеску примеси фосфора при выращивании монокристалла германия (γ_Ge=5,33(г/см³) методом Чохральского при следующих исходных данных. Вес шихты 1 кг. Концентрация носителей n, ат/см³ = 5 10¹⁶ , .. (16 баллов)

Билет утвержден на заседании кафедры ЭИУК4-КФ

протокол № ____ от «____» _______________ 2015 г.

Заведующий кафедрой ЭИУК4-КФ ___________________ В.Г.Косушкин

КФ МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2015 г. Направление подготовки: 28.04.02

ЭИУК4-КФ «Наноинженерия» 

Вариант №ДМЭИУК411

Вопрос №1. Приведите основные методы получения слоев диоксида кремния - основного диэлектрика в технологии нано- и микроприборов (8 баллов)

Вопрос №2. Назовите основные материалы нанотехнологии в производстве микроэлектромеханических устройств (8 баллов)

Вопрос №3. Какова скорость критического охлаждения для получения аморфных металлических материалов: а). чистых металлов; б). сплавов металл-металлоид? (8 баллов)

Вопрос №4. В полупроводнике p- типа мгновенно создана избыточная концентрация электронов. За время она уменьшилась в раз. Оценить время жизни электронов.

(8 баллов)