Вопрос №5. Опишите особенности конструкции датчиков атмосферного абсолютного давления на базе микроэлектромеханических систем. Изобразите схему.. (8 баллов)

Вопрос №6. Назовите основные методы получения слоев нитрида кремния в нанотехнологии нано- и микро-приборов (8 баллов)

Вопрос №7. Запишите выражения для плотностей дрейфового и диффузионного токов электронов и дырок в полупроводнике (12 баллов)

Вопрос №8. Частица находится в одномерной прямоугольной бесконечно глубокой потенциальной яме шириной . Волновая функция частицы, соответствующая уровню энергии, имеет вид Найти среднее значение её координаты в первом возбуждённом состоянии. (12 баллов)

Вопрос №9. Концентрация Al в монокристалле Si % (ат.). Каково ее значение выраженное в .

(12 баллов)

Вопрос №10. Оцените коэффициент усиления и величину номинала резистора R2 для усилителя синусоидального напряжения низкой частоты, работающего в режиме «класса А», схема которого представлена на рис. 2.

(16 баллов)

Билет утвержден на заседании кафедры ЭИУК4-КФ

протокол № ____ от «____» _______________ 2015 г.

Заведующий кафедрой ЭИУК4-КФ ___________________ В.Г.Косушкин

КФ МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2015 г. Направление подготовки: 28.04.02

ЭИУК4-КФ «Наноинженерия» 

Вариант №ДМЭИУК408

Вопрос №1. Как классифицируются дефекты кристаллического строения вещества? (8 баллов)

Вопрос №2. Приведите условия получения плоских п-р-переходов при диффузии примеси через окно в защитной маске с линейным размером W. (8 баллов)

Вопрос №3. Запишите одночастичные временное и стационарное уравнения Шрёдингера (8 баллов)

Вопрос №4. Назовите и опишите термодинамическими соотношениями основные механизмы эпитаксии.. (8 баллов)

Вопрос №5. Изобразите законы дисперсии акустических (а) и оптических (о) фононов в одномерном кристалле. (8 баллов)

Вопрос №6. Перечислите 4 основные алгоритмические конструкции и дайте определение ветвящемуся алгоритму (8 баллов)

Вопрос №7. Опишите двухполупериодный выпрямитель на основе выпрямительного моста, приведите его электрическую принципиальную схему и основные свойства. (12 баллов)

Вопрос №8.. Дайте определения инжекции и экстракции носителей заряда в p-n – переходе

(12 баллов)

Вопрос №9. Какие поправочные факторы (матричные поправки) требуется ввести в результаты измерений приведенной интенсивности рентгеновской линии анализируемого элемента, чтобы определить его содержание (концентрацию) в исследуемом образце? Что учитывают эти поправки?

(12 баллов)

Вопрос №10. Оцените величину силы тока, текущего через резистор нагрузки R2, схемы представленной на рисунке ниже, и максимальную величину сопротивления этого резистора, если все три транзистора обладают идентичными характеристиками, напряжение насыщения транзисторов равно 0.2 В и для режимов всех транзисторов справедлива аппроксимация Эберса-Молла.

(16 баллов)

Билет утвержден на заседании кафедры ЭИУК4-КФ

протокол № ____ от «____» _______________ 2015 г.

Заведующий кафедрой ЭИУК4-КФ ___________________ В.Г.Косушкин

КФ МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2015 г. Направление подготовки: 28.04.02

ЭИУК4-КФ «Наноинженерия» 

Вариант №ДМЭИУК409

Вопрос №1. Назовите основные процессы взаимодействия пучка моноэнергетических электронов растрового электронного микроскопа – микроанализатора с веществом (8 баллов)

Вопрос №2. Сформулируйте классификацию отказов электронных устройств и их элементов (8 баллов)

Вопрос №3. Опишите особенности конструкции датчиков разности давлений на базе микроэлектромеханических систем. Изобразите схему (8 баллов)

Вопрос №4. Оценить с помощью соотношения неопределённости минимальную кинетическую энергию электрона, локализованного в области размером . (8 баллов)

Вопрос №5. Опишите устройство и принцип действия электронно-лучевого испарителя?