- •Вопрос №5. Назовите и приведите основное уравнение, описывающее скорость испарения вещества в вакууме. (8 баллов)
- •Вопрос №5. Назовите основные эксплуатационные показатели надежности.. (8 баллов)
- •Вопрос №5. Опишите структуру проводящих полимеров и механизм проводимости в этих твердых телах? (8 баллов)
- •Вопрос №5. Рассмотрите способы получения нанопорошков методом термического разложения и методом химического восстановления в газовой и жидкой фазах (8 баллов)
- •Вопрос №5. Нарисуйте качественный вид диаграммы состояния системы In – As. (8 баллов)
- •Вопрос №5. Дайте определение системе и элементу системы с точки зрения проектирования.. (8 баллов)
- •Вопрос №5. Опишите особенности конструкции датчиков атмосферного абсолютного давления на базе микроэлектромеханических систем. Изобразите схему.. (8 баллов)
- •Вопрос №5. Изобразите законы дисперсии акустических (а) и оптических (о) фононов в одномерном кристалле. (8 баллов)
- •(8 Баллов)
- •Вопрос №5. Определите технологический маршрут предэпитаксиальной обработки подложек Арсенида Галлия. (8 баллов)
- •Вопрос №5.. Перечислите инженерные методы управления качеством («7 простых статических методов») (8 баллов)
- •Вопрос №5. Приведите примеры фотохимических реакций, которые протекают при взаимодействии света с веществом в фоторезистах. (8 баллов)
- •Вопрос №5. На чем основан принцип (механизм) разрушения хрупких монокристаллических материалов при их механической обработке абразивами. (8 баллов)
- •Вопрос №5. Назовите основные причины возникновения отказов. (8 баллов)
Вопрос №5. Нарисуйте качественный вид диаграммы состояния системы In – As. (8 баллов)
Вопрос №6. Назовите основные технологические операции механической обработки хрупких материалов и с какой целью они выполняются (8 баллов)
Вопрос
№7. Электрон
находится в одномерной прямоугольной
бесконечно глубокой потенциальной яме
шириной
.
Найти разность энергий 3-го и 2-го
энергетического уровня. (12
баллов)
Вопрос №8. Рассчитать величину брэгговского угла θ для отражения 333 от кристалла германия в CuK1 излучении. Период кристаллической решетки германия a = 5, 657 Å,
длина волны характеристического CuK1 излучения = 1, 54 Å. (12 баллов)
Вопрос №9. Вычислите полуширину спектра спонтанного излучения синего светодиода на материале с шириной запрещенной зоны ΔEg =2,78 эВ при температуре 300К. (12 баллов).
(12 баллов)
Вопрос №10. Рассчитайте суммарную проводимость двух трубопроводов одинаковой длины для воздуха в высоком вакууме, соединенных параллельно при условиях:
Диаметр трубопроводов одинаков
2. Диаметр трубопроводов отличается в 2 раза. (16 баллов)
Билет утвержден на заседании кафедры ЭИУК4-КФ
протокол № ____ от «____» _______________ 2015 г.
Заведующий кафедрой ЭИУК4-КФ ___________________ В.Г.Косушкин
КФ МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2015 г. Направление подготовки: 28.04.02
ЭИУК4-КФ «Наноинженерия»
Вариант №ДМЭИУК406
Вопрос №1. Приведите химическое уравнение травления кремния и поясните роль каждого компонента травителя (8 баллов)
Вопрос №2. Сформулируйте гипотезу де Бройля о корпускулярно-волновом дуализме материи (8 баллов)
Вопрос №3. Перечислите три основных языка описании аппаратуры (Hardware Definition Language) (8 баллов)
Вопрос №4. Сформулируйте условия существования высокого и низкого вакуума. (8 баллов)
Вопрос №5. Дайте определение системе и элементу системы с точки зрения проектирования.. (8 баллов)
Вопрос №6. Назовите основные законы фотохимии применяемые в оптической литографии (8 баллов)
Вопрос
№7.
При каком значении скорости электрона
его импульс равен импульсу фотона с
длиной волны
. (12
баллов)
Вопрос №8. Объясните устройство и принцип действия квадрупольного масс-анализатора в составе вторичного ионного масс-спектрометра (ВИМС). (12 баллов)
Вопрос №9. Какую систему функций алгебры логики выполняет устройство, логическая схема которого представлена на рисунке, расположенном ниже. Эта схема построена на элементах Шеффера и Пирса.
(12 баллов)
Вопрос №10. Определите спектральную полосу затухания Δλ и коэффициент отражения на длине волны 900 нм для распределенного отражателя Брэгга с числом четвертьволновых слоев m=10. Принять, что отражатель реализован на системе AlAs/GaAs.Значение показателя преломления n для AlAs принять равным 2,97, а для GaAs 3,54. (16 баллов)
Билет утвержден на заседании кафедры ЭИУК4-КФ
протокол № ____ от «____» _______________ 2015 г.
Заведующий кафедрой ЭИУК4-КФ ___________________ В.Г.Косушкин
КФ МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2015 г. Направление подготовки: 28.04.02
ЭИУК4-КФ «Наноинженерия»
Вариант №ДМЭИУК407
Вопрос №1. Опишите, как зависит проводимость трубопровода от давления в высоком и низком вакууме. (8 баллов)
Вопрос №2. Дайте определение дислокации (8 баллов)
Вопрос №3. Что такое “мертвое время” регистрирующего тракта рентгеновского спектрометра?. (8 баллов)
Вопрос №4. Перечислите и кратко охарактеризуйте основные виды проектирования (8 баллов)
